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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Current - Max | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BTA425X-800B127 | - |  | 5978 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmt560enea, 115 | - | | 8641 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMT560 | - | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | MHT1000HR5178 | 150.2600 | | 49 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | MHT1000 | - | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | BAV23S, 215 | - | | 8758 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Bav2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB984-C6V8,115 | - | | 5792 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZB984 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C7V5,135 | 0.0200 | | 400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7613-75B, 118 | - | | 3611 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 75 V | 75A (TC) | 10V | 13mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2644 pf @ 25 V | - | 157W (TC) | |||||||||||||||||
 | BZX79-C2V4,143 | 0.0200 | | 218 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| NZX10A, 133 | 0.0200 | | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX1 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PA1576R, 115 | - | | 5248 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 2PA15 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-C36,115 | - | | 9181 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-B4V7215 | - | | 5507 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-B39,215 | 0.0300 | | 22 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,823 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 27.3 V | 39 V | 130 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| 2pd602arl, 215 | 0.0300 | | 534 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 2PD60 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS5320T, 215 | - | | 9962 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PMMT491A, 235 | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMMT4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C8V2,235 | 0.0200 | | 300 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BSP41,115 | 0.1700 | | 113 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BSP4 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX4V3A, 133 | 0.0200 | | 98 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | NZX4 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BA591115 | 0.0500 | | 527 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-76, SOD-323 | Sod-323 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,912 | 100 mA | 500 MW | 0.9pf @ 3V, 1 MHz | Estándar - Single | 35V | 500mohm @ 10 Ma, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | Php27nq11t, 127 | - | | 7740 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Php27 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC115TMB315 | 0.0200 | | 129 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMB3,115 | - | | 4481 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PEMB3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B18,143 | 0.0200 | | 101 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 12.6 V | 18 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| BZX84-C5V1/DG/B4215 | 0.0700 | | 2731 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,520 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX2301P215 | - | | 7829 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA123TT, 215 | - | | 9748 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTA12 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDZ33BGW115 | - | | 6092 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZ3.3B145 | 1.0000 | | 3306 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B11,133 | - | | 5498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX79 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 |
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