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Productos de semiconductoros discretos (6133)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Aplicacionales	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Max	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Resistencia @ if, f	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	Resistencia - Base (R1)
A3G26D055N-2400	315.0000	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	125 V			Montaje en superficie	6-LDFN Pad Expunesta		100MHz ~ 2.69GHz	Ganancia		6-PDFN (7x6.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1			-		40 Ma	8W	13.9dB											-				48 V
A3G26D05555NT4	29.2800	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	125 V			Montaje en superficie	6-LDFN Pad Expunesta		100MHz ~ 2.69GHz	Ganancia		6-PDFN (7x6.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	2.500			-		40 Ma	8W	13.9dB											-				48 V
BAP65-05	0.0200	RFQ	234	NXP USA Inc.	-	Una granela	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)			TO36-3, SC-59, SOT-23-3					SOT-23 (TO-236AB)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Información de Alcance Disponible A Pedido	2832-BAP65-05	EAR99	8541.10.0080	1				100 mA													250 MW		0.425pf @ 20V, 1MHz				Pin - 1 par Cátodo Común	30V		350mohm @ 100 mm, 100MHz
A3i20x050gnr1	44.7930	RFQ	8397	NXP USA Inc.	A3i20x050gn	Tape & Reel (TR)	Activo	65 V				OM-400G-8		1.8GHz ~ 2.2GHz	Ldmos		OM-400G-8	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.33.0001	500	Dual		10 µA		145 Ma	6.3w	29.3db											-				28 V
A3V07H600-42NR6	110.9400	RFQ	8077	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	105 V				OM-1230-6L		616MHz ~ 870MHz	Ldmos		OM-1230-6L	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	150	Triple		10 µA		900 mA	112W	16.9db											-				48 V
A3T09S100NR1	22.0500	RFQ	6684	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	65 V			Montaje en superficie	Un 270-2		136MHz ~ 941MHz	Ldmos		Un 270-2	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	500			10 µA		450 Ma	100W	22.8db											-				28 V
A3I25D080NR1	29.5050	RFQ	6184	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	65 V			Montaje en superficie	Variante A 270-17, Plana Plana		2.3GHz ~ 2.69GHz	Ldmos		Un 270WB-17	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.33.0001	500	Dual		10 µA		175 Ma	8.3w	29.2db											-				28 V
A3G18D510-04SR3	114.4650	RFQ	6841	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	125 V			Montaje en superficie	Ni-780S-4L		1.805GHz ~ 2.2GHz	-		Ni-780S-4L	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	250	-		-		250 Ma	56W	16dB											-				48 V
A2V09H400-04SR3	93.2316	RFQ	1533	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	105 V			Montaje en superficie	Ni-780S-4L		720MHz ~ 960MHz	Ldmos		Ni-780S-4L	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	250	Dual		10 µA		750 Ma	102W	18.7dB											-				48 V
A5G35S008NT6	13.0845	RFQ	9093	NXP USA Inc.	*	Tape & Reel (TR)	Activo											-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	5,000
A5G35S004N-3400	105.4700	RFQ	7639	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	125 V			Montaje en superficie	6-LDFN Pad Expunesta		3.3GHz ~ 4.3GHz	-		6-PDFN (4x4.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1	-		-		12 MA	24.5dbm	16.9db											-				48 V
A3G26D055N-2600	315.0000	RFQ	3192	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	125 V			Montaje en superficie	6-LDFN Pad Expunesta		100MHz ~ 2.69GHz	-		6-PDFN (7x6.5)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1	-		-		40 Ma	8W	13.9db											-				48 V
A5G35H110N-3400	315.0000	RFQ	7093	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	125 V			Montaje en superficie	6-LDFN Pad Expunesta		3.3GHz ~ 3.7GHz	-		6-PDFN (7x6.5)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1	-		-		70 Ma	15.1w	15.3db											-				48 V
A5G35S004NT6	11.5830	RFQ	8258	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	125 V			Montaje en superficie	6-LDFN Pad Expunesta		3.3GHz ~ 4.3GHz	-		6-PDFN (4x4.5)	descascar	ROHS3 Cumplante				EAR99	8541.29.0075	5,000	-		-		12 MA	24.5dbm	16.9db											-				48 V
Aft05ms004-200m	240.5600	RFQ	9164	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo											-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	568-Ataza05ms004-200m			1
MMRF1050HR6	687.3887	RFQ	4827	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	105 V			Monte del Chasis	Sot-979a		850MHz ~ 950MHz	LDMOS (dual)		NI-1230-4H	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	568-MMRF1050HR6TR	EAR99	8541.29.0095	150	2 Canal		1 µA		100 mA	1050W	21.3db											-				50 V
A3G26H502W17SR3	155.9687	RFQ	2650	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	125 V			Monte del Chasis	NI-780-4S2S		2.496GHz ~ 2.69GHz	Ganancia		NI-780-4S2S	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	568-A3G26H502W17SR3TR	EAR99	8541.29.0095	250	2 Canal		-		370 Ma	80W	13.1db											-				48 V
AFM912NT1	2.9754	RFQ	9766	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	30 V			Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 16-vdfn		136MHz ~ 941MHz	Ldmos		16-DFN (4x6)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	568-AFM912NT1TR	EAR99	8541.29.0095	1,000	-		10 µA			-	13.3db											-
A3G23H500W17SR3	128.1003	RFQ	7795	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	125 V			Monte del Chasis	NI-780-4S2S		2.3GHz ~ 2.4GHz	Ganancia		NI-780-4S2S	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	568-A3G23H500W17SR3TR	EAR99	8541.29.0095	250	2 Canal		-		300 mA	80W	14.3db											-				48 V
A5G23H110NT4	32.8239	RFQ	4653	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	125 V			Montaje en superficie	6-LDFN Pad Expunesta		2.3GHz ~ 2.4GHz			6-PDFN (7x6.5)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	568-A5G23H110NT4TR	EAR99	8541.29.0095	2.500	-		-		60 Ma	13.8w	17.9dB											-				48 V
BCX54-16,135	-	RFQ	8759	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo						BCX54					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000
PDTC123TE, 115	-	RFQ	5072	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto				Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	PDTC123			150 MW	SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																				50 V	100 mA				1 µA		NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 20MA, 5V	2.2 kohms
PMD9001D, 115	-	RFQ	4779	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	50V NPN, 45V NPN		Controlador	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	PMD90				SC-74	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	3.000			Npn de 100 mA, npn de 100 ma																								2 NPN (Tótem)
PMD9003D, 115	-	RFQ	3497	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	50V NPN, 45V NPN		Controlador	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	PMD90				SC-74	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	3.000			Npn de 100 mA, npn de 100 ma																								2 NPN (Tótem)
MRF9060LSR5	-	RFQ	6702	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V			Monte del Chasis	Ni-360S	MRF90	945MHz	Ldmos		Ni-360S	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8541.21.0075	50			-		450 Ma	60W	17dB											-				26 V
Mrf374a	-	RFQ	6726	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto	70 V			Monte del Chasis	NI-650	MRF37	857MHz ~ 863MHz	Ldmos		NI-650	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	14			-		400 mA	130W	17.3db											-				32 V
MRF6S24140HS	-	RFQ	1678	NXP USA Inc.	-	Una granela	Obsoleto	68 V			Montaje en superficie	NI-880S	MRF6	2.39 GHz	Ldmos		NI-880S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	1			-		1.3 A	28W	15.2db											-				28 V
MRF8S18260HSR6	-	RFQ	6240	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V			Monte del Chasis	SOT-1110B	MRF8	1.81GHz	Ldmos		NI1230S-8	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	935319642128	5A991G	8541.29.0075	150	Dual		-		1.6 A	74W	17.9dB											-				30 V
PSMN035-100LS, 115	-	RFQ	5411	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8-vdfn	PSMN0		Mosfet (Óxido de metal)		8-DFN3333 (3.3x3.3)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.400		N-canal						100 V	27a (TC)	10V	32mohm @ 10a, 10v	4V @ 1MA	23 NC @ 10 V	± 20V	1350 pf @ 50 V	-	65W (TC)
Buk7y35-55b, 115	-	RFQ	3478	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	SC-100, SOT-669	Buk7		Mosfet (Óxido de metal)		LFPAK56, POWER-SO8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500		N-canal						55 V	28.43a (TC)	10V	35mohm @ 15a, 10v	4V @ 1MA	13.1 NC @ 10 V	± 20V	781 pf @ 25 V	-	60W (TC)