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Productos de semiconductoros discretos (6133)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Figura de ruido | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZX79-B24133 | - |  | 6037 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ph1225al, 115 | 0.2200 | | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | SOT-1023, 4-LFPAK | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56; Potencia-so8 | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.374 | N-canal | 25 V | 100A (TC) | 1.2mohm @ 15a, 10v | 2.15V @ 1MA | 105 NC @ 10 V | 6380 pf @ 12 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C20,115 | 0.0200 | | 270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU11B1,115 | 0.0400 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pzu11 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817,235 | 0.0200 | | 130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BC817 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS40-04W, 115 | - | | 7743 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BAS40 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA208S-800F, 118 | 1.0000 | | 3547 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Dpak | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Soltero | 30 Ma | Estándar | 800 V | 8 A | 1.5 V | 65a, 71a | 25 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C3V3,215 | - | | 8463 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU13B1,115 | - | | 5760 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU13 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144VMB, 315 | 0.0200 | | 130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | PDTA144 | 250 MW | DFN1006B-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 40 @ 5MA, 5V | 180 MHz | 47 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN4R3-30PL, 127 | 0.6900 | | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PSMN4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB784-C4V3115 | 1.0000 | | 5500 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55-B9V1,115 | - | | 7932 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZV55 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP68,115 | 0.0700 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.4 W | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.683 | 20 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 85 @ 500mA, 1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC54-10PA, 115 | 0.0500 | | 47 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Powerudfn | 420 MW | 3-Huson (2x2) | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 45 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCV61,215 | - | | 8342 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BCV61 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C3V6,315 | 0.0300 | | 99 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,606 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS76SB10,115 | - | | 5880 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 1PS76 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B33115 | 1.0000 | | 2364 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU24B2,115 | - | | 4113 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PZU24 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9219-55A118 | - | | 6162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9605-30A, 118 | - | | 3717 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Buk96 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-A13,215 | 0.1100 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BZX84 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA206-800ET, 127 | 0.2600 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Un 220b | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 962 | Soltero | 15 Ma | Lógica - Puerta sensible | 800 V | 6 A | 1.5 V | 60a, 66a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA204-600C, 127 | 0.2300 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Un 220b | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 1.110 | Soltero | 20 Ma | Estándar | 600 V | 4 A | 1.5 V | 25a, 27a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT151-650L, 127 | 0.2600 | | 109 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Un 220b | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 995 | 20 Ma | 650 V | 12 A | 1.5 V | 120a, 132a | 5 Ma | 1.75 V | 7.5 A | 500 µA | Recuperación | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA201-800E, 412 | - | | 3494 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 889 | Soltero | 12 MA | Lógica - Puerta sensible | 800 V | 1 A | 1.5 V | 12.5a, 13.7a | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA208X-1000C, 127 | - | | 9815 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Un 220F | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Soltero | 50 Ma | Alternista - Snubberless | 1 kV | 8 A | 1.5 V | 65a, 71a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA312-600B/DG, 127 | 0.3600 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Un 220b | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 614 | Soltero | 60 Ma | Estándar | 600 V | 12 A | 1.5 V | 95a, 105a | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S19100GNR1 | - | | 3874 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Montaje en superficie | A-270BA | MRF6 | 1.99 GHz | Ldmos | To70-2 gaviota | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 Ma | 22W | 14.5dB | - | 28 V |
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