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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Max | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia - RDS (ON) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
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![]() | A2I20H060GNR1 | 30.9400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 65 V | Montaje en superficie | Un 270WBG-15 | 1.8GHz ~ 2.2GHz | LDMOS (dual) | Un 270WBG-15 | - | 2156-A2I20H060GNR1 | 10 | 2 Canal | - | 24 Ma | 12W | 32.4db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V9,143 | 0.0200 | ![]() | 245 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C3V9,143-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4021PX, 115 | 1.0000 | ![]() | 1763 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2.5 W | Sot-89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS4021PX, 115-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 V | 6.2 A | 100na | PNP | 265mv @ 345mA, 6.9a | 150 @ 4a, 2v | 105MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4737A, 133 | - | ![]() | 5624 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4737 | 1 W | Do-41 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 5 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU6.2B, 115 | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-Pzu6.2b, 115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 3 V | 6.2 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7509-55A, 127 | 0.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK7509-55A, 127-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 9mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 62 NC @ 0 V | ± 20V | 3271 pf @ 25 V | - | 211W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B11,135 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B11,135-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP5201V/S711115 | - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-PMP5201V/S711115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C15,133 | 0.0200 | ![]() | 244 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C15,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBF4391 | 0.8700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2832-PMBF4391TR | EAR99 | 8541.21.0080 | 575 | N-canal | 40 V | 14pf @ 20V | 40 V | 50 Ma @ 20 V | 4 v @ 1 na | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT4401/S911,215 | 0.0200 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PS79SB31,115 | - | ![]() | 5059 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Schottky | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1PS79SB31,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 500 MV @ 200 Ma | 30 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | 200 MMA | 25pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP50-04W, 115 | 0.1100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 2-smd, sin plomo | CS300 | - | 2156-BAP50-04W, 115 | 2.645 | 50 Ma | 240 MW | 0.5pf @ 5V, 1MHz | PIN - Single | 50V | 5ohm @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF8G20LS-220J | - | ![]() | 3448 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | Sot-502b | 1.81GHz ~ 1.88GHz | Ldmos | Sot502b | - | 2156-BLF8G20LS-220J | 1 | N-canal | 4.2 µA | 1.6 A | 55W | 18.9dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT46WH, 115 | 1.0000 | ![]() | 6908 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Schottky | SOD-123F | descascar | 0000.00.0000 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 250 Ma | 5.9 ns | 9 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 39pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C2V4,133 | 0.0200 | ![]() | 339 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C2V4,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ27J, 115 | 1.0000 | ![]() | 9840 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | TDZ27 | 500 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-TDZ27J, 115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PS70SB20,115 | 0.0400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Schottky | Sot-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1PS70SB20,115-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 500 Ma | 100 µA @ 35 V | 125 ° C (Máximo) | 500mA | 90pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B11,115 | 1.0000 | ![]() | 7693 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PRMH9147 | - | ![]() | 8150 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 6-xfdfn almohadilla exposición | 325MW | DFN1412-6 | - | 2156-PRMH9147 | 1 | 50V | 100mA | 1 µA | 2 NPN - Precializado | 100mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 5V | 230MHz | 10 kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Phpt61006pyx | - | ![]() | 9296 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | 1.3 W | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PHPT61006PYX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 V | 6 A | 100na | PNP | 130 MV a 50 mm, 1a | 170 @ 500mA, 2V | 116MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pumb24,115 | 0.0200 | ![]() | 365 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | Pumb24 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Pumb24,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLC8G27LS-180AVY | - | ![]() | 7434 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | - | 2156-BlC8G27LS-180AVY | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B4V7,115 | - | ![]() | 9228 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6218-40C, 118 | 0.2200 | ![]() | 2350 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK6218-40C, 118-954 | 1 | N-canal | 40 V | 42a (TC) | 10V | 16mohm @ 10a, 10v | 2.8V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | ± 16V | 1170 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C12,115 | 0.0200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | ± 5.42% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZT52H-C12,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002BKM/V, 315 | - | ![]() | 9930 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | 2N7002 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-2N7002BKM/V, 315-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC69-16PA, 115 | 1.0000 | ![]() | 8221 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Powerudfn | BC69 | 420 MW | 3-Huson (2x2) | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 20 V | 2 A | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 200Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 1V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Buk664r4-55c, 118 | - | ![]() | 5636 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BUK664R4-55C, 118-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 124 | N-canal | 55 V | 100A (TC) | 5V, 10V | 4.9mohm @ 25A, 10V | 2.8V @ 1MA | 124 NC @ 10 V | ± 16V | 7750 pf @ 25 V | - | 204W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS4003D, 115 | 0.0700 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PBLS4003 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBLS4003D, 115-954 | 4,473 |
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