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Productos de semiconductoros discretos (1062)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
BC860B, 235	0.0200	RFQ	100	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC860B, 235-954			1																					45 V	100 mA	15NA (ICBO)			PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	220 @ 2mA, 5V	100MHz
PDTC143TT, 215	0.0200	RFQ	422	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PDTC143TT, 215-954			1
PBLS4004Y, 115	0.0700	RFQ	72	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					PBLS4004				descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBLS4004Y, 115-954			4.873
Nx7002bkmbyl	0.0300	RFQ	35	Semiconductorores nxp	Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-xfdfn		Mosfet (Óxido de metal)		DFN1006B-3	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-NX7002BKMBYL-954			10,969			N-canal	60 V	350MA (TA)	5V, 10V	2.8ohm @ 200 MMA, 10V	2.1V @ 250 µA	1 NC @ 10 V	± 20V	23.6 pf @ 10 V	-	350MW (TA), 3.1W (TC)
PMEG4020EP, 115	0.0900	RFQ	21	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-128		Schottky		SOD-128/CFP5	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMEG4020EP, 115-954	EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												40 V	490 MV @ 2 A		100 µA @ 40 V	150 ° C (Máximo)	2a	95pf @ 10V, 1 MHz
BZV85-C3V9,113	0.0300	RFQ	75	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.3 W	Do-41	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C3V9,113-954			1															1 V @ 50 Ma		10 µA @ 1 V							3.9 V	15 ohmios
PMST5550,135	0.0300	RFQ	15	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323			200 MW	Sot-323	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMST5550,135-954			1																					140 V	300 mA	100NA (ICBO)			NPN	250 MV a 5 mm, 50 Ma	60 @ 10mA, 5V	300MHz
BZX79-C2V4,113	0.0200	RFQ	317	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C2V4,113-954	EAR99	8541.10.0070	1															900 MV @ 10 Ma		50 µA @ 1 V							2.4 V	100 ohmios
PMPB100XPEA, 115	1.0000	RFQ	9040	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					PMPB100				descascar	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PMPB100XPEA, 115-954			1
PLVA659A, 215	0.0500	RFQ	38	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 3%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PLVA659		250 MW	To-236ab	-	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PLVA659A, 215-954			6.397															900 MV @ 10 Ma		1 µA @ 5.3 V							5.9 V	100 ohmios
BC55-10pasx	-	RFQ	3701	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-udfn almohadilla exposición			420 MW	DFN2020D-3	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC55-10PASX-954	EAR99	8541.21.0075	1																					60 V	1 A	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150mA, 2V	180MHz
PSMN8R5-100PSFQ	-	RFQ	3291	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PSMN8R5-100PSFQ-954			1			N-canal	100 V	98a (TA)	7V, 10V	8.7mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	44.5 NC @ 10 V	± 20V	3181 pf @ 50 V	-	183W (TA)
BZB984-C6V8,115	0.0400	RFQ	7	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SOT-663			265 MW	SOT-663	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZB984-C6V8,115-954			1	1 par Ánodo Común														900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 4 V							6.8 V	6 ohmios
BZX884-B30,315	0.0300	RFQ	28	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW	DFN1006-2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX884-B30,315-954	EAR99	8541.10.0050	1															900 MV @ 10 Ma		50 na @ 21 V							30 V	80 ohmios
BZT52H-C7V5,115	0.0200	RFQ	24	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZT52H-C7V5,115-954			1															900 MV @ 10 Ma		1 µA @ 5 V							7.5 V	10 ohmios
NZX22C, 133	0.0200	RFQ	84	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-NZX22C, 133-954			1															1.5 V @ 200 Ma		50 na @ 15.4 V							22 V	65 ohmios
BZV85-C56,113	0.0400	RFQ	88	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.3 W	Do-41	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C56,113-954			8,435															1 V @ 50 Ma		50 na @ 39 V							56 V	150 ohmios
PZU20B1A, 115	0.0300	RFQ	26	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			320 MW	Sod-323	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU20B1A, 115-954			1															1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 15 V							20 V	20 ohmios
PMDXB1200UPEZ	0.0700	RFQ	13	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					PMDXB1200	-			descascar	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PMDXB1200UPEZ-954			1												-
BZT52H-C4V7,115	0.0200	RFQ	179	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZT52H-C4V7,115-954			1															900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 2 V							4.7 V	78 ohmios
BUK7575-55A, 127	0.3600	RFQ	8	Semiconductorores nxp	Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BUK7575-55A, 127-954	EAR99	0000.00.0000	1			N-canal	55 V	20.3a (TC)	10V	75mohm @ 10a, 10v	4V @ 1MA		± 20V	483 pf @ 25 V	-	62W (TC)
PMZ290UNEYL	-	RFQ	1610	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-101, SOT-883		Mosfet (Óxido de metal)		SOT-883	descascar	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PMZ290UNEYL-954	EAR99	8541.29.0095	1			N-canal	20 V	1a (TA)	1.8V, 4.5V	380mohm @ 500 mA, 4.5V	950MV @ 250 µA	0.68 NC @ 4.5 V	± 8V	83 pf @ 10 V	-	360MW (TA), 2.7W (TC)
PMEG2010beld, 315	0.0500	RFQ	270	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sod-882		Schottky		DFN1006-2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMEG2010BELD, 315-954			1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												20 V	490 MV @ 1 A	1.6 ns	200 µA @ 20 V	150 ° C (Máximo)	1A	40pf @ 1v, 1 MHz
BC858B, 215	0.0200	RFQ	734	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC858B, 215-954			1																					30 V	100 mA	15NA (ICBO)			PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	220 @ 2mA, 5V	100MHz
AFV10700HR5178	496.2300	RFQ	50	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-AFV10700HR5178-954			1
Pmt560eneax	-	RFQ	1293	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA		Mosfet (Óxido de metal)		SOT-223	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMT560ENEAX-954	EAR99	8541.29.0095	1			N-canal	100 V	1.1a (TA)	4.5V, 10V	715mohm @ 1.1a, 10v	2.7V @ 250 µA	4.4 NC @ 10 V	± 20V	112 pf @ 50 V	-	750MW (TA)
BZX79-B4V7,113	0.0200	RFQ	120	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-B4V7,113-954			1															900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 2 V							4.7 V	80 ohmios
BCM847DS/DG/B2 115	0.0700	RFQ	181	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					BCM847				descascar	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BCM847DS/DG/B2 115-954			1
PMEG45U10EPDAZ	0.2600	RFQ	1	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN		Schottky		CFP15	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMEG45U10EPDAZ-954	EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												45 V	490 MV @ 10 A	16 ns	20 Ma @ 10 V	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	1170pf @ 1V, 1 MHz
BAT54W, 115	0.0200	RFQ	82	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BAT54	Schottky		Sot-323	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-bat54w, 115-954			1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												30 V	800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	10pf @ 1v, 1 MHz