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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | BZX84J-B56,115 | - | ![]() | 8649 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 39.2 V | 56 V | 120 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW30,215 | - | ![]() | 2289 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | - | 0000.00.0000 | 1 | 32 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 150mv @ 2.5mA, 50 mA | 215 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMGD175XNEX | - | ![]() | 5004 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | PMGD175 | Mosfet (Óxido de metal) | 260MW (TA) | Sot-363 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 870MA (TA) | 252mohm @ 900mA, 4.5V | 1.25V @ 250 µA | 1.65nc @ 4.5V | 81pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PC4617RMB, 315 | - | ![]() | 7989 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | 2PC4617 | 250 MW | DFN1006B-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 180 @ 1 MMA, 6V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B5V1,135 | - | ![]() | 7200 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX7V5D, 133 | - | ![]() | 5910 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | NZX7V5 | 500 MW | ALF2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX2301P, 215 | 1.0000 | ![]() | 2299 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 20 V | 2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 120mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 6 NC @ 4.5 V | ± 8V | 380 pf @ 6 V | - | 400MW (TA), 2.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847BV, 315 | - | ![]() | 8733 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | BC847 | 300MW | Sot-666 | descascar | 2156-BC847BV, 315-NEX | 0000.00.0000 | 1 | 45V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C47,315 | 0.0200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX884-C47,315-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT61002PYCX | 1.0000 | ![]() | 8712 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PHPT61002PYCX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C3V3,115 | - | ![]() | 4298 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C3V3,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B9V1,115 | - | ![]() | 2099 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-B9V1,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C24,115 | 0.0300 | ![]() | 68 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84J-C24,115-954 | 11,823 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B51,315 | 0.0300 | ![]() | 149 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 0000.00.0000 | 9,648 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mrf300bn | - | ![]() | 8346 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 133 V | A Través del Aguetero | TO-247-3 | 1.8MHz ~ 250MHz | Ldmos | TO-247-3 | - | 2156-MRF300bn | 1 | N-canal | 10 µA | 100 mA | 300W | 20.4db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB2,115 | - | ![]() | 2804 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PEMB2,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC5DX-500,127 | 0.3700 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | Un 220F | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2 V @ 5 A | 16 ns | 40 µA @ 500 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B7V5,143 | - | ![]() | 2731 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX79-B7V5,143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBD6050,215 | 0.0200 | ![]() | 399 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMBD6050,215-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 70 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B11143 | - | ![]() | 4192 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | BZX79 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX79-B11143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4734A, 113 | 0.0400 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1N4734A, 113-954 | 8,435 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX6V2C133 | - | ![]() | 8589 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Nzx | Una granela | Activo | ± 2.42% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-NZX6V2C133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.15 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B15,133 | - | ![]() | 2880 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | BZX79 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX79-B15,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU3.0B2A, 115 | - | ![]() | 1522 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-Pzu3.0b2a, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD123YT/APGR | - | ![]() | 5108 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Obsoleto | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-PDTD123YT/APGR-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU12BA, 115 | - | ![]() | 6428 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-PZU12BA, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 9 V | 12 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C16115 | - | ![]() | 4409 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | BZV90 | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SC-73 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZV90-C16115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU2.4BL, 315 | - | ![]() | 6739 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-Pzu2.4bl, 315-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ16J, 115 | - | ![]() | 4263 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Activo | ± 1.88% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 500 MW | SC-90 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-TDZ16J, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C13,115 | - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SC-90 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX84J-C13,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 10 ohmios |
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