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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | BSR16/DG/B4215 | 0.0700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BSR16/DG/B4215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU550WF | 0.2200 | ![]() | 764 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 450MW | SC-70 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BFU550WF | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 18dB | 12V | 50mera | NPN | 60 @ 15 mm, 8v | 11 GHz | 1.3db @ 1.8Ghz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLF1G0035S-100 | - | ![]() | 2110 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-CLF1G0035S-100-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C43,115 | 0.0200 | ![]() | 262 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C43,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 30.1 V | 43 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdta114ym, 315 | 0.0200 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTA114ym, 315-954 | 15,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP20N06T, 127 | 0.4800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2156-PHP20N06T, 127-954 | 671 | N-canal | 55 V | 20.3a (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 483 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD570N18KOFHPSA1 | 313.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | - | 2156-TD570N18KOFHPSA1 | 2 | 300 mA | 1.8 kV | 1050 A | 2 V | 20000A | 250 Ma | 566 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4160PANPSX | 0.1200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PBSS4160 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS4160PANPSX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,423 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD4148,215 | - | ![]() | 6158 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Estándar | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-MMBD4148,215-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SA2T18H450W19SR6 | 214.0800 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-1230S-4S4S | 1.805GHz ~ 1.88GHz | Ldmos | NI-1230S-4S4S | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2156-SA2T18H450W19SR6 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | Dual | 10 µA | 800 Ma | 89W | 16.6db | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C8V2,115 | - | ![]() | 2861 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | BZV90 | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SC-73 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZV90-C8V2,115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C3V6,113 | 0.0300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C3V6,113-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 µA @ 1 V | 3.6 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT3904,215 | - | ![]() | 9255 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMBT3904,215-954 | 1 | 40 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC53-16PA, 115 | - | ![]() | 6134 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Powerudfn | 420 MW | 3-Huson (2x2) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC53-16PA, 115-954 | 1 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX55-10,115 | 0.0700 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 1.25 W | Sot-89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BCX55-10,115-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMZB950UPLYL | 1.0000 | ![]() | 3640 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | Mosfet (Óxido de metal) | DFN1006B-3 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PMZB950UPLYL-954 | 1 | Canal P | 20 V | 500 mA (TA) | 1.2V, 4.5V | 1.4ohm @ 500 mA, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 2.1 NC @ 4.5 V | ± 8V | 43 pf @ 10 V | - | 360MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX5V6D, 133 | - | ![]() | 7082 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B47133 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4160PANP, 115 | - | ![]() | 5380 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Ufdfn Pad Expunesta | PBSS4160 | 510MW | 6-Huson (2x2) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS4160PANP, 115-954 | 1 | 60V | 1A | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 120 mv a 50 mm, 500 mA | 150 @ 500mA, 2V | 175MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C27,113 | 0.0200 | ![]() | 520 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C27,113-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCM847BV, 315 | - | ![]() | 2044 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | BCM847 | 300MW | Sot-666 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BCM847BV, 315-954 | 1 | 45V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) par emparejado | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BAS116GWJ | 1.0000 | ![]() | 6893 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | Estándar | SOD-123 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BAS116GWJ-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C24,113 | 0.0200 | ![]() | 350 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C24,113-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Php45nq10t, 127 | 0.9500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2156-PHP45NQ10T, 127-954 | 341 | N-canal | 100 V | 47a (TC) | 10V | 25mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX7002AK2,215 | - | ![]() | 3433 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-NX7002AK2,215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN6R0-30LB, 115 | - | ![]() | 9157 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN6R0-30LB, 115-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 71a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 20a, 10v | 1.95V @ 1MA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 1088 pf @ 15 V | - | 58W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4260PANP, 115 | 1.0000 | ![]() | 2332 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBSS4260PANP, 115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C4V3,115 | - | ![]() | 1319 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | BZX84J-C4V3 | 550 MW | Sod-323f | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdta113et, 215 | - | ![]() | 8996 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-PDTA113et, 215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143ZMB, 315 | 0.0300 | ![]() | 126 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTC143ZMB, 315-954 | 1 |
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