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Productos de semiconductoros discretos (1062)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)
PEMB18,115	0.0400	RFQ	12	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PEMB18,115-954			1
BZV55-C33,115	0.0200	RFQ	304	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C33,115-954			1															900 MV @ 10 Ma		50 na @ 23.1 V							33 V	80 ohmios
PBR941	0.2500	RFQ	175	Semiconductorores nxp	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			360MW	To-236ab	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Información de Alcance Disponible A Pedido	2832-PBR941TR	EAR99	8541.21.0075	2,000			16dB																		10V	50mera				NPN		100 @ 5 MMA, 6V	9 GHz	1.5db ~ 2.1db @ 1ghz ~ 2ghz
BC848W, 135	-	RFQ	2141	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323			200 MW	Sot-323	-				2156-BC848W, 135			1																					30 V	100 mA	15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	110 @ 2mA, 5V	100MHz
TDZ13J, 115	-	RFQ	3114	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, TDZXJ	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F	TDZ13		500 MW	Sod-323f	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-TDZ13J, 115-954			1															1.1 V @ 100 Ma		100 na @ 8 V							13 V	10 ohmios
BZX79-C5V6,113	0.0200	RFQ	233	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C5V6,113-954			1															900 MV @ 10 Ma		1 µA @ 2 V							5.6 V	40 ohmios
BF570,215	0.0500	RFQ	55	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BF570,215-954			1																					15 V	100 mA	400NA (ICBO)			NPN	-	40 @ 10mA, 1V	490MHz
BZV55-C3V6,115	0.0200	RFQ	132	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C3V6,115-954			1															900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V							3.6 V	90 ohmios
PMEG3020CEP, 115	0.0900	RFQ	386	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOD-128		Schottky		SOD-128/CFP5	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMEG3020CEP, 115-954	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													30 V	420 MV @ 2 A		1.5 Ma @ 30 V	150 ° C (Máximo)	2a	170pf @ 1V, 1 MHz
BZX79-C39,143	0.0200	RFQ	150	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C39,143-954			1															900 MV @ 10 Ma		50 na @ 27.3 V							39 V	130 ohmios
BC846BMB, 315	0.0200	RFQ	6853	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC846BMB, 315-954			12,885
BZV85-C27,113	0.0400	RFQ	184	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C27,113-954			1															1 V @ 50 Ma		50 na @ 19 V							27 V	40 ohmios
BZV55-C24,115	0.0200	RFQ	173	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C24,115-954			1															900 MV @ 10 Ma		50 na @ 700 mv							24 V	70 ohmios
PSMN9R5-100PS, 127	1.0700	RFQ	42	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado	2156-PSMN9R5-100PS, 127-954	EAR99	8541.29.0075	280
PMEG045V050EPDZ	0.1700	RFQ	9	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN		Schottky		CFP15	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMEG045V050EPDZ-954	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													45 V	490 MV @ 5 A	19 ns	300 µA @ 45 V	175 ° C (Máximo)	5A	580pf @ 1V, 1 MHz
PMSS3906,115	0.0200	RFQ	387	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323			200 MW	Sot-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMSS3906,115-954			1																					40 V	100 mA	50NA (ICBO)			PNP	400mv @ 5 Ma, 50 Ma	100 @ 10mA, 1V	150MHz
BC858B, 215	0.0200	RFQ	734	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC858B, 215-954			1																					30 V	100 mA	15NA (ICBO)			PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	220 @ 2mA, 5V	100MHz
1PS70SB40,115	0.0300	RFQ	779	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323		Schottky		Sot-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-1PS70SB40,115-954			10,051	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad													40 V	1 V @ 40 Ma		10 µA @ 40 V	150 ° C (Máximo)	120 Ma	5PF @ 0V, 1MHz
PZU6.8B2L, 315	-	RFQ	5372	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882	PZU6.8		250 MW	DFN1006-2	descascar						0000.00.0000	1															1.1 V @ 100 Ma		500 na @ 3.5 V							6.8 V	20 ohmios
PBSS5112PAP, 115	0.1400	RFQ	34	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS5112PAP, 115-954			2,166
BCW32,215	0.0200	RFQ	204	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BCW32,215-954			1																					32 V	100 mA	100NA (ICBO)			NPN	210 MV @ 2.5mA, 50 Ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
BZX79-C10,113	0.0200	RFQ	345	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C10,113-954			1															900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V							10 V	20 ohmios
BZX79-C13,113	0.0200	RFQ	205	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C13,113-954			1															900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V							13 V	30 ohmios
BUK9614-60E, 118	-	RFQ	1845	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BUK9614-60E, 118-954			1		N-canal		60 V	56a (TC)	5V	12.8mohm @ 15a, 10v	2.1V @ 1MA	20.5 NC @ 5 V	± 10V	2651 pf @ 25 V	-	96W (TC)
BUK9275-100A, 118	1.0000	RFQ	9408	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BUK9275-100A, 118-954			1		N-canal		100 V	21.7a (TC)	4.5V, 10V	72mohm @ 10a, 10v	2v @ 1 mapa		± 10V	1690 pf @ 25 V	-	88W (TC)
PZU3.9B2A, 115	0.0200	RFQ	76	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			320 MW	Sod-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU3.9B2A, 115-954			1															1.1 V @ 100 Ma		3 µA @ 1 V							3.9 V	90 ohmios
BZV55-B30,115	0.0200	RFQ	243	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-B30,115-954		0000.00.0000	1															900 MV @ 10 Ma		50 na @ 700 mv							30 V	80 ohmios
BZX84-C30,215	0.0200	RFQ	50	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-C30,215-954			1															900 MV @ 10 Ma		50 na @ 21 V							30 V	80 ohmios
BZX79-C56,143	0.0200	RFQ	367	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C56,143-954			1															900 MV @ 10 Ma		50 na @ 39.2 V							56 V	200 ohmios
PDTA144VU, 115	0.0200	RFQ	117	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PDTA144VU, 115-954			1