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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | BZX84-A3V3,215 | 0.1100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-A3V3,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B4V3,215 | 0.0200 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-B4V3,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PD2150,115 | 0.0800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2 W | Sot-89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-2PD2150,115-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 V | 3 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 2a | 180 @ 100mA, 2V | 220MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ22J, 115 | 0.0300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | TDZ22 | 500 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-TDZ22J, 115-954 | 10,414 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C2V4,115 | 0.0200 | ![]() | 147 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-C2V4,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 85 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C11,115 | 0.0200 | ![]() | 284 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C11,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143ZT, 215 | 0.0200 | ![]() | 177 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTA143ZT, 215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS4002Y, 115 | 0.0700 | ![]() | 95 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PBLS4002 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PBLS4002Y, 115-954 | 4.873 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C4V3,315 | 0.0300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX884-C4V3,315-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBTA14,215 | 0.0400 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMBTA14,215-954 | 7,378 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM6501VNE/S500Z | 0.1900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PMCM6501VNE/S500Z-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521S30,115 | - | ![]() | 6894 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Schottky | Sod-523 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-RB521S30,115-954 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 500 MV @ 200 Ma | 30 µA @ 10 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | 25pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99W, 115 | - | ![]() | 2469 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, BAV99 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAV99 | Estándar | Sot-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BAV99W, 115-954 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 100 V | 150 mA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB16,115 | 0.0400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PEMB16,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C6V2,115 | 0.1600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV90-C6V2,115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A6V8,215 | 0.1000 | ![]() | 4414 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-A6V8,215-954 | 2.785 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT610035NKX | 1.0000 | ![]() | 5556 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PHPT610035 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PHPT610035NKX-954 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDPB95XNE2X | 0.0900 | ![]() | 8729 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PMDPB95 | - | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PMDPB95XNE2X-954 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C2V4,115 | 0.0200 | ![]() | 5308 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C2V4,115-954 | 10,000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C22,133 | 0.0300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C22,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 15.5 V | 22 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C8V2,133 | 0.0300 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C8V2,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B16,215 | 0.0200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-B16,215-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLF1G0035-200P | - | ![]() | 2878 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-CLF1G0035-200P-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C33,315 | - | ![]() | 8749 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX884-C33,315-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C10,135 | 0.0200 | ![]() | 130 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C10,135-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC55-10PA, 115 | 1.0000 | ![]() | 5909 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Powerudfn | 650 MW | 3-Huson (2x2) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC55-10PA, 115-954 | 1 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX33B, 133 | 0.0200 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZX33B, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 120 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN4R3-80PS, 127 | 1.4600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN4R3-80PS, 127-954 | 207 | N-canal | 80 V | 120a (TC) | 10V | 4.3mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 111 NC @ 10 V | ± 20V | 8161 pf @ 40 V | - | 306W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C10,115 | 0.0200 | ![]() | 469 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C10,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ20B, 115 | 0.0200 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 400 MW | Sod-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDZ20B, 115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 15 V | 20 V | 20 ohmios |
Volumen de RFQ promedio diario
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