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Productos de semiconductoros discretos (1062)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
1PS74SB23,125	0.0900	RFQ	47	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-74, SOT-457		Schottky		6-TSOP	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-1PS74SB23,125-954			1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												25 V	450 MV @ 1 A		1 ma @ 25 V	125 ° C (Máximo)	1A	100pf @ 4V, 1 MHz
PUMD14,115	-	RFQ	4001	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PUMD14,115-954			1
BZX84-C33,215	0.0200	RFQ	295	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-C33,215-954			1														900 MV @ 10 Ma		50 na @ 23.1 V							33 V	80 ohmios
BZX79-B5V1,143	0.0200	RFQ	185	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-B5V1,143-954			1														900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V							5.1 V	60 ohmios
BLF888BS, 112	218.8600	RFQ	25	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		Alcanzar sin afectado	2156-Blf888bs, 112-954	EAR99	8541.29.0075	1
BAS101,215	-	RFQ	9960	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Estándar		To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-Bas101,215-954			1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												300 V	1.1 V @ 100 Ma	50 ns	150 na @ 250 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	2pf @ 0V, 1 MHz
BZV90-C3V0,115	0.1500	RFQ	2	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			1.5 W	SOT-223	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV90-C3V0,115-954	EAR99	8541.10.0050	1														1 V @ 50 Ma		10 µA @ 1 V							3 V	95 ohmios
BZV55-C3V0,135	0.0200	RFQ	50	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C3V0,135-954			1														900 MV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V							3 V	95 ohmios
BZX84J-B20,115	0.0300	RFQ	12	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			550 MW	Sod-323f	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84J-B20,115-954			1														1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 14 V							20 V	20 ohmios
BZV55-C56,115	0.0200	RFQ	37	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C56,115-954	EAR99	8541.10.0050	1														900 MV @ 10 Ma		50 na @ 39.2 V							56 V	200 ohmios
BAT17,215	0.0700	RFQ	32	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-bat17,215-954		0000.00.0000	1
PDTA143XU, 115	0.0200	RFQ	742	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PDTA143XU, 115-954			1
BZX79-C6V8,113	0.0200	RFQ	300	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C6V8,113-954			1														900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 4 V							6.8 V	15 ohmios
PDTC114TT, 215	0.0200	RFQ	570	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		Alcanzar sin afectado	2156-PDTC114TT, 215-954			1
BZV85-C47,113	0.0300	RFQ	109	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.3 W	Do-41	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C47,113-954			1														1 V @ 50 Ma		50 na @ 33 V							47 V	100 ohmios
Pumb2,115	0.0200	RFQ	77	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					Pumb2				descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-Pumb2,115-954			1
BZV85-C6V8,133	0.0300	RFQ	5093	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.3 W	Do-41	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C6V8,133-954			3,375														1 V @ 50 Ma		2 µA @ 4 V							6.8 V	3.5 ohmios
PMBT3906,235	0.0200	RFQ	157	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT3906		250 MW	To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMBT3906,235-954			1																				40 V	200 MA	50NA (ICBO)			PNP	400mv @ 5 Ma, 50 Ma	100 @ 10mA, 1V	250MHz
BCP56-16HX	-	RFQ	3505	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				SOT-223	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BCP56-16HX-954		8541.29.0075	1																				80 V	1 A	100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 2V	100MHz
BZX79-C75,113	0.0200	RFQ	708	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C75,113-954			1														900 MV @ 10 Ma		50 na @ 700 mv							75 V	255 ohmios
BAS40-04,235	0.0200	RFQ	1041	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					BAS40				-	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BAS40-04,235-954			10,000
PBSS5320D, 115	0.0600	RFQ	23	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457			750 MW	6-TSOP	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS5320D, 115-954			1																				20 V	3 A	100NA (ICBO)			PNP	400mv @ 300mA, 3A	150 @ 2a, 2v	100MHz
PSMN035-150B, 118	-	RFQ	3385	Semiconductorores nxp	Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PSMN035-150B, 118-954	EAR99	8541.29.0095	1		N-canal	150 V	50A (TC)	10V	35mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	79 NC @ 10 V	± 20V	4720 pf @ 25 V	-	250W (TC)
PUMF12,115	0.0300	RFQ	122	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PUMF12,115-954			1
BZV55-C22,115	0.0200	RFQ	145	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C22,115-954			1														900 MV @ 10 Ma		50 na @ 15.4 V							22 V	55 ohmios
BC857BW/ZL115	0.0200	RFQ	114	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					BC857				descascar	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BC857BW/ZL115-954			1
PMV130ENEAR	-	RFQ	5510	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)		To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMV130ENEAR-954	EAR99	8541.29.0095	1		N-canal	40 V	2.1a (TA)	4.5V, 10V	120mohm @ 1.5a, 10v	2.5V @ 250 µA	3.6 NC @ 10 V	± 20V	170 pf @ 20 V	-	460MW (TA), 5W (TC)
BZX84-C24,215	0.0200	RFQ	469	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-C24,215-954			1														900 MV @ 10 Ma		50 na @ 16.8 V							24 V	70 ohmios
BCV63,215	0.0800	RFQ	18	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BCV63,215-954			1
BZV85-C13,133	0.0300	RFQ	123	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.3 W	Do-41	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C13,133-954			1														1 V @ 50 Ma		200 na @ 9.1 V							13 V	10 ohmios