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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Número de Scr, diodos | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
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![]() | BZT52H-B4V3,115 | 0.0200 | ![]() | 73 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-B4V3,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV49-C3V0,115 | 0.1700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | To-243AA | 1 W | Sot-89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV49-C3V0,115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C7V5,115 | - | ![]() | 8437 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOT-663 | BZB984-C7V5 | 265 MW | SOT-663 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 6 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5263blt1g | - | ![]() | 9111 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MMBZ5263BLT1G-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B3V6,133 | 0.0200 | ![]() | 88 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B3V6,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdtc114et215 | 0.0200 | ![]() | 235 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACTT6B-800E, 118 | - | ![]() | 1824 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Actt6 | D2pak | descascar | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Soltero | 25 Ma | Lógica - Puerta sensible | 800 V | 6 A | 1.5 V | 51a, 56a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZ425N12KOFHPSA1 | 146.9300 | ![]() | 9819 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Soltero | - | 2156-TZ425N12KOFHPSA1 | 2 | 300 mA | 1.2 kV | 800 A | 1.5 V | 14500A @ 50Hz | 250 Ma | 510 A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-05W, 115 | 0.0300 | ![]() | 294 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | BAS40 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BAS40-05W, 115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX10C, 133 | - | ![]() | 2866 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Nzx | Una granela | Activo | ± 2% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-NZX10C, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R1-30PL, 127 | - | ![]() | 9567 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2156-PSMN1R1-30PL, 127-954 | 1 | N-canal | 30 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 1.3mohm @ 25A, 10V | 2.2V @ 1MA | 243 NC @ 10 V | ± 20V | 14850 pf @ 15 V | - | 338W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C12,115 | - | ![]() | 4745 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZB984-C12,115-954 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHN203,518 | 0.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PHN203,518-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP5201Y, 135 | 1.0000 | ![]() | 9027 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PMP5201 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMP5201Y, 135-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP42CTU-F129 | - | ![]() | 6126 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | - | 2156-tip42ctu-f129 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN3R5-80PS, 127 | - | ![]() | 5319 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 80 V | 120a (TC) | 10V | 3.5mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 139 NC @ 10 V | ± 20V | 9961 pf @ 40 V | - | 338W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114TMB315 | 0.0300 | ![]() | 276 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW89,215 | 0.0200 | ![]() | 142 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW89 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BCW89,215-954 | 1 | 60 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 150mv @ 2.5mA, 50 mA | 120 @ 2mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857AW, 115 | 0.0200 | ![]() | 279 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | Sot-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC857AW, 115-954 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BW/ZLF | 0.0200 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC846BW/ZLF-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXP3875Y, 215 | - | ![]() | 6198 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc52pasx | - | ![]() | 7926 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC52PASX-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR41,115 | 0.1900 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 1.35 W | Sot-89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BSR41,115-954 | 1 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 maja, 5v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC53-16PASX | - | ![]() | 3565 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 420 MW | DFN2020D-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC53-16PASX-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN27XPE115 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PMN27XPE115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857A, 215 | 0.0200 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC857A, 215-954 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Phpt60410pyx | 0.2100 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | 1.3 W | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PHPT60410PYX-954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.550 | 40 V | 10 A | 100na | PNP | 800mv @ 500 Ma, 10a | 240 @ 500mA, 2V | 97MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC859B, 215 | 0.0200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BC859B, 215-954 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144WU, 115 | 0.0200 | ![]() | 162 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDTA144WU, 115-954 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA114EMB, 315 | - | ![]() | 6345 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | PDTA114 | 250 MW | DFN1006B-3 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 180 MHz | 10 kohms | 10 kohms |
Volumen de RFQ promedio diario
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