SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
PZU22B2,115 NXP Semiconductors PZU22B2,115 0.0300
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 310 MW Sod-323f descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PZU22B2,115-954 1 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 17 V 22 V 25 ohmios
1N4742A,113 NXP Semiconductors 1N4742A, 113 -
RFQ
ECAD 1206 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-1N4742A, 113-954 1
PMCM6501VPE/S500Z NXP Semiconductors PMCM6501VPE/S500Z 0.1900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-PMCM6501VPE/S500Z-954 1
BUK662R5-30C,118 NXP Semiconductors Buk662r5-30c, 118 0.5200
RFQ
ECAD 927 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-BUK662R5-30C, 118-954 1 N-canal 30 V 100A (TC) 10V 2.8mohm @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 114 NC @ 10 V ± 16V 6960 pf @ 25 V - 204W (TC)
PSMN2R0-60PS,127 NXP Semiconductors PSMN2R0-60PS, 127 1.0000
RFQ
ECAD 5598 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 PSMN2R0 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado 2156-PSMN2R0-60PS, 127-954 1 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.2mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 137 NC @ 10 V ± 20V 9997 pf @ 30 V - 338W (TC)
PZU24B1,115 NXP Semiconductors PZU24B1,115 0.0300
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 310 MW Sod-323f descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PZU24B1,115-954 1 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 19 V 24 V 30 ohmios
PZU11B3,115 NXP Semiconductors PZU11B3,115 0.0300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 310 MW Sod-323f descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PZU11B3,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 Ma 100 na @ 8 V 11 V 10 ohmios
PZU20B2,115 NXP Semiconductors PZU20B2,115 0.0300
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 310 MW Sod-323f descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PZU20B2,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 15 V 20 V 20 ohmios
BF820,235 NXP Semiconductors BF820,235 -
RFQ
ECAD 3735 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BF820,235-954 EAR99 8541.21.0095 1 300 V 50 Ma 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 mm, 30 mA 50 @ 25 mm, 20V 60MHz
BSP100,135 NXP Semiconductors BSP100,135 0.2000
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Semiconductorores nxp Trenchmos ™ Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-BSP100,135-954 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 3.2a (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.2a, 10V 2.8V @ 1MA 6 NC @ 10 V ± 20V 250 pf @ 20 V - 8.3W (TC)
BZX84-A20,215 NXP Semiconductors BZX84-A20,215 0.1000
RFQ
ECAD 127 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX84-A20,215-954 EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 14 V 20 V 55 ohmios
BZT52H-B22,115 NXP Semiconductors BZT52H-B22,115 -
RFQ
ECAD 7615 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Montaje en superficie SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZT52H-B22,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 15.4 V 22 V 25 ohmios
BZB84-C15,215 NXP Semiconductors BZB84-C15,215 1.0000
RFQ
ECAD 6356 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW To-236ab descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZB84-C15,215-954 EAR99 8541.10.0050 1 1 par Ánodo Común 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
BZV85-C62,113 NXP Semiconductors BZV85-C62,113 0.0400
RFQ
ECAD 55 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.3 W Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZV85-C62,113-954 1 1 V @ 50 Ma 50 na @ 43 V 62 V 175 ohmios
BZX585-C24,115 NXP Semiconductors BZX585-C24,115 0.0300
RFQ
ECAD 251 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 300 MW Sod-523 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX585-C24,115-954 10,764 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 16.8 V 24 V 70 ohmios
PZU9.1BL,315 NXP Semiconductors PZU9.1bl, 315 0.0300
RFQ
ECAD 92 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie Sod-882 250 MW DFN1006-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-Pzu9.1bl, 315-954 1 1.1 V @ 100 Ma 500 na @ 6 V 9.1 V 10 ohmios
BAT54VV,115 NXP Semiconductors BAT54VV, 115 -
RFQ
ECAD 5705 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo BAT54 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-bat54vv, 115-954 1
PDTA113ZU,115 NXP Semiconductors Pdta113zu, 115 0.0200
RFQ
ECAD 240 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PDTA113ZU, 115-954 1
BAS32L,135 NXP Semiconductors BAS32L, 135 0.0200
RFQ
ECAD 635 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Estándar Llds; Mínimo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BAS32L, 135-954 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V 200 ° C (Max) 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
BZX79-C4V7,113 NXP Semiconductors BZX79-C4V7,113 0.0200
RFQ
ECAD 262 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX79-C4V7,113-954 1
TDZ8V2J,115 NXP Semiconductors TDZ8V2J, 115 0.0300
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotive, AEC-Q101, TDZXJ Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F TDZ8V2 500 MW Sod-323f descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-TDZ8V2J, 115-954 10,414 1.1 V @ 100 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 10 ohmios
BC807,215 NXP Semiconductors BC807,215 0.0200
RFQ
ECAD 497 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BC807,215-954 1 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 80MHz
PMXB56ENZ NXP Semiconductors PMXB56ENZ 1.0000
RFQ
ECAD 7694 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 3-xdfn Mosfet (Óxido de metal) DFN1010D-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PMXB56ENZ-954 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 3.2a (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 3.2a, 10v 2V @ 250 µA 6.3 NC @ 10 V ± 20V 209 pf @ 15 V - 400MW (TA), 8.33W (TC)
PMEG045V050EPDAZ NXP Semiconductors PMEG045V050EPDAZ 0.1600
RFQ
ECAD 895 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Schottky CFP15 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PMEG045V050EPDAZ-954 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 490 MV @ 5 A 12 ns 300 µA @ 45 V 175 ° C (Máximo) 5A 580pf @ 1V, 1 MHz
BC56-10PA,115 NXP Semiconductors BC56-10PA, 115 0.0600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Powerudfn 420 MW 3-Huson (2x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BC56-10PA, 115-954 1 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 180MHz
PMEG4005EGWJ NXP Semiconductors PMEG4005EGWJ -
RFQ
ECAD 1938 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie SOD-123 Schottky SOD-123 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PMEG4005EGWJ-954 EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 470 MV @ 500 Ma 100 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 500mA 43pf @ 1v, 1 MHz
1PS66SB17,115 NXP Semiconductors 1PS66SB17,115 1.0000
RFQ
ECAD 1033 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo 1PS66 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-1PS66SB17,115-954 1
BZX84J-B16,115 NXP Semiconductors BZX84J-B16,115 0.0300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 550 MW Sod-323f descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX84J-B16,115-954 10,051 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 11.2 V 16 V 20 ohmios
PMMT591A,215 NXP Semiconductors PMMT591A, 215 0.0400
RFQ
ECAD 4937 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PMMT591A, 215-954 EAR99 8541.21.0075 3.740 40 V 1 A 100na PNP 500mv @ 100 mm, 1a 300 @ 100mA, 5V 150MHz
BAS16,215 NXP Semiconductors BAS16,215 -
RFQ
ECAD 3763 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotive, AEC-Q101, BAS16 Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 Estándar To-236ab descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-Bas16,215-954 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 215 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock