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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | Fds6690s | 0.9600 | ![]() | 427 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 10a, 10v | 3V @ 1MA | 16 NC @ 5 V | ± 20V | 1233 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4010R | 0.0200 | ![]() | 9922 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY401 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 12,000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 200 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRG3060-F085 | - | ![]() | 5121 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Estándar | To-247-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.1 V @ 30 A | 45 ns | 250 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP55N06 | 1.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 55A (TC) | 10V | 20mohm @ 27.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 25V | 1690 pf @ 25 V | - | 133W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD5690 | 1.0000 | ![]() | 9120 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 6V, 10V | 27mohm @ 9a, 10v | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1110 pf @ 25 V | - | 3.2W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V6 | - | ![]() | 6163 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX84C5V6-600039 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1707S-A | - | ![]() | 6191 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-71 | 1 W | 3-NMP | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-2SA1707S-AN-600039 | 1 | 50 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 700mv @ 100 mm, 2a | 140 @ 100mA, 2V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C15TR5K | - | ![]() | 4286 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX85C15TR5K-600039 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 10.5 V | 15 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mjd47tf | - | ![]() | 8521 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.56 W | TO-252-3 (DPAK) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MJD47TF-600039 | 1 | 250 V | 1 A | 200 µA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300mA, 10V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5233b | - | ![]() | 2732 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | Sot-23-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MMBZ5233B-600039 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD20N03SM9A | - | ![]() | 5837 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252-3 (DPAK) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-RFD20N03SM9A-600039 | 1 | N-canal | 30 V | 20A (TC) | 10V | 25mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 75 NC @ 20 V | ± 20V | 1150 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG20N60B3 | - | ![]() | 9298 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 165 W | To-247 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-HGTG20N60B3-600039 | 1 | - | - | 600 V | 40 A | 160 A | 2V @ 15V, 20a | - | 135 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C18-T50A | - | ![]() | 2203 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX85C18-T50A-600039 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 12.5 V | 17.95 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1619T-TD-E | - | ![]() | 1178 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-2SD1619T-TD-E-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75639S3 | - | ![]() | 3715 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-HUF75639S3-600039 | 1 | N-canal | 100 V | 56a (TC) | 10V | 25mohm @ 56a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 20 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFSH2065A | - | ![]() | 9891 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-FFSH2065A-600039 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.75 V @ 20 A | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 25A | 1085pf @ 1V, 100kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tip30ctu | - | ![]() | 6298 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 2 W | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-tip30ctu-600039 | 1 | 100 V | 1 A | 300 µA | PNP | 700mv @ 125ma, 1a | 40 @ 200Ma, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N483B | 6.0900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N483 | Estándar | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 54 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1 V @ 100 Ma | 25 na @ 60 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337-25 | - | ![]() | 9755 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 800 Ma | 100na | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bcw66g | - | ![]() | 7087 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 45 V | 1 A | 20NA | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sfu9220tu | 0.3600 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 200 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 540 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSH17 | 0.0600 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MPSH17 | 350MW | Un 92-3 | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 24db | 15V | - | NPN | 25 @ 5 mm, 10v | 800MHz | 6dB @ 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5550-FS | 0.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 9,113 | 140 V | 600 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 250 MV a 5 mm, 50 Ma | 60 @ 10mA, 5V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH40T65SH | - | ![]() | 7262 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdb6035al | 1.4600 | ![]() | 172 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 48a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 24a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 1250 pf @ 15 V | - | 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2756rmtf | 0.0200 | ![]() | 7282 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 150MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.740 | 15dB ~ 23dB | 20V | 30mera | NPN | 60 @ 5 mm, 10v | 850MHz | 6.5dB @ 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA7534444P3_NL | 1.0000 | ![]() | 1029 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 8mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 20 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 285W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS3703 | 0.0400 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 800 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 250 MV a 5 mm, 50 Ma | 30 @ 50mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdy3000nz | - | ![]() | 7920 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Fdy3000 | Mosfet (Óxido de metal) | 446MW | SOT-563F | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 600mA | 700mohm @ 600mA, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 1.1NC @ 4.5V | 60pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB560 | 1.0000 | ![]() | 2718 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 500 MW | Sot-23-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 60 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 350mv @ 200MA, 2a | 100 @ 500mA, 2V | 75MHz |
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