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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
MMBT2369A Fairchild Semiconductor Mmbt2369a -
RFQ
 ECAD 3975 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2369 225 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 15 V 200 MA 400NA (ICBO) NPN 500mv @ 10 Ma, 100 Ma 40 @ 10mA, 1V -
MMBT918 Fairchild Semiconductor MMBT918 -
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT918 225MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 15dB 15V 50mera NPN 20 @ 3mA, 1V 600MHz 6dB @ 60MHz
BC560CTA Fairchild Semiconductor BC560CTA 1.0000
RFQ
 ECAD 1751 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC560 500 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 150MHz
HUFA75852G3-F085 Fairchild Semiconductor HUFA75852G3-F085 3.1200
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 150 V 75A (TC) 10V 16mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 480 NC @ 20 V ± 20V 7690 pf @ 25 V - 500W (TC)
MMBT3906SL Fairchild Semiconductor Mmbt3906sl 0.0300
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-923F 227 MW SOT-923F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 8,000 40 V 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
1N916A Fairchild Semiconductor 1N916A 1.0000
RFQ
 ECAD 1634 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N916 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 20 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
KA33VTA Fairchild Semiconductor Ka33vta 0.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 6% -20 ° C ~ 75 ° C A Través del Aguetero To-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) KA33 200 MW TO-92-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 33 V 25 ohmios
BD435STU Fairchild Semiconductor Bd435stu -
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 36 W A-126-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 32 V 4 A 100 µA NPN 500mv @ 200MA, 2a 50 @ 2a, 1v 3MHz
FNF51060TD1 Fairchild Semiconductor FNF51060TD1 8.0900
RFQ
 ECAD 766 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 55 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 20 Potencias (1.220 ", 31.00 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 1 Inversor de 3 fase 10 A 600 V 1500 VRMS
MMBZ5234B Fairchild Semiconductor Mmbz5234b -
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 4 V 6.2 V 7 ohmios
KSA614Y Fairchild Semiconductor KSA614Y -
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSA614 25 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 55 V 3 A 50 µA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 120 @ 500 mA, 5V -
FDB12N50FTM Fairchild Semiconductor Fdb12n50ftm 0.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDB12N - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
MMBFJ310 Fairchild Semiconductor MMBFJ310 -
RFQ
 ECAD 1654 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 25 V TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbfj3 450MHz Jfet Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 N-canal 60mera 10 Ma - 12dB 3DB 10 V
MMBFJ177 Fairchild Semiconductor Mmbfj177 -
RFQ
 ECAD 7221 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbfj1 225 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 Canal P - 30 V 1.5 Ma @ 15 V 800 MV @ 10 na 300 ohmios
BSR15 Fairchild Semiconductor BSR15 -
RFQ
 ECAD 1370 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSR15 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 40 V 800 Ma 20NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
BD677AS Fairchild Semiconductor Bd677as -
RFQ
 ECAD 6526 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD677 40 W A-126-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 60 V 4 A 500 µA NPN - Darlington 2.8V @ 40 mm, 2a 750 @ 2a, 3V -
FDLL914 Fairchild Semiconductor FDLL914 0.0300
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Estándar Sod-80 descascar EAR99 8542.39.0001 11,539 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
1N5226B Fairchild Semiconductor 1N5226B 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0050 10,486 1.5 V @ 200 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
1N5245BTR Fairchild Semiconductor 1N5245BTR -
RFQ
 ECAD 9370 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 11 V 15 V 16 ohmios
DF01M Fairchild Semiconductor Df01m 0.2600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm) Estándar DFM descascar EAR99 8541.10.0080 1.151 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
FDBL86563-F085 Fairchild Semiconductor FDBL86563-F085 -
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN Mosfet (Óxido de metal) 8 HPSOF descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 60 V 240a (TC) 10V 1.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 169 NC @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 30 V - 357W (TJ)
FFH60UP40S3 Fairchild Semiconductor FFH60UP40S3 1.0000
RFQ
 ECAD 9759 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar To-247 descascar EAR99 8542.39.0001 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 60 A 85 ns 100 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 60A -
BAT54CWT1G Fairchild Semiconductor BAT54CWT1G -
RFQ
 ECAD 7445 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky SC-70-3 (SOT323) descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 30 V 200MA (DC) 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C
FDH038AN08A1 Fairchild Semiconductor FDH038AN08A1 6.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8542.39.0001 51 N-canal 75 V 22a (TA), 80a (TC) 6V, 10V 3.8mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 8665 pf @ 25 V - 450W (TC)
FDPF6N60ZUT Fairchild Semiconductor Fdpf6n60zut 0.6800
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 450 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 2ohm @ 2.25a, 10v 5V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 865 pf @ 25 V - 33.8W (TC)
FDS3692 Fairchild Semiconductor FDS3692 1.0000
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 100 V 4.5a (TA) 6V, 10V 60mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 746 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
EGP20G Fairchild Semiconductor EGP20G 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar EAR99 8541.10.0080 1.158 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
EGP20D Fairchild Semiconductor EGP20D 1.0000
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 2A 70pf @ 4V, 1MHz
SS28 Fairchild Semiconductor SS28 -
RFQ
 ECAD 9924 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 850 MV @ 2 A 400 µA @ 80 V -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
RHRP30120 Fairchild Semiconductor RRP30120 -
RFQ
 ECAD 9134 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 3.2 V @ 30 A 85 ns 250 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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