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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
EGF1D Fairchild Semiconductor EGF1D 1.0000
RFQ
 ECAD 9952 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
DFB2510 Fairchild Semiconductor DFB2510 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P DFB25 Estándar TS-6P descascar EAR99 8541.10.0080 199 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 100 V 25 A Fase única 100 V
FQPF8N80CYDTU Fairchild Semiconductor Fqpf8n80cydtu 1.2100
RFQ
 ECAD 417 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados Mosfet (Óxido de metal) TO20F-3 (Formación y) descascar EAR99 8542.39.0001 249 N-canal 800 V 8a (TC) 10V 1.55ohm @ 4a, 10v 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 2050 pf @ 25 V - 59W (TC)
FDB016N04AL7 Fairchild Semiconductor Fdb016n04al7 -
RFQ
 ECAD 3084 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) FDB016 Mosfet (Óxido de metal) Un 263-7 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 40 V 160A (TC) 10V 1.6mohm @ 80a, 10v 3V @ 250 µA 167 NC @ 10 V ± 20V 11600 pf @ 25 V - 283W (TC)
MBR3035PT Fairchild Semiconductor MBR3035PT -
RFQ
 ECAD 9503 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Schottky Un 3p descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 30A 760 MV @ 30 A 1 ma @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C
BZX79C16 Fairchild Semiconductor BZX79C16 0.0200
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
1N916B Fairchild Semiconductor 1N916B 0.0300
RFQ
 ECAD 259 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0070 11,539 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 20 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
FDH047AN08A0 Fairchild Semiconductor FDH047An08A0 1.0000
RFQ
 ECAD 9498 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 75 V 15A (TC) 6V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 138 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 25 V - 310W (TC)
FQA19N60 Fairchild Semiconductor FQA19N60 -
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 18.5A (TC) 10V 380mohm @ 9.3a, 10V 5V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 300W (TC)
FDMD8900 Fairchild Semiconductor FDMD8900 0.9900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 12-POWERWDFN FDMD89 Mosfet (Óxido de metal) 2.1w 12-Power3.3x5 descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Canal N (Dual) 30V 19a, 17a 4mohm @ 19a, 10v 2.5V @ 250 µA 35nc @ 10V 2605pf @ 15V -
MM3Z62VC Fairchild Semiconductor Mm3z62vc 0.0300
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 200 MW Sod-323f descascar EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 Ma 45 na @ 43.4 V 62 V 202 ohmios
MUR460FFG Fairchild Semiconductor Mur460ffg 1.0000
RFQ
 ECAD 4059 0.00000000 Semiconductor de fairchild Switchmode ™ Una granela Activo A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL Estándar Axial descascar EAR99 8542.39.0001 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.28 v @ 4 a 75 ns 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 4A -
FQN1N60CTA Fairchild Semiconductor Fqn1n60cta 0.1900
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 300 mA (TC) 10V 11.5ohm @ 150mA, 10V 4V @ 250 µA 6.2 NC @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 1W (TA), 3W (TC)
HUF76629D3STR4885 Fairchild Semiconductor HUF76629D3STR4885 0.3400
RFQ
 ECAD 6775 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8541.29.0095 225 N-canal 100 V 20A (TC) 4.5V, 10V 52mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 16V 1285 pf @ 25 V - 150W (TJ)
EGP20B Fairchild Semiconductor EGP20B 0.2400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar EAR99 8541.10.0080 1.348 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 2 A 50 ns 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 2A 70pf @ 4V, 1MHz
FJL4315OTU Fairchild Semiconductor Fjl4315otu 2.5900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA 150 W HPM F2 descascar EAR99 8542.39.0001 126 250 V 17 A 5 µA (ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 30MHz
BSS138L Fairchild Semiconductor BSS138L -
RFQ
 ECAD 1985 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 50 V 200MA (TA) 2.75V, 5V 3.5ohm @ 200 MMA, 5V 1.5V @ 1MA 2.4 NC @ 10 V ± 20V 50 pf @ 25 V - 350MW (TA)
FCH104N60 Fairchild Semiconductor FCH104N60 1.0000
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH104 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 37a (TC) 10V 104mohm @ 18.5a, 10V 3.5V @ 250 µA 82 NC @ 10 V ± 20V 4165 pf @ 380 V - 357W (TC)
FCP099N60E Fairchild Semiconductor FCP099N60E -
RFQ
 ECAD 4506 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 37a (TC) 10V 99mohm @ 18.5a, 10v 3.5V @ 250 µA 114 NC @ 10 V ± 20V 3465 pf @ 380 V - 357W (TC)
BZX85C12 Fairchild Semiconductor BZX85C12 0.0300
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar EAR99 8541.10.0050 10,230 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 8.4 V 12 V 9 ohmios
FCPF380N60 Fairchild Semiconductor FCPF380N60 1.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8541.29.0095 204 N-canal 600 V 10.2a (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10v 3.5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 1665 pf @ 25 V - 31W (TC)
FDB86102LZ Fairchild Semiconductor Fdb86102lz 0.8700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 345 N-canal 100 V 8.3a (TA), 30a (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 8.3a, 10v 3V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1275 pf @ 50 V - 3.1W (TA)
FDB9409-F085 Fairchild Semiconductor FDB9409-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 2313 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 2980 pf @ 25 V - 94W (TJ)
BSS138K Fairchild Semiconductor BSS138K -
RFQ
 ECAD 2650 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 50 V 220 Ma (TA) 1.8V, 2.5V 1.6ohm @ 50 mm, 5v 1.2V @ 250 µA 2.4 NC @ 10 V ± 12V 58 pf @ 25 V - 350MW (TA)
FCH125N60E Fairchild Semiconductor FCH125N60E 1.0000
RFQ
 ECAD 7379 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 125mohm @ 14.5a, 10v 3.5V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2990 pf @ 380 V - 278W (TC)
1N5400G Fairchild Semiconductor 1N5400G -
RFQ
 ECAD 1476 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5400 Estándar Do-201ad descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 980 MV @ 3 A 500 na @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
FDN304P Fairchild Semiconductor FDN304P -
RFQ
 ECAD 6522 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 0000.00.0000 1 Canal P 20 V 2.4a (TA) 1.8V, 4.5V 52mohm @ 2.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 20 NC @ 4.5 V ± 8V 1312 pf @ 10 V - 500MW (TA)
1N4148WS Fairchild Semiconductor 1N4148WS -
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 1N4148 Estándar Sod-323 descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 4 ns -55 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
1N458A Fairchild Semiconductor 1N458A 2.0000
RFQ
 ECAD 292 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0070 8,535 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 150 V 1 V @ 100 Ma 25 µA @ 125 V 175 ° C (Máximo) 500mA -
1N4748ATR Fairchild Semiconductor 1N4748ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar EAR99 8541.10.0050 1 5 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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