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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
HUFA76629D3S Fairchild Semiconductor HUFA76629D3S 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 100 V 20A (TC) 4.5V, 10V 52mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 16V 1285 pf @ 25 V - 110W (TC)
NZT6726 Fairchild Semiconductor NZT6726 -
RFQ
 ECAD 7167 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 30 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 50 @ 1a, 1v -
MBR3045STG Fairchild Semiconductor MBR3045STG 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Switchmode ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR3045 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 620 MV @ 15 A 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C
HUF76423D3S Fairchild Semiconductor HUF76423D3S 0.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 16V 1060 pf @ 25 V - 85W (TC)
2N5210TF Fairchild Semiconductor 2N5210TF 0.0200
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 700mv @ 1 MMA, 10 Ma 200 @ 100 µA, 5V 30MHz
NDS335N Fairchild Semiconductor NDS335N 0.1800
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 1.7a (TA) 2.7V, 4.5V 110mohm @ 1.7a, 4.5V 1V @ 250 µA 9 NC @ 4.5 V 8V 240 pf @ 10 V - 500MW (TA)
KSD1273QYDTU Fairchild Semiconductor Ksd1273qydtu 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados 2 W TO20F-3 (Formación y) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 50 60 V 3 A 100 µA NPN 1V @ 50MA, 2A 500 @ 500 Ma, 4V 30MHz
FQP4N90 Fairchild Semiconductor FQP4N90 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 189 N-canal 900 V 4.2a (TC) 10V 3.3ohm @ 2.1a, 10V 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 140W (TC)
SGW5N60RUFDTM Fairchild Semiconductor Sgw5n60rufdtm 0.8500
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sgw5n Estándar 60 W D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 291 300V, 5A, 40OHM, 15V 55 ns - 600 V 8 A 15 A 2.8V @ 15V, 5A 88 µJ (Encendido), 107 µJ (apaguado) 16 NC 13ns/34ns
ISL9N303AS3 Fairchild Semiconductor ISL9N303As3 2.7100
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 75a, 10V 3V @ 250 µA 172 NC @ 10 V ± 20V 7000 pf @ 15 V - 215W (TC)
FLZ7V5C Fairchild Semiconductor FLZ7V5C 0.0200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 2.500 1.2 v @ 200 ma 300 na @ 4 V 7.5 V 6.6 ohmios
FDD6696 Fairchild Semiconductor FDD6696 0.4600
RFQ
 ECAD 217 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 13A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 24 NC @ 5 V ± 16V 1715 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
FJNS4206RTA Fairchild Semiconductor Fjns4206rta 0.0200
RFQ
 ECAD 9676 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS42 300 MW Un Los 92 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2.998 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
FQI17N08LTU Fairchild Semiconductor Fqi17n08ltu 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 16.5a (TC) 5V, 10V 100mohm @ 8.25a, 10V 2V @ 250 µA 11.5 NC @ 5 V ± 20V 520 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 65W (TC)
BZX79C7V5 Fairchild Semiconductor BZX79C7V5 0.0200
RFQ
 ECAD 405 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 100 Ma 1 µA @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
2N4124TF Fairchild Semiconductor 2N4124TF 0.0200
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,318 25 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 120 @ 2mA, 1V 300MHz
2N7000BU Fairchild Semiconductor 2N7000BU -
RFQ
 ECAD 9862 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 200MA (TC) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 400MW (TA)
MPSA65 Fairchild Semiconductor MPSA65 0.0400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 7,942 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 100MHz
MPSW01 Fairchild Semiconductor MPSW01 0.1200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 1 W TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 1.500 30 V 1 A - NPN 500mv @ 100 mm, 1a 50 @ 1a, 1v 50MHz
FFPF20U40STU Fairchild Semiconductor FFPF20U40STU 1.5000
RFQ
 ECAD 272 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar TO20F-2L descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.4 V @ 20 A 50 ns 50 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 20A -
FLZ39VC Fairchild Semiconductor Flz39vc 1.0000
RFQ
 ECAD 3777 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 2.500 1.2 v @ 200 ma 133 na @ 30 V 36.9 V 72 ohmios
MPSA56RA Fairchild Semiconductor MPSA56RA -
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 80 V 500 mA 100na PNP 200 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
KSD363R Fairchild Semiconductor KSD363R 0.5300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 40 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.200 120 V 6 A 1MA (ICBO) NPN 1v @ 100 mapa, 1a 40 @ 1a, 5v 10MHz
HUF75831SK8T Fairchild Semiconductor HUF75831SK8T 0.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 3a (TA) 10V 95mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 80 NC @ 20 V ± 20V 1175 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
2SA1507T Fairchild Semiconductor 2SA1507T 0.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.5 W Un 225-3 descascar No Aplicable EAR99 8541.29.0075 200 160 V 1.5 A 1 µA (ICBO) PNP 450mv @ 50 mA, 500 mA 200 @ 100 mapa, 5v 120MHz
FSBM20SL60 Fairchild Semiconductor FSBM20SL60 21.6000
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 48 3 fase 20 A 600 V 2500 VRMS
KSB907TU Fairchild Semiconductor Ksb907tu -
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 15 W I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,347 40 V 3 A 20 µA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 4MA, 2A 1000 @ 3a, 2v -
FGA70N30TDTU Fairchild Semiconductor FGA70N30TDTU 1.7600
RFQ
 ECAD 660 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 201 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 - 21 ns Zanja 300 V 160 A 1.5V @ 15V, 20a - 125 NC -
FQA12N60 Fairchild Semiconductor FQA12N60 1.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 700mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 30V 1900 pf @ 25 V - 240W (TC)
MPSA05 Fairchild Semiconductor MPSA05 -
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,203 60 V 500 mA 100na NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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