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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
SI6467DQ Fairchild Semiconductor SI6467DQ -
RFQ
 ECAD 4638 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 1 Canal P 20 V 9.2a (TA) 1.8V, 4.5V 12mohm @ 9.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 96 NC @ 4.5 V ± 8V 5878 pf @ 10 V - 600MW (TA)
SI6463DQ Fairchild Semiconductor SI6463DQ 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 20 V 8.8a (TA) 2.5V, 4.5V 12.5mohm @ 8.8a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 66 NC @ 4.5 V ± 12V 5045 pf @ 10 V - 600MW (TA)
RF3S49092SM9A Fairchild Semiconductor RF3S49092SM9A 2.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-6, d²pak (5 cables + Pestaña), TO-263BA RF3S49092 Mosfet (Óxido de metal) 50W (TC) Un 263-5 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Vecino del canal 12V 20A (TC), 10a (TC) 60mohm @ 20a, 5v, 140mohm @ 10a, 5V 1V @ 250 µA 25nc @ 10V, 24nc @ 10V 750pf @ 10V, 775pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
HGT1S7N60C3D Fairchild Semiconductor HGT1S7N60C3D 0.9800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Estándar 60 W I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 - 25 ns - 600 V 14 A 56 A 2V @ 15V, 7a - 38 NC -
HGT1S14N36G3VLT_NL Fairchild Semiconductor HGT1S14N36G3VLT_NL -
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Lógica 100 W I2pak (TO-262) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 124 300V, 7a, 28ohm, 5V - 390 V 18 A 2.2V @ 5V, 14A - 24 NC -/7 µs
HUF76132S3S Fairchild Semiconductor HUF76132S3S 0.9800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 1650 pf @ 25 V - 120W (TC)
HUF76121S3S Fairchild Semiconductor HUF76121S3S 0.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 47a (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 47a, 10v 3V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 850 pf @ 25 V - 75W (TC)
HUF76432S3ST Fairchild Semiconductor HUF76432S3ST 0.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 59A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 59a, 10v 3V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 16V 1765 pf @ 25 V - 130W (TC)
HGTG20N60B3_NL Fairchild Semiconductor HGTG20N60B3_NL 1.5900
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 165 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 22 - - 600 V 40 A 160 A 2V @ 15V, 20a - 135 NC -
FDD6670A_NL Fairchild Semiconductor FDD6670A_NL 0.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 15A (TA), 66A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 22 NC @ 5 V ± 20V 1755 pf @ 15 V - 1.3W (TA), 63W (TC)
FDD6035AL Fairchild Semiconductor Fdd6035al 0.4800
RFQ
 ECAD 207 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 12A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1230 pf @ 15 V - 1.5W (TA), 56W (TC)
FDD6692 Fairchild Semiconductor FDD6692 0.5500
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 54a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 25 NC @ 5 V ± 16V 2164 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
FQP9N25 Fairchild Semiconductor FQP9N25 0.4600
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 250 V 9.4a (TC) 10V 420mohm @ 4.7a, 10V 5V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 90W (TC)
FQP3N50C Fairchild Semiconductor FQP3N50C 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 740 N-canal 500 V 3A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 365 pf @ 25 V - 62W (TC)
FDS6670S Fairchild Semiconductor FDS6670S 0.9600
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 13.5a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 13.5a, 10v 3V @ 1MA 34 NC @ 5 V ± 20V 2674 pf @ 15 V - 1W (TA)
BC846A Fairchild Semiconductor BC846A 0.0700
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Semiconductor de fairchild Sot-23 Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW Sot-23 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 100MHz
FQI17P10TU Fairchild Semiconductor Fqi17p10tu 0.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Qfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 100 V 16.5a (TC) 10V 190mohm @ 8.25a, 10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 100W (TC)
FDU6680A Fairchild Semiconductor FDU6680A 0.8700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 14a (TA), 56A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1425 pf @ 15 V - 1.3W (TA), 60W (TC)
BC848A Fairchild Semiconductor BC848A 0.0800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild Sot-23 Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW Sot-23 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 100MHz
FSBM15SM60A Fairchild Semiconductor FSBM15SM60A 19.8200
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 48 3 fase 15 A 600 V 2500 VRMS
FDS2570 Fairchild Semiconductor FDS2570 -
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 2.500 N-canal 150 V 4A (TA) 6V, 10V 72mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 1907 pf @ 75 V - 1W (TA)
FDMW2512NZ Fairchild Semiconductor FDMW2512NZ 0.2400
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-WFDFN Pad, FDMW2512 Mosfet (Óxido de metal) 800MW (TA) 6-MLP (2x5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 7.2a (TA) 26mohm @ 7.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 13NC @ 10V 740pf @ 15V -
FQB6N90TM Fairchild Semiconductor Fqb6n90tm 1.0000
RFQ
 ECAD 1315 0.00000000 Semiconductor de fairchild Qfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 900 V 5.8a (TC) 10V 1.9ohm @ 2.9a, 10v 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1880 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 167W (TC)
FQP10N20L Fairchild Semiconductor FQP10N20L 1.0000
RFQ
 ECAD 9277 0.00000000 Semiconductor de fairchild Qfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 10a (TC) 5V, 10V 360mohm @ 5a, 10v 2V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 830 pf @ 25 V - 87W (TC)
FDS6692 Fairchild Semiconductor FDS6692 0.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 25 NC @ 5 V ± 16V 2164 pf @ 15 V - 1W (TA)
FDR836P Fairchild Semiconductor FDR836P 0.9000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-LSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -8 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 6.1a (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6.1a, 4.5V 1V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 8V 2200 pf @ 25 V - 900MW (TA)
SSR2N60BTF Fairchild Semiconductor SSR2N60BTF 0.1900
RFQ
 ECAD 196 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 1.8a (TC) 10V 5ohm @ 900 mA, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
SSR4N60BTM Fairchild Semiconductor Ssr4n60btm 1.0000
RFQ
 ECAD 6413 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 2.8a (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 30V 920 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 49W (TC)
SSS1N60B Fairchild Semiconductor SSS1N60B 0.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 1A (TJ) 10V 12ohm @ 500 mA, 10V 4V @ 250 µA 7.7 NC @ 10 V ± 30V 215 pf @ 25 V - 17W (TC)
SSR2N60B Fairchild Semiconductor SSR2N60B 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 1.8a (TC) 10V 5ohm @ 900 mA, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

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    Unidad de producto estándar

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