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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Figura de ruido | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Real - Promedio Rectificado (IO) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | BZX85C5V1TR5K | 0.0600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 2 V | 5.1 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4953 | 0.0400 | ![]() | 4728 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1.990 | 30 V | 1 A | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 15 mA, 150 mA | 200 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDR844P | 0.7000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | Supersot ™ -8 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 10a (TA) | 1.8V, 4.5V | 11mohm @ 10a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 74 NC @ 4.5 V | ± 8V | 4951 pf @ 10 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2369 | - | ![]() | 8245 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 350 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 535 | 15 V | 200 MA | 400NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma | 40 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5246 | 0.3000 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 30 V | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | Jfet | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 7 MMA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB10N20CTM | - | ![]() | 1549 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 9.5A (TC) | 10V | 360mohm @ 4.75a, 10V | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 510 pf @ 25 V | - | 72W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2258astu | 0.1200 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 4 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 60 | 300 V | 100 mA | - | NPN | 1.2V @ 5 mm, 50 Ma | 40 @ 40mA, 20V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH50N50 | 10.3700 | ![]() | 761 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 48a (TC) | 10V | 105mohm @ 24a, 10v | 5V @ 250 µA | 137 NC @ 10 V | ± 30V | 6460 pf @ 25 V | - | 625W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu4n50tu | 0.7000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.040 | N-canal | 500 V | 2.6a (TC) | 10V | 2.7ohm @ 1.3a, 10v | 5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 460 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ4693T1 | 0.0400 | ![]() | 4529 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 5.7 V | 7.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N50CTM | 0.5100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 625 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz18va | 0.0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 v @ 200 ma | 133 na @ 13 V | 16.7 V | 19.4 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N968BTR | 0.0400 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Flz10vb | 0.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1.2 v @ 200 ma | 110 na @ 7 V | 9.7 V | 6.6 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N960B | 1.8400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 7.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu6n25tu | 0.5500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1ohm @ 2.2a, 10v | 5V @ 250 µA | 8.5 NC @ 10 V | ± 30V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76429D3ST | 0.9200 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 16V | 1480 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST63MTF | - | ![]() | 1399 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2756ymtf | 0.0200 | ![]() | 6280 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 150MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,295 | 15dB ~ 23dB | 20V | 30mera | NPN | 120 @ 5mA, 10V | 850MHz | 6.5dB @ 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9410A | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 7.3a (TA) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 7.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 830 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc1845pta | 1.0000 | ![]() | 9449 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 120 V | 50 Ma | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 200 @ 1 MMA, 6V | 110MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FKPF2N80 | - | ![]() | 1594 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | Soltero | 10 Ma | Lógica - Puerta sensible | 800 V | 2 A | 1.5 V | 9a, 10a | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FLZ3V0A | - | ![]() | 1071 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 4% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.2 v @ 200 ma | 35 µA @ 1 V | 3 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76013P3 | 0.2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 20 V | 20A (TC) | 5V, 10V | 22mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 624 pf @ 20 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU8K | 0.5400 | ![]() | 7963 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 v @ 8 a | 10 µA @ 800 V | 8 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP8599CTA | 0.0200 | ![]() | 9617 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 80 V | 500 mA | 100na | PNP | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C30 | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 18,006 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76432S3ST | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 59A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 59a, 10v | 3V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 16V | 1765 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76413DK8T | 0.6400 | ![]() | 2206 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HUFA76413 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 5.1a | 49mohm @ 5.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 620pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fds7064n | 1.2700 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TA) | 4.5V | 7.5mohm @ 16A, 4.5V | 2V @ 250 µA | 48 NC @ 4.5 V | ± 12V | 3355 pf @ 15 V | - | 3W (TA) |
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