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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FSB50550T Fairchild Semiconductor FSB50550T 10.5600
RFQ
 ECAD 410 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 5 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.748 ", 19.00 mm) Mosfet FSB505 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 29 3 fase 1.8 A 500 V 1500 VRMS
FSBB20CH60SL Fairchild Semiconductor FSBB20CH60SL 17.8000
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Semiconductor de fairchild Movimiento-SPM® Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FSBB20 - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 3 fase 20 A 600 V 2500 VRMS
FJV4113RMTF Fairchild Semiconductor Fjv4113rmtf -
RFQ
 ECAD 4762 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FJV411 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
FSB70450F Fairchild Semiconductor FSB70450F 5.4300
RFQ
 ECAD 796 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 7 Una granela Activo Montaje en superficie Módulo 27-Powerlqfn Mosfet FSB704 - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1,000 Inversor de 3 fase 4.8 A 500 V 1500 VRMS
PN100TF Fairchild Semiconductor PN100TF 0.0500
RFQ
 ECAD 177 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 6.662
MMBT4403 Fairchild Semiconductor MMBT4403 -
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4403 250 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1 40 V 600 mA 100na PNP 750mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
MMBZ5226B Fairchild Semiconductor Mmbz5226b 0.0200
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 900 MV @ 10 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
FSB50450L Fairchild Semiconductor FSB50450L 5.1200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 5 Una granela Activo Mosfet - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 0000.00.0000 1 Inversor de 3 fase
BCW61BMTF Fairchild Semiconductor Bcw61bmtf 0.0200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCW61 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 32 V 100 mA 20NA PNP 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 140 @ 2mA, 5V -
2N5210BU Fairchild Semiconductor 2N5210BU -
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5210 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 50 V 100 mA 50NA NPN 700mv @ 1 MMA, 10 Ma 200 @ 100 µA, 5V 30MHz
FGPF50N33BTTU Fairchild Semiconductor FGPF50N33BTTU 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FGPF5 Estándar 43 W Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 - Zanja 330 V 50 A 160 A 1.5V @ 15V, 20a - 35 NC -
FCB20N60F Fairchild Semiconductor FCB20N60F -
RFQ
 ECAD 4081 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FCB20N - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 -
MJE2955TTU Fairchild Semiconductor Mje2955ttu -
RFQ
 ECAD 3619 0.00000000 Semiconductor de fairchild MJE2955T Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 600 MW Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 60 V 10 A 700 µA PNP 8V @ 3.3a, 10a 20 @ 4a, 4V 2MHz
FGD3440G2 Fairchild Semiconductor FGD3440G2 -
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fgd3 Lógica 166 W Un 252AA - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 300V, 6.5a, 1kohm, 5V - 400 V 26.9 A 1.2v @ 4V, 6a - 24 NC -/5.3 µs
FNB51060T1 Fairchild Semiconductor FNB51060T1 7.5500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 55 Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 20 Potencias (1.220 ", 31.00 mm) IGBT FNB51 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 13 Inversor de 3 fase 10 A 600 V 1500 VRMS
FPDB30PH60 Fairchild Semiconductor Fpdb30ph60 29.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild PFC SPM® 3 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FPDB30 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 2 fase 20 A 600 V 2500 VRMS
FDB7030BL Fairchild Semiconductor FDB7030BL 0.4600
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB703 Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2.500 N-canal 30 V 60A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 3V @ 250 µA 24 NC @ 5 V ± 20V 1760 pf @ 15 V - 60W (TC)
MBR1545CT Fairchild Semiconductor MBR1545CT 1.0000
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Schottky Un 220-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 840 MV @ 15 A 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
1N5261B Fairchild Semiconductor 1N5261B 1.8600
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 162 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 36 V 47 V 105 ohmios
BC848BMTF Fairchild Semiconductor Bc848bmtf 0.0200
RFQ
 ECAD 271 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
FJX945GTF Fairchild Semiconductor Fjx945gtf 0.0500
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 1 MMA, 6V 300MHz
MM5Z8V2 Fairchild Semiconductor MM5Z8V2 0.0200
RFQ
 ECAD 249 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z8 200 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
FQI27N25TU-F085 Fairchild Semiconductor FQI27N25TU-F085 2.0000
RFQ
 ECAD 640 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi2 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 250 V 25.5A (TC) 10V 110mohm @ 12.75a, 10v 5V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 417W (TC)
1N4730A Fairchild Semiconductor 1N4730A 0.0300
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 0.5% - A Través del Aguetero Axial 1N4730 1 W Do-41G descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 100 Ma 50 µA @ 1 V 3.9 V 9 ohmios
MM5Z6V8 Fairchild Semiconductor MM5Z6V8 1.0000
RFQ
 ECAD 6251 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z6 200 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 2 µA @ 4 V 6.8 V 15 ohmios
FFB2222A Fairchild Semiconductor FFB2222A 1.0000
RFQ
 ECAD 9966 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FFB22 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 40V 500mA 10NA (ICBO) 2 NPN (dual) 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
MBRS130L Fairchild Semiconductor MBRS130L -
RFQ
 ECAD 5833 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB MBRS130 Schottky SMB (DO-214AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 445 MV @ 2 A 1 ma @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 2a -
FDMS8560S Fairchild Semiconductor FDMS8560S -
RFQ
 ECAD 2883 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS85 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 3.000 N-canal 25 V 30A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 1MA 68 NC @ 10 V ± 12V 4350 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 65W (TC)
KSH45H11TM Fairchild Semiconductor Ksh45h11tm 0.3400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.75 W TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 500 80 V 8 A 10 µA PNP 1V @ 400 Ma, 8a 60 @ 2a, 1v 40MHz
D44H11TU Fairchild Semiconductor D44h11tu 1.0000
RFQ
 ECAD 1296 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 D44H 60 W Un 220-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 80 V 10 A 10 µA NPN 1V @ 400 Ma, 8a 40 @ 4a, 1v 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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