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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
KSH47TF Fairchild Semiconductor KSH47TF 1.0000
RFQ
 ECAD 5767 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 KSH47 1.56 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2,000 250 V 1 A 200 µA NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
FDG313N Fairchild Semiconductor FDG313N -
RFQ
 ECAD 4378 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FDG313 Mosfet (Óxido de metal) SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 10,000 N-canal 25 V 950 mA (TA) 2.7V, 4.5V 450mohm @ 500 mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 2.3 NC @ 4.5 V ± 8V 50 pf @ 10 V - 750MW (TA)
FDN5632N Fairchild Semiconductor FDN5632N -
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDN5632 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 -
1MD2 Fairchild Semiconductor 1md2 0.0200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 0000.00.0000 10,000
MMSZ5245 Fairchild Semiconductor MMSZ5245 0.0400
RFQ
 ECAD 7893 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 11 V 15 V 16 ohmios
1MD2_FDH3369C Fairchild Semiconductor 1MD2_FDH3369C 0.0200
RFQ
 ECAD 4131 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 0000.00.0000 9,992
MM5Z22V Fairchild Semiconductor MM5Z22V -
RFQ
 ECAD 6086 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523F MM5Z2 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 50 na @ 15.4 V 22 V 55 ohmios
MM5Z33V Fairchild Semiconductor Mm5z33v -
RFQ
 ECAD 6709 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 6.06% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 50 na @ 23.2 V 33 V 80 ohmios
SS16 Fairchild Semiconductor SS16 -
RFQ
 ECAD 8293 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS16 Schottky SMA (DO-214AC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.316 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 200 µA @ 60 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
SS22 Fairchild Semiconductor SS22 -
RFQ
 ECAD 5765 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C 2a -
FDG315N Fairchild Semiconductor FDG315N 0.2600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FDG315 Mosfet (Óxido de metal) SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 N-canal 30 V 2a (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 2a, 10v 3V @ 250 µA 4 NC @ 5 V ± 20V 220 pf @ 15 V - 750MW (TA)
FDS4488 Fairchild Semiconductor FDS4488 0.5000
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 2.500 N-canal 30 V 7.9a (TA) 4.5V, 10V 22mohm @ 7.9a, 10V 3V @ 250 µA 13 NC @ 5 V ± 25V 927 pf @ 15 V - 1W (TA)
FDS6921A Fairchild Semiconductor FDS6921A 1.0000
RFQ
 ECAD 9156 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 2.500
FQP3N50CTF Fairchild Semiconductor Fqp3n50ctf 0.3700
RFQ
 ECAD 1431 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo Fqp3n - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 724 -
MBR2050CT Fairchild Semiconductor MBR2050CT 0.5900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2050 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V - 800 MV @ 10 A 1 ma @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C
MJD31CTF-FS Fairchild Semiconductor MJD31CTF-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 5695 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD31 1.56 W TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2,000 100 V 3 A 50 µA NPN 1.2V @ 375MA, 3A 25 @ 1a, 4v 3MHz
HGTG20N60B3-FS Fairchild Semiconductor HGTG20N60B3-FS 3.5900
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 165 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 - - 600 V 40 A 160 A 2V @ 15V, 20a - 135 NC -
MMSZ5254B-FS Fairchild Semiconductor MMSZ5254B-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000
MMBTH11-FS Fairchild Semiconductor Mmbth11-fs -
RFQ
 ECAD 6667 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 225MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 - 25V 50mera NPN 60 @ 4MA, 10V 650MHz -
FDMC8884-FS Fairchild Semiconductor FDMC8884-FS -
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 N-canal 30 V 9a (TA), 15a (TC) 19mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 685 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 18W (TC)
BZX85C4V3-FS Fairchild Semiconductor BZX85C4V3-FS 1.0000
RFQ
 ECAD 2792 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 13 ohmios
1N4730A-T50A-FS Fairchild Semiconductor 1N4730A-T50A-FS 0.0300
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 50 µA @ 1 V 3.9 V 9 ohmios
KSC815YTA Fairchild Semiconductor Ksc815yta 0.0300
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 400 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 45 V 200 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 120 @ 50mA, 1V 200MHz
KSH122TM Fairchild Semiconductor Ksh122tm -
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 KSH12 1.75 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 699 100 V 8 A 10 µA NPN - Darlington 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4a, 4V -
KSH210TF Fairchild Semiconductor KSH210TF 0.2800
RFQ
 ECAD 513 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.4 W TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2,000 25 V 5 A 100NA (ICBO) PNP 1.8v @ 1a, 5a 70 @ 500mA, 1V 65MHz
MMSZ5234B Fairchild Semiconductor MMSZ5234B 0.0200
RFQ
 ECAD 426 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5234 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 4 V 6.2 V 7 ohmios
4N361 Fairchild Semiconductor 4N361 -
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1
MM5Z6V2 Fairchild Semiconductor MM5Z6V2 1.0000
RFQ
 ECAD 1926 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z6 200 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
KSH127TM Fairchild Semiconductor Ksh127tm 1.0000
RFQ
 ECAD 4312 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 KSH12 1.75 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2.500 100 V 8 A 10 µA PNP - Darlington 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4a, 4V -
KSE45H8TU Fairchild Semiconductor Kse45h8tu 0.2500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSE45 1.67 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 60 V 10 A 10 µA PNP 1V @ 400 Ma, 8a 60 @ 2a, 1v 40MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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