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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
HUF75639G3 Fairchild Semiconductor HUF75639G3 1.0000
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
BC546BTA Fairchild Semiconductor BC546BTA -
RFQ
 ECAD 4256 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar 0000.00.0000 1 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
MM3Z51VC Fairchild Semiconductor Mm3z51vc 0.0300
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 200 MW Sod-323f descascar EAR99 8541.10.0050 9,779 1 V @ 10 Ma 45 na @ 35.7 V 51 V 169 ohmios
BZX79C2V4 Fairchild Semiconductor BZX79C2V4 0.0300
RFQ
 ECAD 379 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0050 11,539 1.5 V @ 100 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
1N5236BTR Fairchild Semiconductor 1N5236BTR 0.0200
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 6 V 7.5 V 6 ohmios
1N5233B.TA Fairchild Semiconductor 1N5233B.TA 0.0200
RFQ
 ECAD 2087 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6 V 7 ohmios
GBPC35005 Fairchild Semiconductor GBPC35005 2.6000
RFQ
 ECAD 9172 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC Estándar GBPC descascar EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 50 V 35 A Fase única 50 V
FQP17P06 Fairchild Semiconductor Fqp17p06 -
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 60 V 17a (TC) 10V 120MOHM @ 8.5A, 10V 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 25V 900 pf @ 25 V - 79W (TC)
KSA992FTA Fairchild Semiconductor KSA992TA 0.0500
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 2,000 120 V 50 Ma 1 µA PNP 300mv @ 1 mapa, 10 ma 300 @ 1 Mapa, 6V 100MHz
FGH40T120SMD Fairchild Semiconductor FGH40T120SMD -
RFQ
 ECAD 9903 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 555 W To-247 descascar 0000.00.0000 1 600V, 40A, 10ohm, 15V 65 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 80 A 160 A 2.4V @ 15V, 40A 2.7MJ (Encendido), 1.1mj (apaguado) 370 NC 40ns/475ns
FQU8P10TU Fairchild Semiconductor Fqu8p10tu 0.4000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar EAR99 8542.39.0001 745 Canal P 100 V 6.6a (TC) 10V 530mohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 470 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 44W (TC)
RURP1560-F085 Fairchild Semiconductor RURP1560-F085 1.0000
RFQ
 ECAD 1525 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Rurp1560 Estándar Un 220-2 descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 V @ 15 A 70 ns 100 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A -
FDD6030L Fairchild Semiconductor FDD6030L 0.8900
RFQ
 ECAD 637 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 339 N-canal 30 V 12A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 28 NC @ 5 V ± 20V 1230 pf @ 15 V - 3.2W (TA), 56W (TC)
S3M Fairchild Semiconductor S3M 0.1300
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3M Estándar SMC (DO-214AB) descascar EAR99 8541.10.0080 2.412 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 5 µA @ 1 V -50 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N914 Fairchild Semiconductor 1N914 0.0300
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar Do-35 descascar EAR99 8541.10.0070 11,539 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
FQP5N60C Fairchild Semiconductor FQP5N60C 0.7200
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 417 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 100W (TC)
FDMS7660 Fairchild Semiconductor FDMS7660 0.8900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8541.29.0095 337 N-canal 30 V 25A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25A, 10V 3V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 5565 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
FQPF20N06 Fairchild Semiconductor FQPF20N06 0.5900
RFQ
 ECAD 5013 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar EAR99 8542.39.0001 175 N-canal 60 V 15A (TC) 10V 60mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 590 pf @ 25 V - 30W (TC)
FQA13N50CF Fairchild Semiconductor FQA13N50CF 1.0000
RFQ
 ECAD 8834 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 15A (TC) 10V 480mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 218W (TC)
FSB50660SFS Fairchild Semiconductor FSB50660SFS -
RFQ
 ECAD 5766 0.00000000 Semiconductor de fairchild Move SPM® 5 Superfet® Una granela Activo Montaje en superficie Módulo de 23-Powersmd, Ala de la Gaviota Mosfet descascar EAR99 8542.39.0001 1 3 fase 3.1 A 600 V 1500 VRMS
FQB27P06TM Fairchild Semiconductor Fqb27p06tm -
RFQ
 ECAD 5292 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB27 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 60 V 27a (TC) 10V 70mohm @ 13.5a, 10v 4V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 25V 1400 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 120W (TC)
FDS6679AZ Fairchild Semiconductor Fds6679az 1.0000
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 30 V 13a (TA) 4.5V, 10V 9.3mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 96 NC @ 10 V ± 25V 3845 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
MMBZ5232B Fairchild Semiconductor MMBZ5232B 0.0200
RFQ
 ECAD 8809 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar EAR99 8541.10.0050 14,852 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 3 V 5.6 V 11 ohmios
FSV330AF Fairchild Semiconductor FSV330AF 0.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AD, SMAF Schottky DO-214AD (SMAF) descascar EAR99 8542.39.0001 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 3 A 12.5 ns 100 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 485pf @ 0V, 1MHz
FQP12N60C Fairchild Semiconductor FQP12N60C 1.8100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 166 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 30V 2290 pf @ 25 V - 225W (TC)
FQA70N15 Fairchild Semiconductor FQA70N15 -
RFQ
 ECAD 3024 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 150 V 70A (TC) 10V 28mohm @ 35a, 10V 4V @ 250 µA 175 NC @ 10 V ± 25V 5400 pf @ 25 V - 330W (TC)
FDB070AN06A0 Fairchild Semiconductor Fdb070an06a0 1.0000
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 60 V 15a (TA), 80a (TC) 10V 7mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 175W (TC)
KSC1008COTA Fairchild Semiconductor KSC1008COTA 0.0200
RFQ
 ECAD 5300 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mA, 500 mA 70 @ 50 mm, 2v 50MHz
1N4738A-T50R Fairchild Semiconductor 1N4738A-T50R 0.0500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 8.2 V 4.5 ohmios
FDP8440 Fairchild Semiconductor FDP8440 2.3200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 80a, 10v 3V @ 250 µA 450 NC @ 10 V ± 20V 24740 pf @ 25 V - 306W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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