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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
RFD16N05SM_NL Fairchild Semiconductor RFD16N05SM_NL -
RFQ
 ECAD 2706 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 387 N-canal 50 V 16a (TC) 10V 47mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 80 NC @ 20 V ± 20V 900 pf @ 25 V - 72W (TC)
HUFA75333G3 Fairchild Semiconductor HUFA7533333G3 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 55 V 66a (TC) 10V 16mohm @ 66a, 10V 4V @ 250 µA 85 NC @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
SFS9634 Fairchild Semiconductor SFS9634 0.3900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 250 V 3.4a (TC) 10V 1.30ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 30V 975 pf @ 25 V - 33W (TC)
ISL9N306AD3ST Fairchild Semiconductor Isl9n306ad3st 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 50a, 10v 3V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 20V 3400 pf @ 15 V - 125W (TA)
SFR2955TM Fairchild Semiconductor SFR2955TM 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 7.6a (TC) 10V 300mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 32W (TC)
RF1K49092 Fairchild Semiconductor RF1K49092 0.5200
RFQ
 ECAD 9021 0.00000000 Semiconductor de fairchild Littlefet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Rf1k4 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 3 Vecino del canal 12V 3.5a (TA), 2.5a (TA) 50mohm @ 3.5a, 5v, 130mohm @ 2.5a, 5V 2V @ 250 µA 25nc @ 10V, 24nc @ 10V 750pf @ 10V, 775pf @ 10V -
HUFA76443P3_NL Fairchild Semiconductor HUFA7644333P3_NL -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 237 N-canal 60 V 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 129 NC @ 10 V ± 16V 4115 pf @ 25 V - 260W (TC)
SFR9224TF Fairchild Semiconductor SFR9224TF 0.2800
RFQ
 ECAD 167 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 250 V 2.5A (TC) 10V 2.4ohm @ 1.3a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
SFU9230BTU Fairchild Semiconductor Sfu9230btu 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 200 V 5.4a (TC) 10V 800mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 49W (TC)
MPS6521D26Z Fairchild Semiconductor MPS6521D26Z 0.0500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPS6521 625 MW Un 92-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 2,000 25 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 500mV @ 5 mm, 50 Ma 300 @ 2mA, 10V -
SI6953DQ Fairchild Semiconductor SI6953DQ 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Si6953 Mosfet (Óxido de metal) 600MW (TA) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 1.9a (TA) 170mohm @ 1.9a, 10v 3V @ 250 µA 10nc @ 10V 218pf @ 10V -
RURD660S Fairchild Semiconductor Rurd660s 1.0000
RFQ
 ECAD 6699 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Avalancha TO-252, (D-Pak) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 V @ 6 A 60 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
ISL9N2357D3ST Fairchild Semiconductor Isl9n2357d3st 1.0200
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 35A (TC) 10V 7mohm @ 35a, 10v 4V @ 250 µA 258 NC @ 20 V ± 20V 5600 pf @ 25 V - 100W (TC)
SFW9520TM Fairchild Semiconductor SFW9520TM 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 100 V 6a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 550 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 49W (TC)
RFD16N05LSM_NL Fairchild Semiconductor RFD16N05LSM_NL -
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 50 V 16A 4V, 5V 47mohm @ 16A, 5V 2V @ 250 Ma 80 NC @ 10 V ± 10V - 60W
FDME0106NZT Fairchild Semiconductor Fdme0106nzt 0.1600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerufdfn Mosfet (Óxido de metal) Microfet 1.6x1.6 Delgado descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 5,000 N-canal 20 V 9a (TA) 1.8V, 4.5V 18mohm @ 9a, 4.5V 1V @ 250 µA 8.5 NC @ 4.5 V ± 12V 865 pf @ 10 V - 700MW (TA)
FDS3682_NL Fairchild Semiconductor Fds3682_nl 0.8300
RFQ
 ECAD 704 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 6a (TA) 6V, 10V 35mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
1N457A_NL Fairchild Semiconductor 1N457A_NL -
RFQ
 ECAD 6215 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Estándar Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 8,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1 V @ 10 Ma 25 na @ 60 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 6pf @ 0v, 1 MHz
FDS7766 Fairchild Semiconductor FDS7766 0.9400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 17a (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 69 NC @ 5 V ± 16V 4973 pf @ 15 V - 1W (TA)
1N4750A_NL Fairchild Semiconductor 1N4750A_NL 0.0500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 6.662 5 µA @ 20.6 V 27 V 35 ohmios
FDZ2552P Fairchild Semiconductor FDZ2552P 1.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 18 WFBGA FDZ25 Mosfet (Óxido de metal) 2.1W (TA) 18-BGA (2.5x4) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (dual) Drenaje Común 20V 5.5a (TA) 45mohm @ 5.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 13NC @ 4.5V 884pf @ 10V -
FDU6696 Fairchild Semiconductor FDU6696 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 13A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 24 NC @ 5 V ± 16V 1715 pf @ 15 V - 1.6W (TA), 52W (TC)
IRFR430BTM Fairchild Semiconductor Irfr430btm 0.2700
RFQ
 ECAD 264 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.75a, 10V 4V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1050 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
1N5235BTA Fairchild Semiconductor 1N5235BTA 0.0600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 4.8 V 6.8 V 5 ohmios
BC848A Fairchild Semiconductor BC848A 0.0800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild Sot-23 Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW Sot-23 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 100MHz
FSBM15SM60A Fairchild Semiconductor FSBM15SM60A 19.8200
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 48 3 fase 15 A 600 V 2500 VRMS
IRFM120A Fairchild Semiconductor IRFM120A -
RFQ
 ECAD 2953 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 89 N-canal 100 V 2.3a (TA) 10V 200mohm @ 1.15a, 10V 4V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 480 pf @ 25 V - 2.4W (TA)
FDS6986S Fairchild Semiconductor Fds6986s 0.5000
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS69 Mosfet (Óxido de metal) 900MW (TA) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6.5a, 7.9a 29mohm @ 6.5a, 10v, 20mohm @ 7.9a, 10v 3V @ 250 µA, 3V @ 1MA 9NC @ 5V, 16NC @ 5V 695pf @ 10V, 1233pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDMW2512NZ Fairchild Semiconductor FDMW2512NZ 0.2400
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-WFDFN Pad, FDMW2512 Mosfet (Óxido de metal) 800MW (TA) 6-MLP (2x5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 7.2a (TA) 26mohm @ 7.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 13NC @ 10V 740pf @ 15V -
FDS6692 Fairchild Semiconductor FDS6692 0.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 25 NC @ 5 V ± 16V 2164 pf @ 15 V - 1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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