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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
FQP10N20L Fairchild Semiconductor FQP10N20L 1.0000
RFQ
 ECAD 9277 0.00000000 Semiconductor de fairchild Qfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 10a (TC) 5V, 10V 360mohm @ 5a, 10v 2V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 830 pf @ 25 V - 87W (TC)
1N756A Fairchild Semiconductor 1N756A 1.9200
RFQ
 ECAD 141 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 8.2 V 8 ohmios
FQD5P20TM Fairchild Semiconductor Fqd5p20tm -
RFQ
 ECAD 1774 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 200 V 3.7a (TC) 1.4ohm @ 1.85a, 10V 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 430 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
MBRS340 Fairchild Semiconductor MBRS340 -
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky SMC (DO-214AB) descascar EAR99 8542.39.0001 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 525 MV @ 3 A 2 Ma @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 4A -
KSA1013YTA Fairchild Semiconductor Ksa1013yta -
RFQ
 ECAD 6121 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 900 MW Un 92-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-KSA1013YTA-600039 1 160 V 1 A 1 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 60 @ 200Ma, 5V 50MHz
EGP20J Fairchild Semiconductor EGP20J 0.2200
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar EAR99 8541.10.0080 1.385 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 2 a 75 ns 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
KST5179MTF Fairchild Semiconductor KST5179MTF 0.0200
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 15dB 12V 50mera NPN 25 @ 3mA, 1V 900MHz 4.5dB @ 200MHz
PN2222TF Fairchild Semiconductor Pn2222tf 0.0500
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 5.805 30 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10 MV 300MHz
MJE210STU-FS Fairchild Semiconductor Mje210stu-fs -
RFQ
 ECAD 5013 0.00000000 Semiconductor de fairchild MJE210 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 15 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 25 V 5 A 100NA (ICBO) PNP 1.8v @ 1a, 5a 70 @ 500mA, 1V 65MHz
BZX85C6V2-T50A Fairchild Semiconductor BZX85C6V2-T50A 0.0400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 6.45% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) - Vendedor indefinido Alcanzar Afectados 2156-BZX85C6V2-T50A-600039 1 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 3 V 6.2 V 4 ohmios
KSA812YMTF Fairchild Semiconductor KSA812MTF -
RFQ
 ECAD 7403 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 150 MW Sot-23-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-KSA812MTF-600039 1 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 135 @ 1 MMA, 6V 180MHz
FFP06U20DNTU Fairchild Semiconductor Ffp06u20dntu 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 6A 1.2 v @ 6 a 35 ns 6 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C
FEP16CTA Fairchild Semiconductor Fep16cta 0.6100
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 150 V 16A 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N4446 Fairchild Semiconductor 1N4446 0.0600
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0070 179 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 20 Ma 4 ns 25 na @ 20 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
HUFA76407D3 Fairchild Semiconductor HUFA76407D3 0.2300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 12a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
FQD24N08TF Fairchild Semiconductor Fqd24n08tf -
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 798 N-canal 80 V 19.6a (TC) 10V 60mohm @ 9.8a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 750 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
KSC1674CYTA Fairchild Semiconductor Ksc1674cyta 0.0200
RFQ
 ECAD 322 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 250MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 - 20V 20 Ma NPN 120 @ 1 MMA, 6V 600MHz 3DB ~ 5DB @ 100MHz
1N754A Fairchild Semiconductor 1N754A 1.9300
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 156 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 6.8 V 5 ohmios
RHRD460S9A Fairchild Semiconductor RRD460S9A 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Avalancha TO-252-3 (DPAK) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.1 v @ 4 a 35 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 4A -
BD241BTU Fairchild Semiconductor Bd241btu 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 40 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 80 V 3 A 300 µA NPN 1.2v @ 600 mA, 3a 25 @ 1a, 4v -
MMSZ5244B Fairchild Semiconductor MMSZ5244B -
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 622 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 10 V 14 V 15 ohmios
FDP5N60NZ Fairchild Semiconductor FDP5N60NZ 1.0000
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet-ii ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 2ohm @ 2.25a, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 25V 600 pf @ 25 V - 100W (TC)
FDMS8570S Fairchild Semiconductor FDMS8570S 0.5100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS85 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 3.000 N-canal 25 V 24a (TA), 60a (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 24a, 10v 2.2V @ 1MA 425 NC @ 10 V ± 12V 2825 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
NDS9933A Fairchild Semiconductor NDS9933A -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS993 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 930 2 Canal P (Dual) 20V 2.8a 140mohm @ 2.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 8.5nc @ 4.5V 405pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDP2552_NL Fairchild Semiconductor FDP2552_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 2939 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 150 V 5A (TA), 37A (TC) 10V 36mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 150W (TC)
BAX16TR Fairchild Semiconductor BAX16TR -
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Bax16 Estándar Do-35 descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 150 V 650 MV @ 1 MA 120 ns 100 na @ 150 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA -
SFR9210TF Fairchild Semiconductor SFR9210TF -
RFQ
 ECAD 7818 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 200 V 1.6a (TC) 10V 3ohm @ 800 mA, 10V 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 285 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 19W (TC)
BZX84C3V9 Fairchild Semiconductor BZX84C3V9 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo BZX84C3 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-BZX84C3V9-600039 EAR99 8541.10.0050 1
KSP44TF Fairchild Semiconductor Ksp44tf 1.0000
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar 0000.00.0000 1 400 V 300 mA 500NA NPN 750mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 10 mapa, 10v -
FDU6670AS Fairchild Semiconductor FDU6670As 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDU6670 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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