Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDS9431A | - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal P | 20 V | 3.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 130mohm @ 3.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 405 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM3Z3V9C | 1.0000 | ![]() | 5882 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 200 MW | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 Ma | 2.7 µA @ 1 V | 3.9 V | 84 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5228B | - | ![]() | 6434 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 24 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB350 | 0.1200 | ![]() | 1361 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | Schottky | DO-2010 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.954 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 680 MV @ 3 A | 500 µA @ 50 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRD460S9A | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Avalancha | TO-252-3 (DPAK) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.1 v @ 4 a | 35 ns | 100 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 4A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N754A | 1.9300 | ![]() | 129 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 156 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 6.8 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST5179MTF | 0.0200 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15dB | 12V | 50mera | NPN | 25 @ 3mA, 1V | 900MHz | 4.5dB @ 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX85C6V2-T50A | 0.0400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6.45% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | - | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-BZX85C6V2-T50A-600039 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pn2222tf | 0.0500 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 5.805 | 30 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10 MV | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP20J | 0.2200 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.385 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd5p20tm | - | ![]() | 1774 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 200 V | 3.7a (TC) | 1.4ohm @ 1.85a, 10V | 5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd24n08tf | - | ![]() | 5283 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 798 | N-canal | 80 V | 19.6a (TC) | 10V | 60mohm @ 9.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 750 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA812MTF | - | ![]() | 7403 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 150 MW | Sot-23-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-KSA812MTF-600039 | 1 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 135 @ 1 MMA, 6V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc1674cyta | 0.0200 | ![]() | 322 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 250MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | - | 20V | 20 Ma | NPN | 120 @ 1 MMA, 6V | 600MHz | 3DB ~ 5DB @ 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mje210stu-fs | - | ![]() | 5013 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | MJE210 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 15 W | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 25 V | 5 A | 100NA (ICBO) | PNP | 1.8v @ 1a, 5a | 70 @ 500mA, 1V | 65MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76407D3 | 0.2300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 92mohm @ 13a, 10v | 3V @ 250 µA | 11.3 NC @ 10 V | ± 16V | 350 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffp06u20dntu | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 6A | 1.2 v @ 6 a | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pn2222abu | - | ![]() | 4933 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 1 A | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSH31TF | 0.2300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.56 W | TO-252, (D-Pak) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-ksh31tf | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 3 A | 50 µA | NPN | 1.2V @ 375MA, 3A | 25 @ 1a, 4v | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Njvmjd122t4g-vf01 | - | ![]() | 2669 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.75 W | Dpak | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 100 V | 8 A | 10 µA | NPN - Darlington | 4V @ 8a, 80 Ma | 1000 @ 4a, 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJE171stu | - | ![]() | 3594 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1.5 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 60 | 60 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 1.7V @ 600mA, 3A | 50 @ 100 mapa, 1v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP13007H1TU | - | ![]() | 6327 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 80 W | Un 220-3 | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-FJP13007H1TU-600039 | 1 | 400 V | 8 A | - | NPN | 3V @ 2a, 8a | 15 @ 2a, 5v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD47TF-FS | 0.3400 | ![]() | 86 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MJD47 | 1.56 W | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 200 µA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300mA, 10V | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9013FBU | 0.0200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 15,000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 78 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc859bmtf | 0.0200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC859 | 310 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9012GBU | 0.0200 | ![]() | 318 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 64 @ 50 mm, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1699E-PM-AA | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-2SA1699E-PM-AA-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3640 | - | ![]() | 6693 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 225 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 12 V | 200 MA | 10NA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 30 @ 10 Mapa, 300mv | 500MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE182STU | - | ![]() | 7975 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1.5 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.745 | 80 V | 3 A | 100NA (ICBO) | NPN | 1.7V @ 600mA, 3A | 50 @ 100 mapa, 1v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST2222Amtf | - | ![]() | 3847 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock