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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FDB0170N607L Fairchild Semiconductor FDB0170N607L -
RFQ
 ECAD 3824 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Mosfet (Óxido de metal) Un 263-7 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 60 V 300A (TC) 10V 1.4mohm @ 39a, 10v 4V @ 250 µA 243 NC @ 10 V ± 20V 19250 pf @ 30 V - 3.8W (TA), 250W (TC)
FDMS015N04B Fairchild Semiconductor FDMS015N04B 1.0000
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 40 V 31.3a (TA), 100A (TC) 10V 1.5mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 118 NC @ 10 V ± 20V 8725 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 104W (TC)
GBU4K Fairchild Semiconductor Gbu4k 1.0000
RFQ
 ECAD 6366 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU4 Estándar Gbu descascar EAR99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 800 V 2.8 A Fase única 800 V
EFC4C002NLTDG Fairchild Semiconductor EFC4C002NLTDG -
RFQ
 ECAD 5939 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-XFBGA, WLCSP EFC4C002 Mosfet (Óxido de metal) 2.6w 8-WLCSP (6x2.5) descascar 0000.00.0000 1 2 canales (dual) Drenaje Común - - - 2.2V @ 1MA 45nc @ 4.5V 6200pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FDV305N Fairchild Semiconductor FDV305N -
RFQ
 ECAD 6963 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 20 V 900 mA (TA) 2.5V, 4.5V 220MOHM @ 900MA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1.5 NC @ 4.5 V ± 12V 109 pf @ 10 V - 350MW (TA)
FDY301NZ Fairchild Semiconductor Fdy301nz -
RFQ
 ECAD 6207 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-89, SOT-490 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523F descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 20 V 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 5ohm @ 200ma, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1.1 NC @ 4.5 V ± 12V 60 pf @ 10 V - 625MW (TA)
MMBF4392 Fairchild Semiconductor MMBF4392 -
RFQ
 ECAD 1075 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 14pf @ 20V 30 V 25 Ma @ 20 V 2 V @ 1 Na 60 ohmios
BZX79C39 Fairchild Semiconductor BZX79C39 0.0200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0050 15,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 27.3 V 39 V 130 ohmios
FDS8928A Fairchild Semiconductor FDS8928A 1.0000
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS89 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar EAR99 8541.21.0095 1 Vecino del canal 30V, 20V 5.5a, 4a 30mohm @ 5.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 28NC @ 4.5V 900pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQU5N40TU Fairchild Semiconductor Fqu5n40tu 0.5600
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar EAR99 8542.39.0001 535 N-canal 400 V 3.4a (TC) 10V 1.6ohm @ 1.7a, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
FDB110N15A Fairchild Semiconductor FDB110N15A 1.0000
RFQ
 ECAD 4610 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 150 V 92a (TC) 10V 11mohm @ 92a, 10v 4V @ 250 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 4510 pf @ 75 V - 234W (TC)
KSC1623GMTF Fairchild Semiconductor KSC1623GMTF 0.0200
RFQ
 ECAD 1558 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW Sot-23-3 descascar EAR99 8542.39.0001 3,311 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 1 MMA, 6V 250MHz
UF4006 Fairchild Semiconductor UF4006 0.0800
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF400 Estándar Do-41 descascar EAR99 8541.10.0080 3.643 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -50 ° C ~ 175 ° C 1A -
BC33716TA Fairchild Semiconductor Bc33716ta 0.0400
RFQ
 ECAD 532 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 8,103 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
FDP8880 Fairchild Semiconductor FDP8880 0.5200
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 573 N-canal 30 V 11a (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 11.6mohm @ 40a, 10v 2.5V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1240 pf @ 15 V - 55W (TC)
FJE3303H2TU Fairchild Semiconductor FJE3303H2TU 0.2500
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 20 W A-126-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1.212 400 V 1.5 A 10 µA (ICBO) NPN 3V @ 500mA, 1.5a 14 @ 500mA, 2V 4MHz
KSD471AYTA Fairchild Semiconductor Ksd471ayta -
RFQ
 ECAD 2204 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSD471 800 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 897 30 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 120 @ 100mA, 1V 130MHz
FFA60UP20DNTU Fairchild Semiconductor FFA60UP20DNTU 1.1600
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar Un 3pn descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 30A 1.15 V @ 30 A 40 ns 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C
FQPF17N40T Fairchild Semiconductor FQPF17N40T 1.8300
RFQ
 ECAD 642 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 400 V 9.5A (TC) 10V 270mohm @ 4.75a, 10V 5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 30V 2300 pf @ 25 V - 56W (TC)
1N4750ATR Fairchild Semiconductor 1N4750ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 338 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar EAR99 8541.10.0050 11,053 5 µA @ 20.6 V 27 V 35 ohmios
BC33716BU Fairchild Semiconductor Bc33716bu 0.0400
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 7,474 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
BZX79C12 Fairchild Semiconductor BZX79C12 0.0300
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0050 11,539 1.5 V @ 100 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
SS33 Fairchild Semiconductor Ss33 0.2200
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky SMC (DO-214AB) descascar EAR99 8541.10.0080 1.350 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
US2JA Fairchild Semiconductor US2JA 0.0900
RFQ
 ECAD 9771 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar EAR99 8541.10.0080 1.346 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1.5 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
FDP55N06 Fairchild Semiconductor FDP55N06 -
RFQ
 ECAD 6365 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 60 V 55A (TC) 10V 22mohm @ 27.5a, 10V 4V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 25V 1510 pf @ 25 V - 114W (TC)
FDD5N50TM Fairchild Semiconductor FDD5N50TM 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 640 pf @ 25 V - 40W (TC)
FDPF15N65 Fairchild Semiconductor FDPF15N65 -
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 440mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 30V 3095 pf @ 25 V - 38.5W (TC)
FCPF4300N80Z Fairchild Semiconductor FCPF4300N80Z 1.0600
RFQ
 ECAD 931 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 284 N-canal 800 V 1.6a (TC) 10V 4.3ohm @ 800 mA, 10V 4.5V @ 160 µA 8.8 NC @ 10 V ± 20V 355 pf @ 100 V - 19.2W (TC)
RGF1K Fairchild Semiconductor Rgf1k 0.1200
RFQ
 ECAD 6089 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA RGF1 Estándar SMA (DO-214AC) descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.5pf @ 4V, 1MHz
1N4754A Fairchild Semiconductor 1N4754A 0.0300
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 20 ° C A Través del Aguetero Axial 1 W Axial descascar EAR99 8541.10.0050 9,779 5 µA @ 29.7 V 39 V 60 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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