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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
EGP20G Fairchild Semiconductor EGP20G 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar EAR99 8541.10.0080 1.158 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 2a 45pf @ 4V, 1MHz
EGP20D Fairchild Semiconductor EGP20D 1.0000
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 2a 70pf @ 4V, 1MHz
1N916B Fairchild Semiconductor 1N916B 0.0300
RFQ
 ECAD 259 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0070 11,539 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 20 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
BZX79C16 Fairchild Semiconductor BZX79C16 0.0200
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
S3GB Fairchild Semiconductor S3GB -
RFQ
 ECAD 8955 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) descascar EAR99 8541.10.0080 622 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 18pf @ 0v, 1 MHz
KSP92BU Fairchild Semiconductor Ksp92bu 0.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0095 6.073 300 V 500 mA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 25 @ 30mA, 10V 50MHz
KSP55TA Fairchild Semiconductor Ksp55ta -
RFQ
 ECAD 9254 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 60 V 500 mA 100na PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 50 @ 100 mapa, 1v 50MHz
FQA65N20 Fairchild Semiconductor FQA65N20 -
RFQ
 ECAD 2980 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar 0000.00.0000 1 N-canal 200 V 65a (TC) 10V 32mohm @ 32.5a, 10V 5V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 30V 7900 pf @ 25 V - 310W (TC)
FSB50250AB Fairchild Semiconductor FSB50250AB 5.2300
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.644 ", 16.35 mm) Mosfet descascar EAR99 8542.39.0001 1 3 fase 1.2 A 500 V 1500 VRMS
FQB19N20CTM Fairchild Semiconductor FQB19N20CTM 1.0000
RFQ
 ECAD 3683 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 200 V 19a (TC) 10V 170mohm @ 9.5a, 10v 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1080 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 139W (TC)
HUF76633P3-F085 Fairchild Semiconductor HUF7663333P3-F085 0.9300
RFQ
 ECAD 2919 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 39A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 39a, 10v 3V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 16V 1820 pf @ 25 V - 145W (TC)
MBRP3045NTU Fairchild Semiconductor MBRP3045NTU 0.7000
RFQ
 ECAD 336 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Schottky Un 220-3 descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 650 MV @ 15 A 1 ma @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
1N4744ATR Fairchild Semiconductor 1N4744ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 1621 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar EAR99 8541.10.0050 6.867 5 µA @ 11.4 V 15 V 14 ohmios
FGA20S140P Fairchild Semiconductor FGA20S140P 1.4800
RFQ
 ECAD 425 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA20S140 Estándar 272 W Un 3pn descascar EAR99 8542.39.0001 204 - Parada de Campo de Trinchera 1400 V 40 A 60 A 2.4V @ 15V, 20a - 203.5 NC -
SGF23N60UFTU Fairchild Semiconductor Sgf23n60uftu 1.4200
RFQ
 ECAD 154 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO SGF23N60 Estándar 75 W Un 3pf descascar EAR99 8541.29.0095 1 300V, 12a, 23ohm, 15V - 600 V 23 a 92 A 2.6V @ 15V, 12A 115 µJ (Encendido), 135 µJ (apaguado) 17ns/60ns
KSC1008YBU Fairchild Semiconductor Ksc1008ybu 0.0600
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 5.323 60 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mA, 500 mA 120 @ 50mA, 2V 50MHz
FDD5680 Fairchild Semiconductor FDD5680 -
RFQ
 ECAD 1442 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 8.5A (TA) 6V, 10V 21mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 1835 pf @ 30 V - 2.8W (TA), 60W (TC)
MMBT5962 Fairchild Semiconductor Mmbt5962 -
RFQ
 ECAD 5656 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 - EAR99 8541.21.0095 1 45 V 100 mA 2NA (ICBO) NPN 200 MV A 500 µA, 10 Ma 600 @ 10mA, 5V -
MM3Z20VB Fairchild Semiconductor Mm3z20vb -
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 200 MW Sod-323f descascar EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 10 Ma 45 na @ 14 V 20 V 51 ohmios
MMBT2222AT Fairchild Semiconductor Mmbt2222at 1.0000
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-89, SOT-490 MMBT2222 250 MW SOT-523F descascar EAR99 8541.21.0075 1 40 V 600 mA - NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 1V 300MHz
MM5Z56V Fairchild Semiconductor Mm5z56v -
RFQ
 ECAD 3639 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 7% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 200 MW Sod-523f - 0000.00.0000 1 50 na @ 39.2 V 56 V 200 ohmios
PN2222TA Fairchild Semiconductor Pn2222ta -
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 30 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10 MV 300MHz
1N916 Fairchild Semiconductor 1N916 1.0000
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
1N914TR Fairchild Semiconductor 1N914TR 0.0300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar Do-35 descascar EAR99 8541.10.0070 11,539 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
FFD04H60S Fairchild Semiconductor FFD04H60S 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Estándar TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.1 v @ 4 a 60 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 4A -
FDA16N50-F109 Fairchild Semiconductor FDA16N50-F109 1.5600
RFQ
 ECAD 270 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar EAR99 8542.39.0001 270 N-canal 500 V 16.5a (TC) 10V 380mohm @ 8.3a, 10v 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1945 pf @ 25 V - 205W (TC)
DF10S Fairchild Semiconductor DF10S 0.2000
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar DF-S descascar EAR99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 1 V 1 A Fase única 1 kV
SS12FP Fairchild Semiconductor SS12FP 0.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie SOD-123H Schottky Sod-123he descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 1 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1 MHz
FFB2907A Fairchild Semiconductor FFB2907A 1.0000
RFQ
 ECAD 4248 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FFB2907 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar EAR99 8541.21.0095 1 60V 600mA 20NA (ICBO) 2 PNP (dual) 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 250MHz
1N458ATR Fairchild Semiconductor 1N458ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 278 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar EAR99 8541.10.0070 11,539 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 150 V 1 V @ 100 Ma 25 µA @ 125 V 175 ° C (Máximo) 500mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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