SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
FDT434P Fairchild Semiconductor FDT434P 1.0000
RFQ
ECAD 3191 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FDT43 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 4.000 Canal P 20 V 6a (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 6a, 4.5V 1V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 8V 1187 pf @ 10 V - 3W (TA)
FDPC1012S Fairchild Semiconductor FDPC1012S 0.4300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDPC1 Mosfet (Óxido de metal) 800MW (TA), 900MW (TA) PowerClip-33 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 428 2 Asimétrico del canal (dual) 25V 13a (TA), 35a (TC), 26a (TA), 88a (TC) 7mohm @ 12a, 4.5V, 2.2mohm @ 23a, 4.5V 2.2V @ 250 µA, 2.2V @ 1MA 8NC @ 4.5V, 25NC @ 4.5V 1075pf @ 13V, 3456pf @ 13V -
FDZ197PZ Fairchild Semiconductor FDZ197PZ 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-UFBGA, WLCSP FDZ19 Mosfet (Óxido de metal) 6-WLCSP (1.0x1.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 5,000 Canal P 20 V 3.8a (TA) 1.5V, 4.5V 64mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 25 NC @ 4.5 V ± 8V 1570 pf @ 10 V - 1.9W (TA)
FDI9406 Fairchild Semiconductor FDI9406 1.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDI940 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
FDMC0222 Fairchild Semiconductor FDMC0222 0.1400
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDMC02 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 -
MMSZ5246B Fairchild Semiconductor Mmsz5246b 1.0000
RFQ
ECAD 8636 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 17 ohmios
FQPF13N50C Fairchild Semiconductor FQPF13N50C 1.2000
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 48W (TC)
MBRS130 Fairchild Semiconductor MBRS130 -
RFQ
ECAD 4855 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 929 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 1 ma @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
MMSZ5253B Fairchild Semiconductor MMSZ5253B 1.0000
RFQ
ECAD 1744 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 19 V 25 V 35 ohmios
KSP2222ATF Fairchild Semiconductor KSP2222ATF 1.0000
RFQ
ECAD 8252 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSP22 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 2,000 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10 MV 300MHz
D45H2A Fairchild Semiconductor D45H2A 0.7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 D45H 60 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 30 V 8 A 10 µA (ICBO) PNP 1V @ 400 Ma, 8a 100 @ 8a, 5v 25MHz
D45C11 Fairchild Semiconductor D45C11 0.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 D45C 60 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 80 V 4 A 10 µA PNP 500mv @ 50 mm, 1a 40 @ 200Ma, 1V 32MHz
MMBZ5234B Fairchild Semiconductor Mmbz5234b -
RFQ
ECAD 9072 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 4 V 6.2 V 7 ohmios
FJV3115RMTF Fairchild Semiconductor FJV3115RMTF -
RFQ
ECAD 7742 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FJV311 200 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 33 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
MMBT2369A Fairchild Semiconductor Mmbt2369a -
RFQ
ECAD 3975 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2369 225 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 15 V 200 MA 400NA (ICBO) NPN 500mv @ 10 Ma, 100 Ma 40 @ 10mA, 1V -
MMBT918 Fairchild Semiconductor MMBT918 -
RFQ
ECAD 9946 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT918 225MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 15dB 15V 50mera NPN 20 @ 3mA, 1V 600MHz 6dB @ 60MHz
1N5402 Fairchild Semiconductor 1N5402 -
RFQ
ECAD 7746 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL 1N5402 Estándar DO-2010 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 v @ 3 a 1.5 µs 200 na @ 200 V -50 ° C ~ 175 ° C 3A -
FJD3076TM Fairchild Semiconductor Fjd3076tm 0.2400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FJD3076 1 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1.268 32 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 800mv @ 200MA, 2A 130 @ 500 mA, 3V 100MHz
BC560CTA Fairchild Semiconductor BC560CTA 1.0000
RFQ
ECAD 1751 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC560 500 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 150MHz
HUFA75852G3-F085 Fairchild Semiconductor HUFA75852G3-F085 3.1200
RFQ
ECAD 166 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 150 V 75A (TC) 10V 16mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 480 NC @ 20 V ± 20V 7690 pf @ 25 V - 500W (TC)
MMBT3906SL Fairchild Semiconductor Mmbt3906sl 0.0300
RFQ
ECAD 119 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-923F 227 MW SOT-923F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 8,000 40 V 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
SGS23N60UFDTU Fairchild Semiconductor Sgs23n60ufdtu 1.0000
RFQ
ECAD 8772 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SGS23N60 Estándar 73 W Un 220F - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 300V, 12a, 23ohm, 15V 60 ns - 600 V 23 a 92 A 2.6V @ 15V, 12A 115 µJ (Encendido), 135 µJ (apaguado) 49 NC 17ns/60ns
1N5408 Fairchild Semiconductor 1N5408 1.0000
RFQ
ECAD 1378 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5408 Estándar Do15/do204ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 v @ 3 a 1.5 µs 200 na @ 1000 V -50 ° C ~ 175 ° C 3A -
FJAFS1720TU Fairchild Semiconductor FJAFS1720TU 2.8300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild ESBC ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FJAFS172 60 W Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 800 V 12 A 100 µA NPN 250mv @ 3.33a, 10a 8.5 @ 11a, 5v 15MHz
HUF76131SK8T_NB82084 Fairchild Semiconductor HUF76131SK8T_NB82084 -
RFQ
ECAD 8464 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo HUF76131 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1 -
1N916A Fairchild Semiconductor 1N916A 1.0000
RFQ
ECAD 1634 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N916 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 20 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
KA33VTA Fairchild Semiconductor Ka33vta 0.0500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 6% -20 ° C ~ 75 ° C A Través del Aguetero To-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) KA33 200 MW TO-92-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 33 V 25 ohmios
BD435STU Fairchild Semiconductor Bd435stu -
RFQ
ECAD 3434 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 36 W A-126-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 32 V 4 A 100 µA NPN 500mv @ 200MA, 2a 50 @ 2a, 1v 3MHz
FNF51060TD1 Fairchild Semiconductor FNF51060TD1 8.0900
RFQ
ECAD 766 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 55 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 20 Potencias (1.220 ", 31.00 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 1 Inversor de 3 fase 10 A 600 V 1500 VRMS
FSB32560 Fairchild Semiconductor FSB32560 32.7700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 3 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 1 Inversor de 3 fase 25 A 600 V 2500 VRMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock