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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | FDT434P | 1.0000 | ![]() | 3191 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | FDT43 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223-4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 4.000 | Canal P | 20 V | 6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 50mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1187 pf @ 10 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPC1012S | 0.4300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | FDPC1 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW (TA), 900MW (TA) | PowerClip-33 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 428 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 25V | 13a (TA), 35a (TC), 26a (TA), 88a (TC) | 7mohm @ 12a, 4.5V, 2.2mohm @ 23a, 4.5V | 2.2V @ 250 µA, 2.2V @ 1MA | 8NC @ 4.5V, 25NC @ 4.5V | 1075pf @ 13V, 3456pf @ 13V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ197PZ | 0.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, WLCSP | FDZ19 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-WLCSP (1.0x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 5,000 | Canal P | 20 V | 3.8a (TA) | 1.5V, 4.5V | 64mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1570 pf @ 10 V | - | 1.9W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDI9406 | 1.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDI940 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC0222 | 0.1400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDMC02 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmsz5246b | 1.0000 | ![]() | 8636 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N50C | 1.2000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FQPF1 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 500 V | 13a (TC) | 10V | 480mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 2055 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRS130 | - | ![]() | 4855 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | SMB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 929 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 1 A | 1 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5253B | 1.0000 | ![]() | 1744 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 19 V | 25 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP2222ATF | 1.0000 | ![]() | 8252 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | KSP22 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 40 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10 MV | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D45H2A | 0.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | D45H | 60 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | 8 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 400 Ma, 8a | 100 @ 8a, 5v | 25MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D45C11 | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | D45C | 60 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 4 A | 10 µA | PNP | 500mv @ 50 mm, 1a | 40 @ 200Ma, 1V | 32MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5234b | - | ![]() | 9072 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJV3115RMTF | - | ![]() | 7742 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV311 | 200 MW | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbt2369a | - | ![]() | 3975 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT2369 | 225 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 15 V | 200 MA | 400NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 10 Ma, 100 Ma | 40 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT918 | - | ![]() | 9946 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT918 | 225MW | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15dB | 15V | 50mera | NPN | 20 @ 3mA, 1V | 600MHz | 6dB @ 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5402 | - | ![]() | 7746 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | 1N5402 | Estándar | DO-2010 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 v @ 3 a | 1.5 µs | 200 na @ 200 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjd3076tm | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | FJD3076 | 1 W | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1.268 | 32 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 800mv @ 200MA, 2A | 130 @ 500 mA, 3V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC560CTA | 1.0000 | ![]() | 1751 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC560 | 500 MW | Un 92-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 420 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75852G3-F085 | 3.1200 | ![]() | 166 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | HUFA75 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 150 V | 75A (TC) | 10V | 16mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250 µA | 480 NC @ 20 V | ± 20V | 7690 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbt3906sl | 0.0300 | ![]() | 119 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-923F | 227 MW | SOT-923F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 8,000 | 40 V | 200 MA | 50NA | PNP | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgs23n60ufdtu | 1.0000 | ![]() | 8772 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SGS23N60 | Estándar | 73 W | Un 220F | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 300V, 12a, 23ohm, 15V | 60 ns | - | 600 V | 23 a | 92 A | 2.6V @ 15V, 12A | 115 µJ (Encendido), 135 µJ (apaguado) | 49 NC | 17ns/60ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5408 | 1.0000 | ![]() | 1378 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5408 | Estándar | Do15/do204ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.2 v @ 3 a | 1.5 µs | 200 na @ 1000 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJAFS1720TU | 2.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | ESBC ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | FJAFS172 | 60 W | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 800 V | 12 A | 100 µA | NPN | 250mv @ 3.33a, 10a | 8.5 @ 11a, 5v | 15MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76131SK8T_NB82084 | - | ![]() | 8464 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | HUF76131 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N916A | 1.0000 | ![]() | 1634 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N916 | Estándar | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 1 V @ 20 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ka33vta | 0.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6% | -20 ° C ~ 75 ° C | A Través del Aguetero | To-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) | KA33 | 200 MW | TO-92-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 33 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bd435stu | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 36 W | A-126-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 32 V | 4 A | 100 µA | NPN | 500mv @ 200MA, 2a | 50 @ 2a, 1v | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FNF51060TD1 | 8.0900 | ![]() | 766 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | MOVIMIENTO SPM® 55 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 20 Potencias (1.220 ", 31.00 mm) | IGBT | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Inversor de 3 fase | 10 A | 600 V | 1500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSB32560 | 32.7700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | MOVIMIENTO SPM® 3 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) | IGBT | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Inversor de 3 fase | 25 A | 600 V | 2500 VRMS |
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