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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | Bc560cbu | - | ![]() | 5993 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 420 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC559B | - | ![]() | 3228 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC636 | - | ![]() | 8586 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC238A | 0.0500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 V | 100 mA | 15NA | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 120 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC560C | 0.0700 | ![]() | 6745 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2156-BC560C-FS | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 250 MV @ 5 Ma, 100 Ma | 380 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC307B | 0.0400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45 V | 100 mA | 15NA | PNP | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 180 @ 2mA, 5V | 130MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546B | - | ![]() | 8350 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC80816MTF | 0.0600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 310 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 V | 800 Ma | 100na | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC548 | 0.0400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF2N90 | 1.2000 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 900 V | 1.4a (TC) | 10V | 7.2ohm @ 700 mA, 10V | 5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FLZ8V2B | 0.0200 | ![]() | 5084 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 3% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 4,230 | 1.2 v @ 200 ma | 300 na @ 5 V | 8 V | 6.6 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf6n80 | - | ![]() | 8071 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.95ohm @ 1.65a, 10V | 5V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 30V | 1500 pf @ 25 V | - | 51W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C16 | 0.0600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76429P3 | 1.0000 | ![]() | 6078 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 60 V | 47a (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 47a, 10V | 3V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 16V | 1480 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2330obu | 0.0500 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 300 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 70 @ 20MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdd6n20tf | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 200 V | 4.5A (TC) | 10V | 800mohm @ 2.3a, 10V | 5V @ 250 µA | 6.1 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQL50N40 | 7.1600 | ![]() | 338 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | Mosfet (Óxido de metal) | HPM F2 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 375 | N-canal | 400 V | 50A (TC) | 10V | 75mohm @ 25A, 10V | 5V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 30V | 7500 pf @ 25 V | - | 460W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB7N30TM | 0.7800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 300 V | 7a (TC) | 10V | 700mohm @ 3.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 610 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc1623omtf | 0.0200 | ![]() | 6865 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 90 @ 1 MMA, 6V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGP20N6S2D | - | ![]() | 2535 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 125 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 390v, 7a, 25ohm, 15V | 31 ns | - | 600 V | 28 A | 40 A | 2.7V @ 15V, 7a | 25 µJ (Encendido), 58 µJ (apaguado) | 30 NC | 7.7ns/87ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP6030L | 0.5700 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 48a (TA) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 26a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 1250 pf @ 15 V | - | 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75623P3 | 0.5200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 100 V | 22a (TC) | 10V | 64mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 20 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBU6A | 1.1100 | ![]() | 287 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 287 | 1 v @ 6 a | 10 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N964B | 2.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 149 | 5 µA @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd5n30tf | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 300 V | 4.4a (TC) | 10V | 900mohm @ 2.2a, 10V | 5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N462A | 0.0400 | ![]() | 1791 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.10.0070 | 765 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5400 | 0.0200 | ![]() | 6663 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 2156-1N5400-FSTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.2 v @ 3 a | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFC2P100 | 0.1700 | ![]() | 115 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Supersot ™ -6 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3a (TA) | 2.5V, 4.5V | 150mohm @ 3a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 4.7 NC @ 10 V | ± 12V | 445 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8962C | 1.0000 | ![]() | 8273 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS89 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 7a, 5a | 30mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 575pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75531SK8T | - | ![]() | 5192 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 80 V | 6a (TA) | 10V | 30mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 82 NC @ 20 V | ± 20V | 1210 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) |
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