SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BC560CBU Fairchild Semiconductor Bc560cbu -
RFQ
ECAD 5993 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 150MHz
BC559B Fairchild Semiconductor BC559B -
RFQ
ECAD 3228 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 150MHz
BC636 Fairchild Semiconductor BC636 -
RFQ
ECAD 8586 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
BC238A Fairchild Semiconductor BC238A 0.0500
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 5V 250MHz
BC560C Fairchild Semiconductor BC560C 0.0700
RFQ
ECAD 6745 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante 2156-BC560C-FS EAR99 8541.21.0075 5,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 250 MV @ 5 Ma, 100 Ma 380 @ 2mA, 5V 250MHz
BC307B Fairchild Semiconductor BC307B 0.0400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5,000 45 V 100 mA 15NA PNP 300mv @ 500 µA, 10 mA 180 @ 2mA, 5V 130MHz
BC546B Fairchild Semiconductor BC546B -
RFQ
ECAD 8350 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
BC80816MTF Fairchild Semiconductor BC80816MTF 0.0600
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
BC548 Fairchild Semiconductor BC548 0.0400
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
FQPF2N90 Fairchild Semiconductor FQPF2N90 1.2000
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 900 V 1.4a (TC) 10V 7.2ohm @ 700 mA, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 500 pf @ 25 V - 35W (TC)
FLZ8V2B Fairchild Semiconductor FLZ8V2B 0.0200
RFQ
ECAD 5084 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 4,230 1.2 v @ 200 ma 300 na @ 5 V 8 V 6.6 ohmios
FQPF6N80 Fairchild Semiconductor Fqpf6n80 -
RFQ
ECAD 8071 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 3.3a (TC) 10V 1.95ohm @ 1.65a, 10V 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 25 V - 51W (TC)
BZX55C16 Fairchild Semiconductor BZX55C16 0.0600
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
HUF76429P3 Fairchild Semiconductor HUF76429P3 1.0000
RFQ
ECAD 6078 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 60 V 47a (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 47a, 10V 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 16V 1480 pf @ 25 V - 110W (TC)
KSC2330OBU Fairchild Semiconductor Ksc2330obu 0.0500
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 500 300 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 20MA, 10V 50MHz
FDD6N20TF Fairchild Semiconductor Fdd6n20tf 0.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 4.5A (TC) 10V 800mohm @ 2.3a, 10V 5V @ 250 µA 6.1 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 40W (TC)
FQL50N40 Fairchild Semiconductor FQL50N40 7.1600
RFQ
ECAD 338 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Mosfet (Óxido de metal) HPM F2 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 375 N-canal 400 V 50A (TC) 10V 75mohm @ 25A, 10V 5V @ 250 µA 210 NC @ 10 V ± 30V 7500 pf @ 25 V - 460W (TC)
FQB7N30TM Fairchild Semiconductor FQB7N30TM 0.7800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 300 V 7a (TC) 10V 700mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 610 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 85W (TC)
KSC1623OMTF Fairchild Semiconductor Ksc1623omtf 0.0200
RFQ
ECAD 6865 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 90 @ 1 MMA, 6V 250MHz
FGP20N6S2D Fairchild Semiconductor FGP20N6S2D -
RFQ
ECAD 2535 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 125 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 390v, 7a, 25ohm, 15V 31 ns - 600 V 28 A 40 A 2.7V @ 15V, 7a 25 µJ (Encendido), 58 µJ (apaguado) 30 NC 7.7ns/87ns
FDP6030L Fairchild Semiconductor FDP6030L 0.5700
RFQ
ECAD 61 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 48a (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 26a, 10v 3V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1250 pf @ 15 V - 52W (TC)
HUF75623P3 Fairchild Semiconductor HUF75623P3 0.5200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 22a (TC) 10V 64mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 52 NC @ 20 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 85W (TC)
KBU6A Fairchild Semiconductor KBU6A 1.1100
RFQ
ECAD 287 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 287 1 v @ 6 a 10 µA @ 50 V 6 A Fase única 50 V
1N964B Fairchild Semiconductor 1N964B 2.0200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 149 5 µA @ 9.9 V 13 V 13 ohmios
FQD5N30TF Fairchild Semiconductor Fqd5n30tf 0.3700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 300 V 4.4a (TC) 10V 900mohm @ 2.2a, 10V 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 430 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
1N462A Fairchild Semiconductor 1N462A 0.0400
RFQ
ECAD 1791 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme EAR99 8541.10.0070 765 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) - -
1N5400 Fairchild Semiconductor 1N5400 0.0200
RFQ
ECAD 6663 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 2156-1N5400-FSTR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.2 v @ 3 a 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
FDFC2P100 Fairchild Semiconductor FDFC2P100 0.1700
RFQ
ECAD 115 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3a (TA) 2.5V, 4.5V 150mohm @ 3a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 4.7 NC @ 10 V ± 12V 445 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 1.5W (TA)
FDS8962C Fairchild Semiconductor FDS8962C 1.0000
RFQ
ECAD 8273 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS89 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 Vecino del canal 30V 7a, 5a 30mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 26nc @ 10V 575pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
HUF75531SK8T Fairchild Semiconductor HUF75531SK8T -
RFQ
ECAD 5192 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 6a (TA) 10V 30mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 82 NC @ 20 V ± 20V 1210 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock