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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
HUF76121P3 Fairchild Semiconductor HUF76121P3 0.4000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 47a (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 47a, 10v 3V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 850 pf @ 25 V - 75W (TC)
KBP10M Fairchild Semiconductor KBP10M 0.2400
RFQ
 ECAD 2136 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM Estándar KBPM descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 404 1 V @ 1 A 5 µA @ 1 V 1.5 A Fase única 1 kV
FSB50450S Fairchild Semiconductor FSB50450S 7.6400
RFQ
 ECAD 401 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 5 Una granela Activo Montaje en superficie Módulo de 23-SMD, Ala de Gaviota Mosfet descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 43 Inversor de 3 fase 1.5 A 500 V 1500 VRMS
FSB50325T Fairchild Semiconductor FSB50325T 7.2900
RFQ
 ECAD 189 0.00000000 Semiconductor de fairchild MOVIMIENTO SPM® 5 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 23-Powersmd, Ala de la Gaviota Mosfet descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 1 Inversor de 3 fase 1.5 A 250 V 1500 VRMS
MMBD1703A Fairchild Semiconductor MMBD1703A 1.0000
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Estándar Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 30 V 50mera 1.1 V @ 50 Ma 1 ns 50 na @ 20 V 150 ° C (Máximo)
1N6011B Fairchild Semiconductor 1N6011b 1.8400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 163 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 23 V 30 V 78 ohmios
FFPF04U40DNTU Fairchild Semiconductor Ffpf04u40dntu 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 4A 1.4 v @ 4 a 45 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C
MPS6513 Fairchild Semiconductor MPS6513 1.0000
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 30 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 500mV @ 5 mm, 50 Ma 90 @ 2mA, 10V -
FLZ36VC Fairchild Semiconductor Flz36vc 0.0200
RFQ
 ECAD 9474 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 4,513 1.2 v @ 200 ma 133 na @ 27 V 34.3 V 63 ohmios
1N4372A Fairchild Semiconductor 1N4372A 2.7500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 110 1.5 V @ 200 Ma 50 µA @ 1 V 3 V 29 ohmios
ISL9N312AD3_NL Fairchild Semiconductor ISL9N312Ad3_NL -
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 340 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 15 V - 75W (TA)
HUF75545S3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF75545S3ST_NL -
RFQ
 ECAD 9240 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 80 V 75A (TC) 10V 10mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 235 NC @ 20 V ± 20V 3750 pf @ 25 V - 270W (TC)
1N914BWT Fairchild Semiconductor 1N914BWT 0.0200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523F 1N914B Estándar Sod-523f descascar EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
RFD3055LESM Fairchild Semiconductor Rfd3055lesm 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,255 N-canal 60 V 11a (TC) 5V 107mohm @ 8a, 5V 3V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
KSD1589YTU Fairchild Semiconductor Ksd1589ytu -
RFQ
 ECAD 7680 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 1.5 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 970 100 V 5 A 1 µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 3MA, 3A 5000 @ 3a, 2v -
FQPF6P25 Fairchild Semiconductor Fqpf6p25 0.8300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 250 V 4.2a (TC) 10V 1.1ohm @ 2.1a, 10v 5V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 30V 780 pf @ 25 V - 45W (TC)
FSBM15SH60 Fairchild Semiconductor FSBM15SH60 20.0000
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 48 3 fase 15 A 600 V 2500 VRMS
FDD7030BL Fairchild Semiconductor FDD7030BL 0.4400
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 14a (TA), 56A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 20V 1425 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 60W (TC)
FDS6676AS Fairchild Semiconductor FDS6676As 0.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS66 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 614 N-canal 30 V 14.5a (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 14.5a, 10v 3V @ 1MA 63 NC @ 10 V ± 20V 2510 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRFM220BTF Fairchild Semiconductor Irfm220btf 0.2900
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 200 V 1.13a (TC) 10V 800MOHM @ 570MA, 10V 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 30V 390 pf @ 25 V - 2.4W (TC)
FQP2N50 Fairchild Semiconductor FQP2N50 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 2.1a (TC) 10V 5.3ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 55W (TC)
FDP8860 Fairchild Semiconductor FDP8860 1.2600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 238 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 80a, 10v 2.5V @ 250 µA 222 NC @ 10 V ± 20V 12240 pf @ 15 V - 254W (TC)
2N4400TFR Fairchild Semiconductor 2N4400TFR 0.0200
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 600 mA - NPN 750mv @ 50 mm, 500 mA 50 @ 150mA, 1V -
FPAB30PH60 Fairchild Semiconductor FPAB30PH60 14.6200
RFQ
 ECAD 275 0.00000000 Semiconductor de fairchild SPM® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 10 2 fase 20 A 600 V 2500 VRMS
FDFS2P102 Fairchild Semiconductor FDFS2P102 0.4300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 20 V 3.3a (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 3.3a, 10V 2V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 270 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 900MW (TA)
FDS9431 Fairchild Semiconductor FDS9431 -
RFQ
 ECAD 7646 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDS99 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1 -
KSB1151YSTU Fairchild Semiconductor Ksb1151ystu 0.3900
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.3 W A-126-3 descascar EAR99 8542.39.0001 831 60 V 5 A 10 µA (ICBO) PNP 300mv @ 200MA, 2a 160 @ 2a, 1v -
FES16DTR Fairchild Semiconductor Fes16dtr 1.0000
RFQ
 ECAD 3870 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A 170pf @ 4V, 1MHz
FJX1182YTF Fairchild Semiconductor Fjx1182ytf -
RFQ
 ECAD 2010 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 FJX118 150 MW SC-70 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 100mA, 1V 200MHz
FDPF51N25YDTU Fairchild Semiconductor Fdpf51n25ydtu 1.9700
RFQ
 ECAD 566 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados Mosfet (Óxido de metal) TO20F-3 (Formación y) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 250 V 51a (TC) 10V 60mohm @ 25.5a, 10V 5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 30V 3410 pf @ 25 V - 38W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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