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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
MPSA93 Fairchild Semiconductor MPSA93 0.0700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 200 V 500 mA 250NA (ICBO) PNP 400mv @ 2mA, 20 mA 25 @ 30mA, 10V 50MHz
BC638TA Fairchild Semiconductor Bc638ta 0.0500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 1 W Un 92-3 descascar EAR99 8541.29.0075 5,912 60 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
MPSW56 Fairchild Semiconductor MPSW56 0.1200
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 226-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 1.500 80 V 1 A 500NA PNP 500mv @ 10 Ma, 250 Ma 50 @ 250 Ma, 1V 50MHz
MJE170STU Fairchild Semiconductor MJE170stu -
RFQ
 ECAD 1115 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 MJE170 1.5 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 40 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 1.7V @ 600mA, 3A 50 @ 100 mapa, 1v 50MHz
KSA812LMTF Fairchild Semiconductor KSA812LMTF 0.0600
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 150 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 4,527 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 300 @ 1 Mapa, 6V 180MHz
KST05MTF Fairchild Semiconductor KST05MTF 0.0300
RFQ
 ECAD 9821 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 60 V 500 mA 100na NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 50 @ 100 mapa, 1v 100MHz
FDS4672A Fairchild Semiconductor Fds4672a -
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS4672 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 40 V 11a (TA) 4.5V 13mohm @ 11a, 4.5V 2V @ 250 µA 49 NC @ 4.5 V ± 12V 4766 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
KSD986YS Fairchild Semiconductor Ksd986ys 1.0000
RFQ
 ECAD 6085 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 80 V 1.5 A 10 µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 1MA, 1A 8000 @ 1a, 2v -
KSC5502DTM Fairchild Semiconductor KSC5502DTM -
RFQ
 ECAD 7816 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 118.16 W TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 1 750 V 2 A 100 µA NPN 1.5V @ 200MA, 1A 15 @ 200Ma, 1V 11MHz
2N5771 Fairchild Semiconductor 2N5771 1.0000
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1 15 V 200 MA 10NA PNP 600mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 10mA, 300mv -
KSC838COTA Fairchild Semiconductor Ksc838cota 0.0200
RFQ
 ECAD 2174 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1.718 30 V 30 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 2mA, 12V 250MHz
BD17910STU Fairchild Semiconductor Bd17910stu 0.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 30 W A-126-3 descascar Vendedor indefinido Alcanzar Afectados 2156-bd17910stu-600039 1 80 V 3 A 100 µA (ICBO) NPN 800mv @ 100 mm, 1a 63 @ 150mA, 2V 3MHz
2N3904TA Fairchild Semiconductor 2N3904TA 1.0000
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 40 V 200 MA - NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
PZT2907A Fairchild Semiconductor PZT2907A -
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA PZT290 1 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 4.000 60 V 800 Ma 20NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
BC558B Fairchild Semiconductor BC558B 0.0400
RFQ
 ECAD 7235 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,278 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 150MHz
BC558ABU Fairchild Semiconductor Bc558abu 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
FGH40T65SHD Fairchild Semiconductor FGH40T65SHD 1.0000
RFQ
 ECAD 8890 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
KSC5019MTA Fairchild Semiconductor KSC5019MTA 0.0700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSC5019 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 10 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 2a 140 @ 500mA, 1V 150MHz
PN100RM Fairchild Semiconductor PN100RM 0.0400
RFQ
 ECAD 4159 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 500 mA 50NA NPN 400mv @ 20 mm, 200 mA 100 @ 150mA, 5V 250MHz
KSP06BU Fairchild Semiconductor Ksp06bu 1.0000
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSP06 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 80 V 500 mA 100na NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 50 @ 100 mapa, 1v 100MHz
MPSL01 Fairchild Semiconductor MPSL01 -
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 8,954 120 V 200 MA 1 µA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 50 @ 10mA, 5V 60MHz
KSP2222ATA Fairchild Semiconductor KSP2222ATA 0.0500
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 6.497 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
MMBTA13 Fairchild Semiconductor MMBTA13 -
RFQ
 ECAD 2759 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA13 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 1.2 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
KSB564ACGTA Fairchild Semiconductor KSB564ACGTA 0.0200
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 514 25 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 1v 110MHz
2N5210TA Fairchild Semiconductor 2N5210TA 0.0200
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5210 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 50 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 700mv @ 1 MMA, 10 Ma 200 @ 100 µA, 5V 30MHz
KSD471AYBU Fairchild Semiconductor Ksd471aybu 0.0500
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 30 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 120 @ 100mA, 1V 130MHz
KSC5504DTTU Fairchild Semiconductor Ksc5504dttu 0.2200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 75 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 600 V 4 A 100 µA NPN 1.5V @ 400mA, 2A 4 @ 2a, 1v 11MHz
FQD5N20LTM Fairchild Semiconductor Fqd5n20ltm 0.3300
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 358 N-canal 200 V 3.8a (TC) 5V, 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 2V @ 250 µA 6.2 NC @ 5 V ± 20V 325 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 37W (TC)
NZT45H8 Fairchild Semiconductor NZT45H8 0.6100
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.5 W SOT-223-4 descascar EAR99 8542.39.0001 491 60 V 8 A 10 µA (ICBO) PNP 1V @ 400 Ma, 8a 40 @ 4a, 1v 40MHz
MMBT3906 Fairchild Semiconductor MMBT3906 -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT 250 MW SOT-23-3 (TO-236) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 40 V 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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