SIC
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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FCPF11N60NT Fairchild Semiconductor FCPF11N60NT 2.2300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supermos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 135 N-canal 600 V 10.8a (TC) 10V 299mohm @ 5.4a, 10v 4V @ 250 µA 35.6 NC @ 10 V ± 30V 1505 pf @ 100 V - 32.1W (TC)
FQI5N80TU Fairchild Semiconductor Fqi5n80tu 0.8000
RFQ
 ECAD 993 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 4.8a (TC) 10V 2.6ohm @ 2.4a, 10v 5V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1250 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 140W (TC)
FGA40T65UQDF Fairchild Semiconductor FGA40T65UQDF 1.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 231 W Un 3pn descascar EAR99 8542.39.0001 1 400V, 40a, 6ohm, 15V 89 ns Escrutinio 650 V 80 A 120 A 1.67V @ 15V, 40A 989 µJ (Encendido), 310 µJ (apagado) 306 NC 32NS/271NS
HGTG40N60B3-FS Fairchild Semiconductor HGTG40N60B3-FS -
RFQ
 ECAD 5349 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1
FQPF5N80 Fairchild Semiconductor FQPF5N80 0.7700
RFQ
 ECAD 610 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 2.8a (TC) 10V 2.6ohm @ 1.4a, 10V 5V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1250 pf @ 25 V - 47W (TC)
FGB40N6S2T Fairchild Semiconductor FGB40N6S2T 3.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 290 W D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 390V, 20a, 3ohm, 15V - 600 V 75 A 180 A 2.7V @ 15V, 20a 115 µJ (Encendido), 195 µJ (apaguado) 35 NC 8ns/35ns
KSH31CTM Fairchild Semiconductor Ksh31ctm 0.2000
RFQ
 ECAD 7502 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.56 W TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 450 100 V 3 A 50 µA NPN 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v 3MHz
FFSH20120ADN-F155 Fairchild Semiconductor FFSH20120Adn-F155 -
RFQ
 ECAD 2177 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-247-3 FFSH20120 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247 descascar EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1200 V 10a (DC) 1.75 v @ 10 a 200 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
FJN4302RTA Fairchild Semiconductor Fjn4302rta 0.0300
RFQ
 ECAD 7488 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN430 300 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 472 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
DFB2080 Fairchild Semiconductor DFB2080 1.3600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P Estándar TS-6P descascar EAR99 8541.10.0080 222 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 800 V 20 A Fase única 800 V
2N4401BU Fairchild Semiconductor 2N4401BU -
RFQ
 ECAD 8397 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 40 V 600 mA - NPN 750mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
KSC815YBU Fairchild Semiconductor Ksc815ybu 0.0600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 400 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 200 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 120 @ 50mA, 1V 200MHz
TIP115 Fairchild Semiconductor TIP115 1.0000
RFQ
 ECAD 4881 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP115 2 W Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 60 V 2 A 2mera PNP - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4V -
FJX2907ATF Fairchild Semiconductor Fjx2907atf -
RFQ
 ECAD 8317 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie SC-70, SOT-323 FJX290 325 MW SC-70 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 60 V 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
FQU12N20TU Fairchild Semiconductor FQU12N20TU -
RFQ
 ECAD 5171 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 200 V 9A (TC) 10V 280mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 30V 910 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 55W (TC)
FQA32N20C Fairchild Semiconductor FQA32N20C 1.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 200 V 32A (TC) 10V 82mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 30V 2220 pf @ 25 V - 204W (TC)
FDMS5361L Fairchild Semiconductor FDMS5361L 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDMS5361 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 -
BC556ABU Fairchild Semiconductor Bc556abu 0.0400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 8,435 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
TIP121 Fairchild Semiconductor TIP121 -
RFQ
 ECAD 1846 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP121 2 W Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 5 A 500 µA NPN - Darlington 4V @ 20 mm, 5a 1000 @ 3a, 3V -
KST3906MTF Fairchild Semiconductor KST3906MTF 1.0000
RFQ
 ECAD 5074 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 KST39 350 MW Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
FQI7N10LTU Fairchild Semiconductor Fqi7n10ltu 0.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 7.3a (TC) 5V, 10V 350mohm @ 3.65a, 10V 2V @ 250 µA 6 NC @ 5 V ± 20V 290 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 40W (TC)
SSW4N60BTM Fairchild Semiconductor Ssw4n60btm -
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2.5ohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 30V 920 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 100W (TC)
FDC655N Fairchild Semiconductor FDC655N 0.1900
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDC655 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 3.000 -
RFD14N05L_NL Fairchild Semiconductor RFD14N05L_NL 0.5200
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 408 N-canal 50 V 14a (TC) 5V 100mohm @ 14a, 5V 2V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 10V 670 pf @ 25 V - 48W (TC)
HGTG11N120CND Fairchild Semiconductor Hgtg11n120cnd -
RFQ
 ECAD 3823 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 298 W To-247 descascar EAR99 8542.39.0001 1 960V, 11a, 10ohm, 15V 70 ns Escrutinio 1200 V 43 A 80 A 2.4V @ 15V, 11a 950 µJ (Encendido), 1.3MJ (apaguado) 100 NC 23ns/180ns
FJNS3206RTA Fairchild Semiconductor Fjns3206rta 0.0200
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS32 300 MW Un Los 92 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2.900 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
FDMS7698 Fairchild Semiconductor FDMS7698 -
RFQ
 ECAD 7709 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS76 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 30 V 13.5a (TA), 22a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 13.5a, 10V 3V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1605 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 29W (TC)
1N970B Fairchild Semiconductor 1N970B 1.8400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 163 5 µA @ 18.2 V 24 V 33 ohmios
FDPF13N50FT Fairchild Semiconductor FDPF13N50FT 1.0200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 293 N-canal 500 V 12a (TC) 10V 540mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1930 pf @ 25 V - 42W (TC)
1N970BTR Fairchild Semiconductor 1N970BTR 0.0500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 18.2 V 24 V 33 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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