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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FJV4104RMTF | 0.0200 | ![]() | 9030 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | FJV410 | 200 MW | Sot-23-3 | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ646-TL-E | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-2SJ646-TL-E-600039 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C4V7 | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 1.5 V @ 100 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA9N50 | - | ![]() | 4882 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 220 | N-canal | 500 V | 9.6a (TC) | 10V | 730mohm @ 4.8a, 10V | 5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1450 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffpf15u20dntu | 0.5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 15A | 1.2 V @ 15 A | 40 ns | 15 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3009R | 1.0000 | ![]() | 8646 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY300 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc32840ta | 0.0200 | ![]() | 6097 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 14,000 | 25 V | 800 Ma | 100na | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSH17-D26Z | 0.0700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD050N03B | 1.0000 | ![]() | 7543 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 16V | 2875 pf @ 15 V | - | 65W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907A-D87Z | - | ![]() | 8654 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 60 V | 800 Ma | 20NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C8V2 | 0.0200 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 2% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C8 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa1015grbu | - | ![]() | 8313 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 400 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 7,820 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF1N50 | - | ![]() | 1398 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 900 mA (TC) | 10V | 9ohm @ 450mA, 10V | 5V @ 250 µA | 5.5 NC @ 10 V | ± 30V | 150 pf @ 25 V | - | 16W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc848amtf | 0.0500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 310 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
FDW2504P | 1.1200 | ![]() | 523 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | FDW25 | Mosfet (Óxido de metal) | 600MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 3.8a | 43mohm @ 3.8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 16NC @ 4.5V | 1030pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB2570 | 1.4400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 22a (TA) | 6V, 10V | 80mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 1911 pf @ 75 V | - | 93W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC0202S | 0.2300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (3.3x3.3) | descascar | EAR99 | 8542.29.0095 | 1 | N-canal | 25 V | 22.5a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 3.15mohm @ 22.5a, 10V | 3V @ 1MA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2705 pf @ 13 V | - | 2.3W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C51-T50A | 0.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79C51 | 500 MW | Do-35 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 500 na @ 35.7 V | 51 V | 180 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5244b | - | ![]() | 4032 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mm5z47v | 0.0200 | ![]() | 111 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523F | MM5Z4 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 170 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
1N914BWS | - | ![]() | 5234 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Estándar | Sod-323f | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 15,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDB039N06 | - | ![]() | 4318 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 3.9mohm @ 75a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 133 NC @ 10 V | ± 20V | 8235 pf @ 25 V | - | 231W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bd237stu | - | ![]() | 7331 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 25 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 2 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 100 mm, 1a | 40 @ 150mA, 2V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA7N90 | 1.4900 | ![]() | 939 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 900 V | 7.4a (TC) | 10V | 1.55ohm @ 3.7a, 10v | 5V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 30V | 2280 pf @ 25 V | - | 198W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD362R | 0.2000 | ![]() | 4647 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 40 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.170 | 70 V | 5 A | 20 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 500 Ma, 5a | 40 @ 5a, 5v | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP6N25 | 0.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 250 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 2.75a, 10v | 5V @ 250 µA | 8.5 NC @ 10 V | ± 30V | 300 pf @ 25 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD4243 | - | ![]() | 4995 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal P | 40 V | 6.7a (TA), 14a (TC) | 4.5V, 10V | 44mohm @ 6.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1550 pf @ 20 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF035N06B_F152 | 1.0000 | ![]() | 5073 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 88a (TC) | 3.5mohm @ 88a, 10v | 4V @ 250 µA | 99 NC @ 10 V | ± 20V | 8030 pf @ 30 V | - | 46.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5N20L | 0.2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 4.5A (TC) | 5V, 10V | 1.2ohm @ 2.25a, 10V | 2V @ 250 µA | 6.2 NC @ 5 V | ± 20V | 325 pf @ 25 V | - | 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfw620btm | 0.4000 | ![]() | 933 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 5A (TC) | 10V | 800mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 30V | 390 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 47W (TC) |
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