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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
1N486B Fairchild Semiconductor 1N486B 1.0000
RFQ
 ECAD 1948 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 250 V 1 V @ 100 Ma 50 na @ 225 V 175 ° C 200 MMA -
FQPF9N50C Fairchild Semiconductor FQPF9N50C 0.9100
RFQ
 ECAD 404 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 9A (TC) 800mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1030 pf @ 25 V - 44W (TC)
BZX84C3V6 Fairchild Semiconductor BZX84C3V6 0.0200
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3 250 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
MMSZ5243B Fairchild Semiconductor MMSZ5243B -
RFQ
 ECAD 9857 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 500 na @ 9.9 V 13 V 13 ohmios
KST92MTF Fairchild Semiconductor KST92MTF -
RFQ
 ECAD 7917 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 KST92 250 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 2,000 300 V 500 mA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 25 @ 30mA, 10V 50MHz
1N459 Fairchild Semiconductor 1N459 1.0000
RFQ
 ECAD 5458 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N459 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 100 Ma 25 na @ 175 V 175 ° C (Máximo) 500mA 6pf @ 0v, 1 MHz
73282 Fairchild Semiconductor 73282 0.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 7328 - descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 0000.00.0000 2.500 60V 12A 107mohm @ 8a, 5V 3V @ 250 µA 6.2nc @ 5V -
FFB20UP20DN-SB82195 Fairchild Semiconductor FFB20UP20DN-SB82195 0.7700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 800
BZX84C13 Fairchild Semiconductor BZX84C13 0.0200
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C13 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 13 V 30 ohmios
BAS20 Fairchild Semiconductor BAS20 0.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS20 Estándar SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 150 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
BZX84C33 Fairchild Semiconductor BZX84C33 -
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 23.1 V 33 V 80 ohmios
FDH300A_NL Fairchild Semiconductor FDH300A_NL 0.5700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar Do-35 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 125 V 1 V @ 200 Ma 1 na @ 125 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 6pf @ 0v, 1 MHz
MBR0540 Fairchild Semiconductor MBR0540 -
RFQ
 ECAD 5722 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie SOD-123 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 510 MV @ 500 Ma 20 µA @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 500mA -
BAW62 Fairchild Semiconductor Baw62 0.0200
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Baw62 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V 175 ° C (Máximo) 300mA 2pf @ 0V, 1 MHz
BAV103-G Fairchild Semiconductor BAV103-G 0.0400
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 2.500
FDZ3N513ZT Fairchild Semiconductor FDZ3N513ZT 0.3200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP Mosfet (Óxido de metal) 4-WLCSP (1x1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 Canal P 30 V 1.1a 462mohm @ 300mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1 NC @ 4.5 V +5.5V, -300mV 85 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 1W (TA)
MM5Z3V3 Fairchild Semiconductor MM5Z3V3 1.0000
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 6.06% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
BAV21 Fairchild Semiconductor BAV21 0.0200
RFQ
 ECAD 339 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BAV21 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 250 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V -50 ° C ~ 200 ° C 250 Ma 5PF @ 0V, 1MHz
1N4751A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4751A-T50A 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4751 1 W Do-41 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 5 µA @ 22.8 V 30 V 40 ohmios
BAS70SV Fairchild Semiconductor BAS70SV 0.0700
RFQ
 ECAD 197 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BAS70 Schottky SOT-563F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 70 V 70 Ma 1 V @ 15 Ma 8 ns 2.5 µA @ 70 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZX79C2V7-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C2V7-T50A 0.0200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79C2 500 MW Do-35 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 Ma 75 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
FDD6770A Fairchild Semiconductor FDD6770A 0.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD677 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (A 252) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 25 V 24a (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 24a, 10v 3V @ 250 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 2405 pf @ 13 V - 3.7W (TA), 65W (TC)
SS24 Fairchild Semiconductor SS24 0.0900
RFQ
 ECAD 5399 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SS24 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 11 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 2a -
FDMS9408L-F085 Fairchild Semiconductor FDMS9408L-F085 -
RFQ
 ECAD 7461 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 40 V 80a (TC) 1.7mohm @ 80a, 10v 3V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 5750 pf @ 20 V - 214W (TJ)
MMSZ5255B Fairchild Semiconductor MMSZ5255B 1.0000
RFQ
 ECAD 1316 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 21 V 28 V 44 ohmios
FDP2710_SN00168 Fairchild Semiconductor FDP2710_SN00168 1.0000
RFQ
 ECAD 5684 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDP2710 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
D45C11 Fairchild Semiconductor D45C11 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 D45C 60 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 80 V 4 A 10 µA PNP 500mv @ 50 mm, 1a 40 @ 200Ma, 1V 32MHz
MMSZ5257B Fairchild Semiconductor MMSZ5257B 1.0000
RFQ
 ECAD 5408 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie SOD-123 MMSZ52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 25 V 5.1 V 41 ohmios
IRF614BFP001 Fairchild Semiconductor IRF614BFP001 1.0000
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 250 V 2.8a (TC) 2ohm @ 1.4a, 10v 4V @ 250 µA 10.5 NC @ 10 V ± 30V 275 pf @ 25 V - 40W (TC)
1N5253B Fairchild Semiconductor 1N5253B 3.7600
RFQ
 ECAD 483 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 80 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 19 V 25 V 35 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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