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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
HUF76107D3S Fairchild Semiconductor HUF76107D3S 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 20A (TC) 4.5V, 10V 52mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 10.3 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 25 V - 35W (TC)
HUFA76609D3ST_NL Fairchild Semiconductor HUFA76609D3ST_NL 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 10a (TC) 4.5V, 10V 160mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 16V 425 pf @ 25 V - 49W (TC)
ISL9N304AS3ST Fairchild Semiconductor Isl9n304as3st 1.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 3V @ 250 µA 105 NC @ 10 V ± 20V 4075 pf @ 15 V - 145W (TA)
SFR9120TF Fairchild Semiconductor SFR9120TF 0.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 100 V 4.9a (TC) 10V 600mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 32W (TC)
SGH15N120RUFTU Fairchild Semiconductor Sgh5n120ruftu 3.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 SGH15 Estándar 180 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 600V, 15a, 20ohm, 15V - 1200 V 24 A 45 A 3V @ 15V, 15a 108 NC 20ns/60ns
SI4467DY Fairchild Semiconductor Si4467dy 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 20 V 13.5a (TA) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 13.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 120 NC @ 4.5 V ± 8V 8237 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
HUF76437P3 Fairchild Semiconductor HUF76437P3 1.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 71a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 71a, 10v 3V @ 250 µA 71 NC @ 10 V ± 16V 2230 pf @ 25 V - 155W (TC)
ISL9N304AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N304AP3 0.6000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 3V @ 250 µA 105 NC @ 10 V ± 20V 4075 pf @ 15 V - 145W (TA)
FDD5N50TF Fairchild Semiconductor FDD5N50TF 0.2900
RFQ
 ECAD 1986 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 500 V 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 640 pf @ 25 V - 40W (TC)
HGTP5N120CN Fairchild Semiconductor HGTP5N120CN -
RFQ
 ECAD 5235 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 167 W Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 960V, 5.5a, 25ohm, 15V Escrutinio 1200 V 25 A 40 A 2.4V @ 15V, 5.5a 400 µJ (Encendido), 640 µJ (apagado) 75 NC 22ns/180ns
FDP4030L Fairchild Semiconductor FDP4030L 0.6800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 20A (TC) 10V 55mohm @ 4.5a, 10V 2V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 365 pf @ 15 V - 37.5W (TC)
HUF76429D3 Fairchild Semiconductor HUF76429D3 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 16V 1480 pf @ 25 V - 110W (TC)
SI4953DY Fairchild Semiconductor Si4953dy 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4953 Mosfet (Óxido de metal) 900MW (TA) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal P (Dual) 30V 4.9a (TA) 53mohm @ 4.9a, 10v 1V @ 250 µA 25nc @ 10V 750pf @ 15V -
SI6933DQ Fairchild Semiconductor SI6933DQ 0.4900
RFQ
 ECAD 6295 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Si6933 Mosfet (Óxido de metal) 600MW (TA) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 1.451 2 Canal P (Dual) 30V 3.5a (TA) 45mohm @ 3.5a, 10v 3V @ 250 µA 30NC @ 10V 854pf @ 15V -
RFP8P10 Fairchild Semiconductor RFP8P10 0.2700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 100 V 8a (TC) 10V 400mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 1500 pf @ 25 V - 75W (TC)
PN3638 Fairchild Semiconductor PN3638 0.0200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN36 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 17,374 25 V 800 Ma 35NA PNP 1v @ 30 mm, 300 mA 30 @ 300mA, 2V -
SFS9Z14 Fairchild Semiconductor SFS9Z14 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 5.3a (TC) 10V 500mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 24W (TC)
SFR9224TM Fairchild Semiconductor SFR9224TM 0.3000
RFQ
 ECAD 374 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 987 Canal P 250 V 2.5A (TC) 10V 2.4ohm @ 1.3a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
FFA120UP60DNTU Fairchild Semiconductor FFA120UP60DNTU 0.9600
RFQ
 ECAD 6449 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0080 91 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 120a 2.2 V @ 60 A 90 ns 25 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C
IRFI624BTUFP001 Fairchild Semiconductor IRFI624BTUFP001 0.1400
RFQ
 ECAD 9856 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 250 V 4.1a (TC) 10V 1.1ohm @ 2.05a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 49W (TC)
FDW2515NZ Fairchild Semiconductor FDW2515NZ 0.3400
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW25 Mosfet (Óxido de metal) 1.1W (TA) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 5.8a (TA) 28mohm @ 5.8a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 12NC @ 5V 745pf @ 10V -
FDS6690 Fairchild Semiconductor FDS6690 1.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1340 pf @ 15 V - 1W (TA)
FGR15N40A Fairchild Semiconductor FGR15N40A 0.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) Lógica 1.25 W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 300V, 150a, 51ohm, 4V - 400 V 8 A 150 A 6V @ 4V, 150a - 41 NC 180ns/460ns
FGL40N150DTU Fairchild Semiconductor FGL40N150DTU -
RFQ
 ECAD 3389 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Estándar 200 W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 - 170 ns - 1500 V 40 A 120 A 4.5V @ 15V, 40A - 170 NC -
1N5239B_NL Fairchild Semiconductor 1N5239B_NL 0.0200
RFQ
 ECAD 7152 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
IRFP254B Fairchild Semiconductor IRFP254B 0.6600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 250 V 25A (TC) 10V 140mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 123 NC @ 10 V ± 30V 3400 pf @ 25 V - 221W (TC)
IRFS830B Fairchild Semiconductor IRFS830B 0.2500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 4.5a (TJ) 10V 1.5ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1050 pf @ 25 V - 38W (TJ)
HUF76443S3S Fairchild Semiconductor HUF76443S3S 1.5500
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 129 NC @ 10 V ± 16V 4115 pf @ 25 V - 260W (TC)
HUF76629D3ST_NL Fairchild Semiconductor HUF76629D3ST_NL -
RFQ
 ECAD 7064 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 86 N-canal 100 V 20A (TC) 4.5V, 10V 52mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 16V 1285 pf @ 25 V - 150W (TJ)
SGH20N120RUFDTU Fairchild Semiconductor SGH20N120RUFDTU -
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 SGH20N Estándar 230 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 9 600V, 20a, 15ohm, 15V 80 ns - 1200 V 32 A 60 A 3V @ 15V, 20a 1.3mj (Encendido), 1.3mj (apaguado) 140 NC 30ns/70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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