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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | BZX84C9V1 | 0.0200 | ![]() | 68 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C9 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqt1n60ctf | 1.0000 | ![]() | 6362 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | Fqt1n60 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.800 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdml7610as | 0.2700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDML7610 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4731ATR | 0.0300 | ![]() | 249 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4731 | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP10A | 0.0700 | ![]() | 164 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.990 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 22pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZTA92 | - | ![]() | 6774 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1 W | SOT-223 (TO-261) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 300 V | 500 mA | 250NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 40 @ 10mA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C6V8 | 0.0200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C6 | 250 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF13N50CTC003 | - | ![]() | 7243 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 500 V | 13a (TJ) | 10V | 480mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 2055 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Sfs9630ydtuas001 | 0.2700 | ![]() | 9574 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | SFS9630 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGP10J | 0.0600 | ![]() | 202 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | EGP10 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4729A | 0.0300 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 0.5% | - | A Través del Aguetero | Axial | 1N4729 | 1 W | Do-41G | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 100 Ma | 100 µA @ 1 V | 3.6 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C20 | 0.0200 | ![]() | 139 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79C20 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MM5Z3V0 | 1.0000 | ![]() | 6267 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6.67% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mm5z62v | 0.0200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523F | MM5Z6 | 200 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 na @ 43.4 V | 62 V | 215 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4936 | 0.0200 | ![]() | 7922 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Axial | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,173 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 1 a | 300 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFSH30120Adn-F155 | - | ![]() | 9741 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 15a (DC) | 1.75 V @ 15 A | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79C6V2-T50A | 0.0200 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79C6 | 500 MW | Do-35 | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP5500-F085 | 1.0000 | ![]() | 5477 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 7mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 269 NC @ 20 V | ± 20V | 3565 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
MMSZ5249B | - | ![]() | 2046 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ52 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 14 V | 19 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ffpf2ou60dntu | 1.0900 | ![]() | 700 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksd471acgta | 0.0600 | ![]() | 121 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 800 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 200 @ 100 mapa, 1v | 130MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF9N50NZ-FS | 0.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | Fdpf9n | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbta42-fs | - | ![]() | 9829 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 240 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 40 @ 30mA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2333ytu-fs | 1.0000 | ![]() | 9839 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 15 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 2 A | 1mera | NPN | 1V @ 100 mm, 500 mA | 20 @ 100 mapa, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC1008GTA | - | ![]() | 9606 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | KSC1008 | 800 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 60 V | 700 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 200 @ 500mA, 2V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907 | 0.0300 | ![]() | 8604 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 10,000 | 40 V | 800 Ma | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMC6280P | 0.1800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | SMC6280 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5252B | 0.0200 | ![]() | 149 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 659 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HCPL4502SDM | 0.7700 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa1013obu | - | ![]() | 7653 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | KSA1013 | 900 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 160 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 200Ma, 5V | 50MHz |
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