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Productos de semiconductoros discretos (5251)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FQPF17P06 Fairchild Semiconductor Fqpf17p06 0.5500
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 60 V 12a (TC) 10V 120mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 25V 900 pf @ 25 V - 39W (TC)
FDMS8674 Fairchild Semiconductor FDMS8674 0.5300
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 17a (TA), 21a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 2320 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
FFPF04U150STU Fairchild Semiconductor Ffpf04u150stu 1.0000
RFQ
 ECAD 6884 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar TO20F-2L descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1500 V 1.8 V @ 4 A 150 ns 7 µA @ 1500 V -65 ° C ~ 150 ° C 4A -
FDPF7N50U Fairchild Semiconductor FDPF7N50U 0.8700
RFQ
 ECAD 335 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250 µA 16.6 NC @ 10 V ± 30V 940 pf @ 25 V - 39W (TC)
BZX85C3V9TR Fairchild Semiconductor BZX85C3V9TR 0.0500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 1 V 3.9 V 15 ohmios
2N5551YBU Fairchild Semiconductor 2N5551YBU 1.0000
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 10,000 160 V 600 mA - NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 180 @ 10mA, 5V 100MHz
KSA733CGTA Fairchild Semiconductor KSA733CGTA 0.0200
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 1 MMA, 6V 180MHz
KSD526OTU Fairchild Semiconductor Ksd526otu 1.0000
RFQ
 ECAD 1311 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 30 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 80 V 4 A 30 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 300mA, 3A 70 @ 500mA, 5V 8MHz
FQA6N90 Fairchild Semiconductor Fqa6n90 1.0000
RFQ
 ECAD 2704 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 900 V 6.4a (TC) 10V 1.9ohm @ 3.2a, 10v 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1880 pf @ 25 V - 198W (TC)
FDC699P Fairchild Semiconductor FDC699P 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6 SSOT Plano, SuperSot ™ -6 FLMP Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 flmp descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 7a (TA) 2.5V, 4.5V 22mohm @ 7a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 38 NC @ 5 V ± 12V 2640 pf @ 10 V - 2W (TA)
FDA16N50 Fairchild Semiconductor FDA16N50 1.6000
RFQ
 ECAD 384 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 16.5a (TC) 10V 380mohm @ 8.3a, 10v 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1945 pf @ 25 V - 205W (TC)
FLZ9V1A Fairchild Semiconductor FLZ9V1A 0.0200
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 2.500 1.2 v @ 200 ma 300 na @ 6 V 8.5 V 6.6 ohmios
FQP630 Fairchild Semiconductor FQP630 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 9A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 78W (TC)
FQPF34N20 Fairchild Semiconductor FQPF34N20 1.0000
RFQ
 ECAD 4376 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 17.5a (TC) 10V 75mohm @ 8.75a, 10v 5V @ 250 µA 78 NC @ 10 V ± 30V 3100 pf @ 25 V - 55W (TC)
FDS4070N7 Fairchild Semiconductor FDS4070N7 1.6200
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 15.3a (TA) 10V 7mohm @ 15.3a, 10v 5V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 2819 pf @ 20 V - 3W (TA)
HUF76629D3S Fairchild Semiconductor HUF76629D3S 0.7000
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 100 V 20A (TC) 52mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 16V 1285 pf @ 25 V - 110W (TC)
PN4917 Fairchild Semiconductor PN4917 0.0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 30 V 200 MA 25NA PNP 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 150 @ 10mA, 1V -
FLZ39VD Fairchild Semiconductor Flz39vd 0.0200
RFQ
 ECAD 4140 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 70 1.2 v @ 200 ma 133 na @ 30 V 37.6 V 72 ohmios
FJN965TA Fairchild Semiconductor Fjn965ta -
RFQ
 ECAD 6748 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 945 20 V 5 A 1 µA NPN 1v @ 100 mapa, 3a 230 @ 500 mA, 2V 150MHz
HUF75631SK8T Fairchild Semiconductor HUF75631SK8T -
RFQ
 ECAD 6747 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 5.5a (TA) 10V 39mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 79 NC @ 20 V ± 20V 1225 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
2N3905BU Fairchild Semiconductor 2N3905BU -
RFQ
 ECAD 9899 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1,000 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 50 @ 10mA, 1V -
FQPF14N15 Fairchild Semiconductor Fqpf14n15 0.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 9.8a (TC) 10V 210mohm @ 4.9a, 10v 4V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 25V 715 pf @ 25 V - 48W (TC)
SFM9014TF Fairchild Semiconductor SFM9014TF 0.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 60 V 1.8a (TA) 10V 500mohm @ 900 mA, 10V 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 2.8W (TA)
BZX55C2V7 Fairchild Semiconductor BZX55C2V7 0.0200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 17,780 1.3 V @ 100 Ma 10 µA @ 1 V 2.7 V 85 ohmios
3N249 Fairchild Semiconductor 3N249 -
RFQ
 ECAD 8176 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM Estándar KBPM - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 A 5 µA @ 400 V 1.5 A Fase única 400 V
BZX55C2V4 Fairchild Semiconductor BZX55C2V4 1.0000
RFQ
 ECAD 7733 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 85 ohmios
FQD2N60TF Fairchild Semiconductor Fqd2n60tf 0.5100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 2a (TC) 10V 4.7ohm @ 1a, 10v 5V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
FFP04U40DNTU Fairchild Semiconductor Ffp04u40dntu 0.2700
RFQ
 ECAD 4754 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 4A 1.4 v @ 4 a 45 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C
FQAF6N80 Fairchild Semiconductor Fqaf6n80 1.6000
RFQ
 ECAD 892 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 800 V 4.4a (TC) 10V 1.95ohm @ 2.2a, 10v 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 25 V - 90W (TC)
1N6006B Fairchild Semiconductor 1N6006B 2.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 163 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 14 V 18 V 42 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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