SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
2N5086BU Fairchild Semiconductor 2N5086BU 0.0200
RFQ
ECAD 96 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1,000 50 V 100 mA 50NA PNP 300mv @ 1 mapa, 10 ma 150 @ 100 µA, 5V 40MHz
FQD3N40TM Fairchild Semiconductor Fqd3n40tm 0.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 400 V 2a (TC) 10V 3.4ohm @ 1a, 10v 5V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
IRF710 Fairchild Semiconductor IRF710 0.3700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 400 V 2a (TC) 3.6ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 135 pf @ 25 V - 36W (TC)
KBP02M Fairchild Semiconductor KBP02M -
RFQ
ECAD 4835 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM Estándar KBPM descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V 1.5 A Fase única 200 V
FQI6N50TU Fairchild Semiconductor Fqi6n50tu 0.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 5.5a (TC) 10V 1.3ohm @ 2.8a, 10v 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 790 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 130W (TC)
FDM606P Fairchild Semiconductor FDM606P 0.5900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla Expunesta de 8-SMD, Plomo Plano Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP, Microfet (3x2) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 6.8a (TC) 1.8V, 4.5V 30mohm @ 6.8a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 30 NC @ 4.5 V ± 8V 2200 pf @ 10 V - 1.92W (TA)
FDU3580 Fairchild Semiconductor FDU3580 0.8000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 80 V 7.7a (TA) 6V, 10V 29mohm @ 7.7a, 10V 4V @ 250 µA 79 NC @ 10 V ± 20V 1760 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 42W (TC)
FQD4N25TM Fairchild Semiconductor Fqd4n25tm 0.2600
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 250 V 3A (TC) 10V 1.75ohm @ 1.5a, 10v 5V @ 250 µA 5.6 NC @ 10 V ± 30V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 37W (TC)
FQA34N25 Fairchild Semiconductor Fqa34n25 2.4900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 250 V 34a (TC) 10V 85mohm @ 17a, 10v 5V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 30V 2750 pf @ 25 V - 245W (TC)
1N968B Fairchild Semiconductor 1N968B 1.8400
RFQ
ECAD 177 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 163 5 µA @ 15.2 V 20 V 25 ohmios
KST64MTF Fairchild Semiconductor KST64MTF 0.0500
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
FJX4004RTF Fairchild Semiconductor Fjx4004rtf 0.0500
RFQ
ECAD 9275 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 FJX400 200 MW SC-70-3 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 971 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
PN4122 Fairchild Semiconductor PN4122 -
RFQ
ECAD 5603 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1,446 40 V 100 mA 25NA PNP 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 150 @ 1mA, 1V -
FGPF50N30TTU Fairchild Semiconductor Fgpf50n30ttu 1.3200
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 46.8 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 - Zanja 300 V 120 A 1.5V @ 15V, 15a - 97 NC -
BDW93 Fairchild Semiconductor BDW93 0.5200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 80 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.200 45 V 12 A 1mera NPN - Darlington 3V @ 100 Ma, 10a 750 @ 5a, 3V -
FEP16CT Fairchild Semiconductor Fep16ct 0.4700
RFQ
ECAD 90 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 16A 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N5391 Fairchild Semiconductor 1N5391 0.0200
RFQ
ECAD 77 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.4 V @ 1.5 A 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 25pf @ 4V, 1 MHz
BZX55C22 Fairchild Semiconductor BZX55C22 0.0600
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 17 V 22 V 55 ohmios
1N747ATR Fairchild Semiconductor 1N747ATR -
RFQ
ECAD 3449 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar No Aplicable EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 3.6 V 24 ohmios
2N3663 Fairchild Semiconductor 2N3663 1.0000
RFQ
ECAD 3328 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 1.5db 12V 50mera NPN 20 @ 8 mm, 10v 2.1GHz 6.5dB @ 60MHz
FQB11N40TM Fairchild Semiconductor Fqb11n40tm 0.5200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 400 V 11.4a (TC) 10V 480mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
SGS10N60RUFTU Fairchild Semiconductor Sgs10n60ruftu 0.5400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SGS10N60 Estándar 55 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 300V, 10a, 20ohm, 15V - 600 V 16 A 30 A 2.8V @ 15V, 10a 141 µJ (Encendido), 215 µJ (apaguado) 30 NC 15ns/36ns
IRL610A Fairchild Semiconductor IRL610A 0.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.744 N-canal 200 V 3.3a (TC) 5V 1.5ohm @ 1.65a, 5V 2V @ 250 µA 9 NC @ 5 V ± 20V 240 pf @ 25 V - 33W (TC)
BC328 Fairchild Semiconductor BC328 0.0600
RFQ
ECAD 1460 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1.083 25 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
FDFS2P103 Fairchild Semiconductor FDFS2P103 0.4300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 59mohm @ 5.3a, 10v 3V @ 250 µA 8 NC @ 5 V ± 25V 528 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 900MW (TA)
2N5366 Fairchild Semiconductor 2N5366 0.0400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 500 mA 100na PNP 1v @ 30 mm, 300 mA 100 @ 50mA, 1V -
BC337TF Fairchild Semiconductor BC337TF 0.0200
RFQ
ECAD 7350 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 7,930 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
BD240A Fairchild Semiconductor BD240A 0.2300
RFQ
ECAD 8277 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 30 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.022 60 V 2 A 300 µA PNP 700mv @ 200MA, 1A 15 @ 1a, 4v -
BC546CBU Fairchild Semiconductor Bc546cbu 1.0000
RFQ
ECAD 4139 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
BC850BMTF Fairchild Semiconductor Bc850bmtf 0.0600
RFQ
ECAD 102 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock