Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N5086BU | 0.0200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 V | 100 mA | 50NA | PNP | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 150 @ 100 µA, 5V | 40MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd3n40tm | 0.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.4ohm @ 1a, 10v | 5V @ 250 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF710 | 0.3700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 3.6ohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 135 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBP02M | - | ![]() | 4835 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBPM | Estándar | KBPM | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 200 V | 1.5 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqi6n50tu | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 5.5a (TC) | 10V | 1.3ohm @ 2.8a, 10v | 5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 790 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDM606P | 0.5900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla Expunesta de 8-SMD, Plomo Plano | Mosfet (Óxido de metal) | 8-MLP, Microfet (3x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6.8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 30mohm @ 6.8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 30 NC @ 4.5 V | ± 8V | 2200 pf @ 10 V | - | 1.92W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU3580 | 0.8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 80 V | 7.7a (TA) | 6V, 10V | 29mohm @ 7.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 79 NC @ 10 V | ± 20V | 1760 pf @ 40 V | - | 3.8W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd4n25tm | 0.2600 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 3A (TC) | 10V | 1.75ohm @ 1.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 30V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqa34n25 | 2.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 250 V | 34a (TC) | 10V | 85mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 30V | 2750 pf @ 25 V | - | 245W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N968B | 1.8400 | ![]() | 177 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 163 | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST64MTF | 0.0500 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjx4004rtf | 0.0500 | ![]() | 9275 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | FJX400 | 200 MW | SC-70-3 (SOT323) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 971 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4122 | - | ![]() | 5603 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,446 | 40 V | 100 mA | 25NA | PNP | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 150 @ 1mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fgpf50n30ttu | 1.3200 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | 46.8 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | Zanja | 300 V | 120 A | 1.5V @ 15V, 15a | - | 97 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDW93 | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 80 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 45 V | 12 A | 1mera | NPN - Darlington | 3V @ 100 Ma, 10a | 750 @ 5a, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fep16ct | 0.4700 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 16A | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5391 | 0.0200 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.4 V @ 1.5 A | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C22 | 0.0600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 Ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 55 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N747ATR | - | ![]() | 3449 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3663 | 1.0000 | ![]() | 3328 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 350MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 1.5db | 12V | 50mera | NPN | 20 @ 8 mm, 10v | 2.1GHz | 6.5dB @ 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqb11n40tm | 0.5200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 11.4a (TC) | 10V | 480mohm @ 5.7a, 10V | 5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgs10n60ruftu | 0.5400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SGS10N60 | Estándar | 55 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 10a, 20ohm, 15V | - | 600 V | 16 A | 30 A | 2.8V @ 15V, 10a | 141 µJ (Encendido), 215 µJ (apaguado) | 30 NC | 15ns/36ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL610A | 0.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.744 | N-canal | 200 V | 3.3a (TC) | 5V | 1.5ohm @ 1.65a, 5V | 2V @ 250 µA | 9 NC @ 5 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC328 | 0.0600 | ![]() | 1460 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.083 | 25 V | 800 Ma | 100na | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFS2P103 | 0.4300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 5.3a (TA) | 4.5V, 10V | 59mohm @ 5.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 8 NC @ 5 V | ± 25V | 528 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 900MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5366 | 0.0400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40 V | 500 mA | 100na | PNP | 1v @ 30 mm, 300 mA | 100 @ 50mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337TF | 0.0200 | ![]() | 7350 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 7,930 | 45 V | 800 Ma | 100na | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD240A | 0.2300 | ![]() | 8277 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 30 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.022 | 60 V | 2 A | 300 µA | PNP | 700mv @ 200MA, 1A | 15 @ 1a, 4v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc546cbu | 1.0000 | ![]() | 4139 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc850bmtf | 0.0600 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 310 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock