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Productos de semiconductoros discretos (6716)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
2EZ19D2/TR8 Microsemi Corporation 2EZ19D2/TR8 -
RFQ
 ECAD 4169 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 2EZ19 2 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 14.4 V 19 V 11 ohmios
FST8145A Microsemi Corporation FST8145A -
RFQ
 ECAD 8987 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo Schottky Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 45 V 40A 530 MV @ 40 A 3 Ma @ 45 V
MS104E3/TR12 Microsemi Corporation MS104E3/TR12 -
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial MS104 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 690 MV @ 1 A 100 µA @ 40 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
2EZ43D/TR12 Microsemi Corporation 2EZ43D/TR12 -
RFQ
 ECAD 2916 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 2EZ43 2 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 32.7 V 43 V 35 ohmios
UFT20020 Microsemi Corporation UFT20020 -
RFQ
 ECAD 3721 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto Montaje de Tornillo Módulo Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 100A 975 MV @ 100 A 50 ns 50 µA @ 200 V
3EZ13DE3/TR12 Microsemi Corporation 3EZ13DE3/TR12 -
RFQ
 ECAD 4939 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 3EZ13 3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 9.9 V 13 V 4.5 ohmios
APTGT30DA170D1G Microsemi Corporation Aptgt30da170d1g -
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 ECAD 7717 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis D1 210 W Estándar D1 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1700 V 45 A 2.4V @ 15V, 30a 3 MA No 2.5 NF @ 25 V
SMBJ5955B Microsemi Corporation SMBJ5955B -
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 ECAD 7832 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5955 2 W SMBJ (DO-214AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 300 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 136.8 V 180 V 900 ohmios
1N5274BDO35 Microsemi Corporation 1N5274BDO35 -
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 ECAD 9373 0.00000000 Corpacia microsemi - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5274 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 99 V 130 V 1100 ohmios
80262 Microsemi Corporation 80262 -
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 ECAD 9314 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1
STN1037 Microsemi Corporation STN1037 -
RFQ
 ECAD 3906 0.00000000 Corpacia microsemi * Una granela Obsoleto - Rohs no conforme No Aplicable Obsoleto 0000.00.0000 1
APTGF90DA60T1G Microsemi Corporation Aptgf90da60t1g -
RFQ
 ECAD 4419 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis SP1 416 W Estándar SP1 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Escrutinio 600 V 110 A 2.5V @ 15V, 90a 250 µA Si 4.3 NF @ 25 V
MSC1175MA Microsemi Corporation MSC1175MA -
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto 250 ° C Monte del Chasis M218 400W M218 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1 8db 65V 12A NPN 15 @ 1a, 5v 1.025GHz ~ 1.15 GHz -
APT20M38SVFRG Microsemi Corporation Apt20m38svfrg -
RFQ
 ECAD 8457 0.00000000 Corpacia microsemi Power Mos V® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mosfet (Óxido de metal) D3 [S] descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 67a (TC) 10V 38mohm @ 500 mA, 10V 4V @ 1MA 225 NC @ 10 V ± 30V 6120 pf @ 25 V - 370W (TC)
2EZ170DE3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ170DE3/TR8 -
RFQ
 ECAD 7516 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 2EZ170 2 W DO-204Al (DO-41) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 130.4 V 170 V 675 ohmios
3EZ110D2/TR8 Microsemi Corporation 3EZ110D2/TR8 -
RFQ
 ECAD 8127 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 3EZ110 3 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 83.6 V 110 V 225 ohmios
APTGT75A170D1G Microsemi Corporation Aptgt75a170d1g -
RFQ
 ECAD 4082 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis D1 520 W Estándar D1 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1700 V 120 A 2.4V @ 15V, 75a 5 Ma No 6.5 NF @ 25 V
APTGT75DA170T1G Microsemi Corporation Aptgt75da170t1g -
RFQ
 ECAD 8674 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 465 W Estándar SP1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1700 V 130 A 2.4V @ 15V, 75a 250 µA Si 6.8 NF @ 25 V
APTGT75SK120T1G Microsemi Corporation Aptgt75sk120t1g -
RFQ
 ECAD 3648 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 357 W Estándar SP1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 110 A 2.1V @ 15V, 75a 250 µA Si 5.34 NF @ 25 V
APTGV30H60T3G Microsemi Corporation Aptgv30h60t3g -
RFQ
 ECAD 7693 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 90 W Estándar Sp3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Inversor de puente entero NPT, Parada de Campo de Trinchegras 600 V 50 A 1.9V @ 15V, 30a 250 µA Si 1.6 NF @ 25 V
APTGV50H120T3G Microsemi Corporation APTGV50H120T3G -
RFQ
 ECAD 2305 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis Sp3 270 W Estándar Sp3 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Inversor de puente entero NPT, Parada de Campo de Trinchegras 1200 V 75 A 2.1V @ 15V, 50A 250 µA Si 3.6 NF @ 25 V
APTM100A40FT1G Microsemi Corporation APTM100A40FT1G -
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Aptm100 Mosfet (Óxido de metal) 390W SP1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canales N (Medio Puente) 1000V (1kV) 21A 480mohm @ 18a, 10v 5V @ 2.5MA 305nc @ 10V 7868pf @ 25V -
APTM100DDA35T3G Microsemi Corporation APTM100DDA35T3G -
RFQ
 ECAD 8780 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptm100 Mosfet (Óxido de metal) 390W Sp3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canal N (Dual) 1000V (1kV) 22A 420mohm @ 11a, 10v 5V @ 2.5MA 186nc @ 10V 5200pf @ 25V -
APTM10DDAM19T3G Microsemi Corporation Aptm10ddam19t3g -
RFQ
 ECAD 8819 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptm10 Mosfet (Óxido de metal) 208W Sp3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canal N (Dual) 100V 70a 21mohm @ 35a, 10v 4V @ 1MA 200NC @ 10V 5100pf @ 25V -
APTM10TDUM19PG Microsemi Corporation Aptm10tdum19pg -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm10 Mosfet (Óxido de metal) 208W SP6-P descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 6 Canal N (Puente 3 Formas) 100V 70a 21mohm @ 35a, 10v 4V @ 1MA 200NC @ 10V 5100pf @ 25V -
APTM120DA56T1G Microsemi Corporation APTM120DA56T1G -
RFQ
 ECAD 3223 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Mosfet (Óxido de metal) SP1 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 18a (TC) 10V 672mohm @ 14a, 10v 5V @ 2.5MA 300 NC @ 10 V ± 30V 7736 pf @ 25 V - 390W (TC)
APT50GF60JU3 Microsemi Corporation Apt50gf60ju3 -
RFQ
 ECAD 7009 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis Isotop 277 W Estándar Sot-227 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Escrutinio 600 V 75 A 2.7V @ 15V, 50A 40 µA No 2.25 NF @ 25 V
APT50N60JCU2 Microsemi Corporation Apt50n60jcu2 -
RFQ
 ECAD 6826 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Mosfet (Óxido de metal) Sot-227 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 52a (TC) 10V 45mohm @ 22.5a, 10V 3.9V @ 3MA 150 NC @ 10 V ± 20V 7200 pf @ 25 V - 290W (TC)
APTC80A15T1G Microsemi Corporation APTC80A15T1G -
RFQ
 ECAD 9850 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 APTC80 Mosfet (Óxido de metal) 277W SP1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canales N (Medio Puente) 800V 28A 150mohm @ 14a, 10v 3.9V @ 2mA 180nc @ 10V 4507pf @ 25V -
APTDR70X1601G Microsemi Corporation Aptdr70x1601g -
RFQ
 ECAD 2971 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Estándar SP1 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 1.3 V @ 70 A 20 µA @ 1600 V 70 A Fase triple 1.6 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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