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Productos de semiconductoros discretos (6716)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
APTC80SK15T1G Microsemi Corporation APTC80SK15T1G -
RFQ
 ECAD 3079 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Mosfet (Óxido de metal) SP1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 800 V 28a (TC) 10V 150mohm @ 14a, 10v 3.9V @ 2mA 180 NC @ 10 V ± 30V 4507 pf @ 25 V - 277W (TC)
JAN2N6764T1 Microsemi Corporation Jan2n6764t1 -
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/543 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) Mosfet (Óxido de metal) Un 254AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 38a (TC) 10V 65mohm @ 38a, 10v 4V @ 250 µA 125 NC @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
APT18M80S Microsemi Corporation Apt18m80s -
RFQ
 ECAD 1610 0.00000000 Corpacia microsemi Power MOS 8 ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Apt18m80 Mosfet (Óxido de metal) D3pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 800 V 19a (TC) 10V 530mohm @ 9a, 10v 5V @ 1MA 120 NC @ 10 V ± 30V 3760 pf @ 25 V - 500W (TC)
JANS2N2221AUBC Microsemi Corporation Jans2n2221aubc 130.9606
RFQ
 ECAD 1829 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/255 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 2N2221 500 MW 3-SMD descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 40 @ 150mA, 10V -
ARF521 Microsemi Corporation ARF521 -
RFQ
 ECAD 6682 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto 500 V M174 81MHz Mosfet M174 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1 N-canal 10A 50 Ma 150W 15dB - 125 V
APTGF50A120TG Microsemi Corporation Aptgf50a120tg -
RFQ
 ECAD 5735 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp4 312 W Estándar Sp4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Escrutinio 1200 V 75 A 3.7V @ 15V, 50A 250 µA Si 3.45 NF @ 25 V
1N6629US Microsemi Corporation 1N6629US -
RFQ
 ECAD 7060 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Sq-melf, un Estándar Una masa descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 880 V 1.4 v @ 1.4 a 50 ns 2 µA @ 880 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.4a 40pf @ 10V, 1 MHz
1N4715 (DO35) Microsemi Corporation 1N4715 (DO35) -
RFQ
 ECAD 7525 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4715 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 27.3 V 36 V
APT24F50S Microsemi Corporation Apt24f50s -
RFQ
 ECAD 8394 0.00000000 Corpacia microsemi Power MOS 8 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Apt24f50 Mosfet (Óxido de metal) D3pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 24a (TC) 10V 240mohm @ 11a, 10v 5V @ 1MA 90 NC @ 10 V ± 30V 3630 pf @ 25 V - 335W (TC)
JANTXV2N6802 Microsemi Corporation Jantxv2n6802 -
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/557 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-205Af Metal CAN Mosfet (Óxido de metal) TO-205AF (TO-39) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 2.5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.5a, 10v 4V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 20V - 800MW (TA), 25W (TC)
2N5093 Microsemi Corporation 2N5093 -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 Corpacia microsemi * Una granela Activo 2N5093 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
MSAD100-08 Microsemi Corporation MSAD100-08 -
RFQ
 ECAD 9575 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D1 Estándar D1 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 800 V 100A 1.35 V @ 300 A 5 Ma @ 800 V
SD1802-01 Microsemi Corporation SD1802-01 -
RFQ
 ECAD 1223 0.00000000 Corpacia microsemi * Una granela Obsoleto - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1
1N5520B (DO35) Microsemi Corporation 1N5520B (DO35) -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5520 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 1 V 3.9 V 22 ohmios
1N4128 (DO35) Microsemi Corporation 1N4128 (DO35) -
RFQ
 ECAD 5163 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4128 400 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 10 na @ 45.6 V 60 V 400 ohmios
APTM100SK40T1G Microsemi Corporation APTM100SK40T1G -
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Mosfet (Óxido de metal) SP1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1000 V 20A (TC) 10V 480mohm @ 16a, 10v 5V @ 2.5MA 260 NC @ 10 V ± 30V 6800 pf @ 25 V - 357W (TC)
MSDT75-16 Microsemi Corporation MSDT75-16 -
RFQ
 ECAD 1208 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo M4 Puente, 3 Formas - SCR/Diodos - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1 1.6 kV 3 V 920A @ 50Hz 150 Ma 75 A 1 scr, 6 diodos
APTM120A65FT1G Microsemi Corporation APTM120A65FT1G -
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Aptm120 Mosfet (Óxido de metal) 390W SP1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canales N (Medio Puente) 1200V (1.2kv) 16A 780mohm @ 14a, 10v 5V @ 2.5MA 300NC @ 10V 7736pf @ 25V -
APTM100VDA35T3G Microsemi Corporation APTM100VDA35T3G -
RFQ
 ECAD 7617 0.00000000 Corpacia microsemi Power MOS 7® Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptm100 Mosfet (Óxido de metal) 390W Sp3 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 2 Canal N (Dual) 1000V (1kV) 22A 420mohm @ 11a, 10v 5V @ 2.5MA 186nc @ 10V 5200pf @ 25V -
UFR8515 Microsemi Corporation UFR8515 148.2150
RFQ
 ECAD 6029 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental UFR8515 Estándar Do-5 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 85 A 50 ns 50 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C - 675pf @ 10V, 1MHz
APTM120DA68T1G Microsemi Corporation APTM120DA68T1G -
RFQ
 ECAD 3214 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Mosfet (Óxido de metal) SP1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 15A (TC) 10V 816mohm @ 12a, 10v 5V @ 2.5MA 260 NC @ 10 V ± 30V 6696 pf @ 25 V - 357W (TC)
MSCD165-18 Microsemi Corporation MSCD165-18 -
RFQ
 ECAD 2680 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D2 Estándar descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1800 V 165a 1.4 V @ 300 A 9 Ma @ 1800 V
VRF3933 Microsemi Corporation VRF3933 113.5000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo 250 V M177 VRF3933 30MHz Mosfet M177 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1 N-canal 20A 250 Ma 300W 22dB - 100 V
APTM50DSKM65T3G Microsemi Corporation Aptm50dskm65t3g -
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptm50 Mosfet (Óxido de metal) 390W Sp3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canal N (Dual) 500V 51a 78mohm @ 25.5a, 10V 5V @ 2.5MA 140nc @ 10V 7000PF @ 25V -
SMBJ5335BE3/TR13 Microsemi Corporation SMBJ5335BE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 8791 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5335 5 W SMBJ (DO-214AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 50 µA @ 1 V 3.9 V 2 ohmios
JANTXV2N6898 Microsemi Corporation Jantxv2n6898 -
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 Mosfet (Óxido de metal) A 3 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 4 Canal P 100 V 25A (TC) 10V 200mohm @ 15.8a, 10V 4V @ 250 µA ± 20V 3000 pf @ 25 V - 150W (TC)
0510-50A Microsemi Corporation 0510-50A -
RFQ
 ECAD 1950 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis 55av 50W 55av descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1 7db 27 V 3.7a - 10 @ 500mA, 5V 500MHz ~ 1 GHz -
MS1701 Microsemi Corporation MS1701 -
RFQ
 ECAD 4345 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1
3EZ39D2/TR12 Microsemi Corporation 3EZ39D2/TR12 -
RFQ
 ECAD 2794 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 3EZ39 3 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 29.7 V 39 V 28 ohmios
APT6040BNG Microsemi Corporation Apt6040bng -
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 Corpacia microsemi Power MOS IV® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 247ad descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 400mohm @ 9a, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ± 30V 2950 pf @ 25 V - 310W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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