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Productos de semiconductoros discretos (6716)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Voltaje - PrueBa Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
1N5954CG Microsemi Corporation 1N5954CG 6.7950
RFQ
 ECAD 6811 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5954 1.25 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 121.6 V 160 V 700 ohmios
1N5955BG Microsemi Corporation 1N5955BG 3.4050
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5955 1.25 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 136.8 V 180 V 900 ohmios
1N5956AG Microsemi Corporation 1N5956AG 3.4050
RFQ
 ECAD 2567 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5956 1.25 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 152 V 200 V 1200 ohmios
1N5956DG Microsemi Corporation 1N5956DG 8.9700
RFQ
 ECAD 5916 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5956 1.25 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 152 V 200 V 1200 ohmios
VRF191 Microsemi Corporation VRF191 -
RFQ
 ECAD 1108 0.00000000 Corpacia microsemi - Tubo Obsoleto 270 V T11 30MHz Mosfet T11 descascar 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1 N-canal 12A 250 Ma 150W 22dB - 100 V
APT10SCD120K Microsemi Corporation Apt10scd120k 10.1000
RFQ
 ECAD 345 0.00000000 Corpacia microsemi - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220 [k] - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.5 V @ 10 A 0 ns - 10A -
APTGT50A1202G Microsemi Corporation Aptgt50a1202g -
RFQ
 ECAD 7263 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP2 277 W Estándar SP2 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 75 A 2.1V @ 15V, 50A 50 µA No 3.6 NF @ 25 V
HS246150R Microsemi Corporation HS246150R -
RFQ
 ECAD 5364 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Medios de comunicación Schottky, Polaridad Inversa Medios de comunicación descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 860 MV @ 240 A 8 Ma @ 150 V 240a 6000PF @ 5V, 1MHz
APTM20DHM16T3G Microsemi Corporation Aptm20dhm16t3g -
RFQ
 ECAD 1995 0.00000000 Corpacia microsemi Power MOS 7® Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptm20 Mosfet (Óxido de metal) 390W Sp3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Asimétrico del canal (dual) 200V 104a 19mohm @ 52a, 10v 5V @ 2.5MA 140nc @ 10V 7220pf @ 25V -
APTML502UM90R020T3AG Microsemi Corporation APTML502UM90R020T3AG -
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 APTML502 Mosfet (Óxido de metal) 568W Sp3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canal N (Dual) 500V 52a 108mohm @ 26a, 10v 4V @ 2.5MA - 7600pf @ 25V -
APT20DC120HJ Microsemi Corporation Apt20dc120hj -
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Apt20dc120 Silicon Carbide Schottky Sot-227 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 1.8 V @ 20 A 400 µA @ 1200 V 20 A Fase única 1.2 kV
APT40DC120HJ Microsemi Corporation Apt40dc120hj -
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Apt40dc120 Silicon Carbide Schottky Sot-227 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 1.8 V @ 40 A 800 µA @ 1200 V 40 A Fase única 1.2 kV
APTGF90DA60CT1G Microsemi Corporation Aptgf90da60ct1g -
RFQ
 ECAD 8320 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis SP1 416 W Estándar SP1 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Escrutinio 600 V 110 A 2.5V @ 15V, 100A 250 µA Si 4.3 NF @ 25 V
UFT7260SM2C Microsemi Corporation UFT7260SM2C -
RFQ
 ECAD 9088 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto Monte del Chasis M2 Estándar SM2 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 35a 1.35 V @ 35 A 75 ns 25 µA @ 600 V
APT10SCD65KCT Microsemi Corporation Apt10scd65kct -
RFQ
 ECAD 3406 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Apt10s Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 17A 1.8 V @ 10 A 0 ns 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 150 ° C
APT20SCD65K Microsemi Corporation Apt20scd65k -
RFQ
 ECAD 9633 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220 [k] descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.8 V @ 20 A 0 ns 400 µA @ 650 V -55 ° C ~ 150 ° C 32a 680pf @ 100mv, 1 MHz
SZL2.0A Microsemi Corporation Szl2.0a -
RFQ
 ECAD 8805 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 500 MW UB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 100 Ma 50 na @ 1.1 V 2 V 325 ohmios
1N4890 Microsemi Corporation 1N4890 -
RFQ
 ECAD 5850 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 400 MW Do-7 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 100 6.35 V 10 ohmios
UFR8520R Microsemi Corporation UFR8520R 148.2150
RFQ
 ECAD 1453 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental UFR8520 Estándar Do-5 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 975 MV @ 85 A 50 ns 50 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 85a 675pf @ 10V, 1MHz
2EZ15D5 Microsemi Corporation 2EZ15D5 -
RFQ
 ECAD 2176 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 2EZ15 2 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 11.4 V 15 V 7 ohmios
2EZ39D5 Microsemi Corporation 2EZ39D5 -
RFQ
 ECAD 7117 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 2EZ39 2 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 29.7 V 39 V 30 ohmios
2EZ43D5 Microsemi Corporation 2EZ43D5 -
RFQ
 ECAD 8863 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 2EZ43 2 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 32.7 V 43 V 35 ohmios
1N5251BDO35 Microsemi Corporation 1N5251BDO35 -
RFQ
 ECAD 2529 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5251 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 17 V 22 V 29 ohmios
1N5262BDO35 Microsemi Corporation 1N5262BDO35 -
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5262 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 39 V 51 V 125 ohmios
1N5345B Microsemi Corporation 1N5345B -
RFQ
 ECAD 8374 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5345 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 10 µA @ 6.25 V 8.7 V 2 ohmios
1N5362B Microsemi Corporation 1N5362B -
RFQ
 ECAD 9221 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5362 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 20.1 V 28 V 6 ohmios
1N5367B Microsemi Corporation 1N5367B -
RFQ
 ECAD 8133 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5367 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 31 V 43 V 20 ohmios
1N5380B Microsemi Corporation 1N5380B -
RFQ
 ECAD 6468 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5380 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 86.4 V 120 V 170 ohmios
1N5387B Microsemi Corporation 1N5387B -
RFQ
 ECAD 3172 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5387 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 137 V 190 V 450 ohmios
MSD50-16 Microsemi Corporation MSD50-16 -
RFQ
 ECAD 1383 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC M1 Estándar MSD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 1.5 V @ 100 A 200 µA @ 1600 V 50 A Fase triple 1.6 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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