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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
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![]() | APT80SM120J | - | ![]() | 1845 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Sot-227 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 V | 51a (TC) | 20V | 55mohm @ 40a, 20V | 2.5V @ 1MA | 235 NC @ 20 V | +25V, -10V | - | 273W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n6898 | - | ![]() | 4635 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | Mosfet (Óxido de metal) | A 3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | Canal P | 100 V | 25A (TC) | 10V | 200mohm @ 15.8a, 10V | 4V @ 250 µA | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt10043jvr | - | ![]() | 2867 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tubo | Obsoleto | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Mosfet (Óxido de metal) | ISOTOP® | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 V | 22a (TJ) | 430mohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 1MA | 480 NC @ 10 V | 9000 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT11GF120BRDQ1G | - | ![]() | 4997 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt11g | Estándar | 156 W | To-247 [b] | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 800V, 8a, 10ohm, 15V | Escrutinio | 1200 V | 25 A | 24 A | 3V @ 15V, 8a | 300 µJ (Encendido), 285 µJ (apaguado) | 65 NC | 7ns/100ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt6m100k | - | ![]() | 8814 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 [k] | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 1000 V | 6a (TC) | 10V | 2.5ohm @ 3a, 10v | 5V @ 1MA | 43 NC @ 10 V | ± 30V | 1410 pf @ 25 V | - | 225W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
APT75GN120JDQ3G | - | ![]() | 4063 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Isotop | 379 W | Estándar | ISOTOP® | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 124 A | 2.1V @ 15V, 75a | 200 µA | No | 4.8 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Apt75gn120j | - | ![]() | 8164 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Isotop | 379 W | Estándar | ISOTOP® | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 124 A | 2.1V @ 15V, 75a | 100 µA | No | 4.8 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Apt8024lllg | - | ![]() | 2059 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 7® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | Mosfet (Óxido de metal) | To-264 [l] | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 800 V | 31a (TC) | 10V | 240mohm @ 15.5a, 10v | 5V @ 2.5MA | 160 NC @ 10 V | ± 30V | 4670 pf @ 25 V | - | 565W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt15f60b | - | ![]() | 4244 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 8 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt15f60 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 430mohm @ 7a, 10v | 5V @ 500 µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 2882 pf @ 25 V | - | 290W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt15gp90kg | - | ![]() | 1950 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 7® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Apt15gp90 | Estándar | 250 W | Un 220 [k] | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 600V, 15a, 4.3ohm, 15V | PT | 900 V | 43 A | 60 A | 3.9V @ 15V, 15a | 200 µJ (apaguado) | 60 NC | 9ns/33ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt15s20kctg | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Apt15 | Schottky | Un 220 [k] | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 25A | 830 MV @ 15 A | 80 ns | 250 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt20m19jvr | - | ![]() | 7350 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power Mos V® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Mosfet (Óxido de metal) | ISOTOP® | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 200 V | 112a (TC) | 10V | 19mohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 1MA | 495 NC @ 10 V | ± 30V | 11640 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt20n60bc3g | - | ![]() | 3471 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 20.7a (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10v | 3.9V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 2440 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt2x60d20j | - | ![]() | 2292 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tubo | Obsoleto | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Apt2x60 | Estándar | ISOTOP® | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 200 V | 60A | 1.3 V @ 60 A | 31 ns | 250 µA @ 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt30dq100bctg | - | ![]() | 6105 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt30 | Estándar | To-247 [b] | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1000 V | 30A | 3 V @ 30 A | 295 ns | 100 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt5020svrg | - | ![]() | 1482 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power Mos V® | Tubo | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Mosfet (Óxido de metal) | D3 [S] | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 26a (TC) | 10V | 200mohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 1MA | 225 NC @ 10 V | - | 4440 pf @ 25 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt5510jfll | - | ![]() | 2720 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 7® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Mosfet (Óxido de metal) | ISOTOP® | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 550 V | 44a (TC) | 10V | 100mohm @ 22a, 10v | 5V @ 2.5MA | 124 NC @ 10 V | ± 30V | 5823 pf @ 25 V | - | 463W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt5f100k | - | ![]() | 2014 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Power MOS 8 ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 [k] | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 1000 V | 5A (TC) | 10V | 2.8ohm @ 3a, 10v | 5V @ 500 µA | 43 NC @ 10 V | ± 30V | 1409 pf @ 25 V | - | 225W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB10045E3 | - | ![]() | 7923 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tubo | Obsoleto | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | SPB100 | Schottky | Sot-227 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 45 V | 100A | 570 MV @ 100 A | 5 Ma @ 45 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4762ado41E3 | - | ![]() | 8828 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4762 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5260BDO35E3 | - | ![]() | 3152 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5260 | 500 MW | Do-35 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ130D5DO41E3 | - | ![]() | 1476 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 2EZ130 | 2 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 98.8 V | 130 V | 400 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ5.1D5DO41E3 | - | ![]() | 7374 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 2EZ5.1 | 2 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 5.1 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ6.8D5DO41E3 | - | ![]() | 2131 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 2EZ6.8 | 2 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.8 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ75D5DO41E3 | - | ![]() | 9084 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 2EZ75 | 2 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 56 V | 75 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2EZ91D5DO41E3 | - | ![]() | 3831 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 2EZ91 | 2 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 69.2 V | 91 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR8050E3 | - | ![]() | 8996 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Descontinuado en sic | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | Schottky | Do-203ab | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 740 MV @ 80 A | 2 Ma @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 80A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL4109TR | - | ![]() | 2979 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4109 | 500 MW | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 237 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.4 V | 15 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Aptgf30tl601g | - | ![]() | 6847 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | SP1 | 140 W | Estándar | SP1 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor de Tres Niveles | Escrutinio | 600 V | 42 A | 2.45V @ 15V, 30A | 250 µA | No | 1.35 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSAD120-16 | - | ![]() | 8247 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | D1 | Estándar | D1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 1600 V | 120a | 1.43 V @ 300 A | 6 Ma @ 1600 V |
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