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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
CRS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I30A (TE85L, QM 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F CRS10I30 Schottky S-FLAT (1.6x3.5) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 390 MV @ 700 Ma 60 µA @ 30 V 150 ° C 1A 50pf @ 10V, 1 MHz
TPN3300ANH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN3300Anh, LQ 0.9000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPN3300 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.3x3.3) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 9.4a (TC) 10V 33mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 100 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 880 pf @ 50 V - 700MW (TA), 27W (TC)
XPJR6604PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPJR6604PB, LXHQ 2.7700
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 5-Powersfn Mosfet (Óxido de metal) S-togl ™ - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 200a (TA) 6V, 10V 0.66mohm @ 100a, 10V 3V @ 1MA 128 NC @ 10 V ± 20V 11380 pf @ 10 V - 375W (TC)
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1, S4X 1.4900
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK42A12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 120 V 42a (TC) 10V 9.4mohm @ 21a, 10v 4V @ 1MA 52 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 60 V - 35W (TC)
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W, S1F 3.3800
RFQ
 ECAD 8957 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TK14N65 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 13.7a (TA) 10V 250mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 130W (TC)
JDV2S09FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S09FSTPL3 0.0766
RFQ
 ECAD 7473 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano JDV2S09 FSC - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 10,000 11.1pf @ 1v, 1 MHz Soltero 10 V 2.1 C1/C4 -
RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN2102 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
SSM6N55NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N55NU, LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn SSM6N55 Mosfet (Óxido de metal) 1W 6-µDFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 4A 46mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 100 µA 2.5nc @ 4.5V 280pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
2SC3328-Y,T6CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-Y, T6CKF (J -
RFQ
 ECAD 5365 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC3328 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 80 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TRS12N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB, S1Q 4.9600
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 TRS12N65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247 - 1 (ilimitado) 264-TRS12N65FBS1Q EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 6a (DC) 1.6 v @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 V 175 ° C
TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB, S1Q 6.0900
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 TRS16N65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247 - 1 (ilimitado) 264-TRS16N65FBS1Q EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 8a (DC) 1.6 v @ 8 a 0 ns 40 µA @ 650 V 175 ° C
TRS20N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65FB, S1Q 6.4400
RFQ
 ECAD 9973 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 TRS20N65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247 - 1 (ilimitado) 264-TRS20N65FBS1Q EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 10a (DC) 1.6 v @ 10 a 0 ns 50 µA @ 650 V 175 ° C
TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4K1A60F, S4X 0.8300
RFQ
 ECAD 8560 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK4K1A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 2a (TA) 10V 4.1ohm @ 1a, 10v 4V @ 190 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 270 pf @ 300 V - 30W (TC)
TK22A65X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X, S5X 3.8400
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK22A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 22a (TA) 10V 150mohm @ 11a, 10v 3.5V @ 1.1MA 50 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 45W (TC)
TK3R2A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2A10PL, S4X 2.9400
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK3R2A10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 161 NC @ 10 V ± 20V 9500 pf @ 50 V - 54W (TC)
TK380A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK380A65Y, S4X 1.8300
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK380A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 9.7a (TC) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 360 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 590 pf @ 300 V - 30W (TC)
TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL, LQ 0.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPN5R203 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 38a (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 19a, 10v 2.1V @ 200 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1975 pf @ 15 V - 610MW (TA), 61W (TC)
TK28N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W5, S1F 6.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-3 TK28N65 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 27.6a (TA) 10V 130mohm @ 13.8a, 10v 4.5V @ 1.6MA 90 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 230W (TC)
TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL, L1Q 1.5800
RFQ
 ECAD 9110 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH1R405 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 45 V 120a (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 50A, 10V 2.4V @ 500 µA 74 NC @ 10 V ± 20V 6300 pf @ 22.5 V - 960MW (TA), 132W (TC)
TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR6003PL, L1Q 3.0600
RFQ
 ECAD 458 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-PowerWDFN TPWR6003 Mosfet (Óxido de metal) Avance de 8-dsop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 150A (TC) 4.5V, 10V 0.6mohm @ 50A, 10V 2.1V @ 1MA 110 NC @ 10 V ± 20V 10000 pf @ 15 V - 960MW (TA), 170W (TC)
TPN11006PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006PL, LQ 0.6400
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPN11006 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 26a (TC) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 13a, 10v 2.5V @ 200 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1625 pf @ 30 V - 610MW (TA), 61W (TC)
TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W, LQ 5.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas TK28V65 Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 27.6a (TA) 10V 120mohm @ 13.8a, 10V 3.5V @ 1.6MA 75 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 240W (TC)
TK31Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31Z60X, S1F 12.4300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-4 TK31Z60 Mosfet (Óxido de metal) To-247-4l (t) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 30.8a (TA) 10V 88mohm @ 9.4a, 10v 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 230W (TC)
TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL, L1Q 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH3R70 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 45a, 10v 2.5V @ 1MA 67 NC @ 10 V ± 20V 6300 pf @ 50 V - 960MW (TA), 170W (TC)
TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL, L1Q 2.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH1R306 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1.34mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 960MW (TA), 170W (TC)
TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E10PL, S1X 1.3400
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 TK110E10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 42a (TC) 4.5V, 10V 10.7mohm @ 21a, 10v 2.5V @ 300 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2040 pf @ 50 V - 87W (TC)
TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH, L1Q 1.9800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH1500 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 150 V 38a (TC) 10V 15.4mohm @ 19a, 10v 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 75 V - 1.6W (TA), 78W (TC)
TK10A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50W, S5X 1.9200
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK10A50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 9.7a (TA) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 3.7V @ 500 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 300 V - 30W (TC)
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL, S4X 1.0900
RFQ
 ECAD 328 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK110A10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 36A (TC) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 300 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2040 pf @ 50 V - 36W (TC)
TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W5, LQ 5.5700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas TK28V65 Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 27.6a (TA) 10V 140mohm @ 13.8a, 10v 4.5V @ 1.6MA 90 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 240W (TC)
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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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