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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A (TE85L, QM 0.4700
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F CRS10I40 Estándar S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 40 V 490 MV @ 700 Ma 60 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1A 35pf @ 10V, 1 MHz
1SS389,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS389, L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 3437 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 1SS389 Schottky ESC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 8,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 10 V 500 MV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA 40pf @ 0V, 1 MHz
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111ACT (TPL3) 0.0527
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2111 100 MW CST3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 Ma 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 10 kohms
1SS394TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS394TE85LF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1SS394 Schottky SC-59 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 10 V 500 MV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA 40pf @ 0V, 1 MHz
TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK34A10N1, S4X 1.5500
RFQ
 ECAD 9909 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK34A10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 34a (TC) 10V 9.5mohm @ 17a, 10v 4V @ 500 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 50 V - 35W (TC)
TK6A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A53D (STA4, Q, M) 1.5000
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK6A53 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 525 V 6a (TA) 10V 1.3ohm @ 3a, 10v 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 35W (TC)
TK13A55DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A55DA (STA4, QM) 2.8600
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK13A55 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 12.5a (TA) 10V 480mohm @ 6.3a, 10v 4V @ 1MA 38 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 45W (TC)
TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH, LQ 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPN30008 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.3x3.3) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 9.6a (TC) 10V 30mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 100 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 920 pf @ 40 V - 700MW (TA), 27W (TC)
3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK291 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 12.5 V Montaje en superficie SC-61AA 3SK291 800MHz Mosfet Smq - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 10 Ma - 22.5db 2.5db 6 V
SSM3J372R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R, LF 0.4400
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J372 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 6a (TA) 1.8v, 10v 42mohm @ 5a, 10v 1.2V @ 1MA 8.2 NC @ 4.5 V +12V, -6V 560 pf @ 15 V - 1W (TA)
TK60P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1, RQ (S -
RFQ
 ECAD 6408 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK60P03 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 60A (TA) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 30a, 10v 2.3V @ 500 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 10 V - 63W (TC)
TK46A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK46A08N1, S4X 1.0700
RFQ
 ECAD 7780 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK46A08 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 46a (TC) 10V 8.4mohm @ 23a, 10v 4V @ 500 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 40 V - 35W (TC)
RN1416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1416, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1416 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 10 kohms
TPC8092,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8092, LQ (S -
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TPC8092 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 15a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 7.5a, 10v 2.3V @ 200 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 10 V - 1W (TA)
TK7A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK7A90E, S4X 1.6900
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosviii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK7A90 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 7a (TA) 10V 2ohm @ 3.5a, 10v 4V @ 700 µA 32 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 25 V - 45W (TC)
RN1421TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1421te85lf 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1421 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 800 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV @ 2 mm, 50 Ma 60 @ 100mA, 1V 300 MHz 1 kohms 1 kohms
RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1118 100 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 10 kohms
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103, LF (CT 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1103 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
RN2103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 1846 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2103 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 10mA, 5V 22 kohms 22 kohms
RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1673 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1673 300MW US6 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V - 47 kohms -
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J133TU, LF 0.4600
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3J133 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 5.5a (TA) 1.5V, 4.5V 29.8mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 V ± 8V 840 pf @ 10 V - 500MW (TA)
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1311 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250 MHz 10 kohms
2SC5066-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5066-O, LF -
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SC5066 100MW SSM - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 - 12V 30mera NPN 80 @ 10mA, 5V 7GHz 1DB @ 500MHz
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV (TL3, T) 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1131 150 MW Vesm descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 100 kohms
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905, LF (CT 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2905 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2 kohms 47 kohms
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2311 (TE85L, F) 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2311 100 MW SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200 MHz 10 kohms
RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1610 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN1610 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 4.7 kohms -
SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N58NU, LF 0.4600
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn Ssm6n58 Mosfet (Óxido de metal) 1W 6-udfn (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 4A 84mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 1MA 1.8nc @ 4.5V 129pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 1.8v
RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2610 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN2610 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200MHz 4.7 kohms -
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101, LF (CT 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1101 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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