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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Drenaje real (ID) - Max
CMF04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF04 (TE12L, Q, M) 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 CMF04 Estándar M-FLAT (2.4x3.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 2.5 V @ 500 Ma 100 ns 50 µA @ 800 V -40 ° C ~ 150 ° C 500mA -
CUS520,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS520, H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 707 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 CUS520 Schottky USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 280 MV @ 10 Ma 5 µA @ 30 V 125 ° C (Máximo) 200 MMA 17pf @ 0v, 1 MHz
2SA1962-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1962-O (Q) -
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SA1962 130 W A-3p (n) descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.29.0075 50 230 V 15 A 5 µA (ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 30MHz
RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1968 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 47 kohms
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302, LF 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1302 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1113 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 300 @ 1 mapa, 5V 47 kohms
TK60P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1, RQ (S -
RFQ
 ECAD 6408 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK60P03 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 60A (TA) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 30a, 10v 2.3V @ 500 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 10 V - 63W (TC)
HN2S03T(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03T (TE85L) -
RFQ
 ECAD 3763 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 4-smd, planos de cables HN2S03 Schottky TESQ - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 4.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 20 V 50mera 550 MV @ 50 Ma 500 na @ 20 V 125 ° C (Máximo)
TK16A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W, S4VX 2.9700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK16A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 15.8a (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 40W (TC)
TK16J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W, S1VQ -
RFQ
 ECAD 8499 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 TK16J60 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 15.8a (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 130W (TC)
SSM3J334R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J334R, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 208 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J334 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 4A (TA) 4V, 10V 71mohm @ 3a, 10v 2V @ 100 µA 5.9 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 15 V - 1W (TA)
TK5Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5Q60W, S1VQ 1.8600
RFQ
 ECAD 2135 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak TK5Q60 Mosfet (Óxido de metal) I-pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 5.4a (TA) 10V 900mohm @ 2.7a, 10V 3.7V @ 270 µA 10.5 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 300 V - 60W (TC)
TPH4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008NH, L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH4R008 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 60A (TC) 10V 4mohm @ 30a, 10v 4V @ 1MA 59 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 40 V - 1.6W (TA), 78W (TC)
TK16G60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W, RVQ 6.0900
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TK16G60 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 15.8a (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 130W (TC)
TK100L60W,VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W, VQ 34.7700
RFQ
 ECAD 5509 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-3PL TK100L60 Mosfet (Óxido de metal) A-3P (L) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 600 V 100A (TA) 10V 18mohm @ 50A, 10V 3.7V @ 5MA 360 NC @ 10 V ± 30V 15000 pf @ 30 V - 797W (TC)
2SC4944-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944-Gr (TE85L, F 0.3500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SC4944 200 MW USV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Gr (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100 MW SC-59 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 8.2pf @ 10V 50 V 2.6 Ma @ 10 V 400 MV @ 100 na 6.5 Ma
2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-O (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100 MW SC-59 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 8.2pf @ 10V 50 V 600 µA @ 10 V 400 MV @ 100 na 6.5 Ma
2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-BL (TE85L, F) 0.4400
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SK209 150 MW SC-59 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 13PF @ 10V 50 V 14 Ma @ 10 V 1.5 v @ 100 na 14 MA
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK209-Y (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SK209 150 MW SC-59 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 13PF @ 10V 50 V 14 Ma @ 10 V 1.5 v @ 100 na 14 MA
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SSM3J16 Mosfet (Óxido de metal) CST3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 100 mA (TA) 1.5V, 4V 8ohm @ 10mA, 4V 1.1V @ 100 µA ± 10V 11 pf @ 3 V - 100MW (TA)
SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K302 Mosfet (Óxido de metal) TSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 3a (TA) 1.8v, 4V 71mohm @ 2a, 4v - 4.3 NC @ 4 V ± 12V 270 pf @ 10 V - 700MW (TA)
1SS384TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS384TE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-82 1SS384 Schottky Usq descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 10 V 100mA 500 MV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125 ° C (Máximo)
1SS402TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS402TE85LF 0.3800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-82 1SS402 Schottky Usq descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 20 V 50mera 550 MV @ 50 Ma 500 na @ 20 V 125 ° C (Máximo)
2SK2034TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2034TE85LF -
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SK2034 Mosfet (Óxido de metal) SC-70 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 100 mA (TA) 2.5V 12ohm @ 10mA, 2.5V - 10V 8.5 pf @ 3 V - 100MW (TA)
2SK880GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2sk880grte85lf 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SK880 100 MW SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 13PF @ 10V 50 V 2.6 Ma @ 10 V 1.5 v @ 100 na
HN1D03FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn1d03fte85lf 0.4200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 HN1D03 Estándar SC-74 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 par ca + cc 80 V 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
HN2D01FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn2d01fte85lf 0.4700
RFQ
 ECAD 201 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 HN2D01 Estándar SC-74 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 80 V 80mera 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
HN2S03FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn2s03fute85lf 0.4300
RFQ
 ECAD 560 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 HN2S03 Schottky US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 20 V 50mera 550 MV @ 50 Ma 500 na @ 20 V 125 ° C (Máximo)
SSM6L09FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm6l09fute85lf 0.4900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SSM6L09 Mosfet (Óxido de metal) 300MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 30V 400 Ma, 200 Ma 700mohm @ 200 MMA, 10V 1.8V @ 100 µA - 20pf @ 5V Puerta de Nivel Lógico
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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