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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
CUS357,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS357, H3F 0.1900
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 CUS357 Schottky USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 600 MV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125 ° C (Máximo) 100mA 11PF @ 0V, 1MHz
SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K36TU, LF 0.3600
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3K36 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 500 mA (TA) 1.5V, 5V 630mohm @ 200MA, 5V 1V @ 1MA 1.23 NC @ 4 V ± 10V 46 pf @ 10 V - 800MW (TA)
TDTC114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC114E, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 5134 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC114 320 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
SSM6N36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36TU, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables SSM6N36 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 500 mA (TA) 630mohm @ 200MA, 5V 1V @ 1MA 1.23nc @ 4V 46pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico, Transmisión de 1.5V
SSM6P36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P36TU, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables SSM6P36 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 330 mA (TA) 1.31ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 1MA 1.2NC @ 4V 43pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico, Transmisión de 1.5V
CUHS15F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F40, H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano CUHS15 Schottky US2H descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 630 MV @ 1.5 A 50 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1.5a 130pf @ 0V, 1 MHz
SSM3K122TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K122TU, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3K122 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2a (TA) 1.5V, 4V 123mohm @ 1a, 4V 1V @ 1MA 3.4 NC @ 4 V ± 10V 195 pf @ 10 V - 500MW (TA)
SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K131TU, LF 0.5000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3K131 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 6a (TA) 4.5V, 10V 27.6mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 1MA 10.1 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 15 V - 500MW (TA)
SSM3K48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K48FU, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SC-70, SOT-323 SSM3K48 Mosfet (Óxido de metal) Usm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 100 mA (TA) 2.5V, 4V 3.2ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100 µA ± 20V 15.1 pf @ 3 V - 150MW (TA)
SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-SMD (5 cables), Plano Plano SSM5H16 Mosfet (Óxido de metal) UFV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 1.9a (TA) 1.8v, 4V 133mohm @ 1a, 4V 1V @ 1MA 1.9 NC @ 4 V ± 12V 123 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 500MW (TA)
SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H90ATU, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 5-smd, planos de cables SSM5H90 Mosfet (Óxido de metal) UFV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2.4a (TA) 2.5V, 4V 65mohm @ 1.5a, 4V 1.2V @ 1MA 2.2 NC @ 4 V ± 10V 200 pf @ 10 V - 500MW (TA)
SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K208FE, LF 0.5200
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6K208 Mosfet (Óxido de metal) ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 30 V 1.9a (TA) 1.8v, 4V 133mohm @ 1a, 4V 1V @ 1MA 1.9 NC @ 4 V ± 12V 123 pf @ 15 V - 500MW (TA)
SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N40TU, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables SSM6N40 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 1.6a (TA) 122mohm @ 1a, 10v 2.6V @ 1MA 5.1NC @ 10V 180pf @ 15V Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 4V
1SS385FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385FV, L3F 0.2400
RFQ
 ECAD 157 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 1SS385 Schottky Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 8,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 10 V 500 MV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA 20pf @ 0V, 1 MHz
1SS406,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS406, H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 1SS406 Schottky USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 20 V 550 MV @ 50 Ma 500 na @ 20 V 125 ° C (Máximo) 50mera 3.9pf @ 0v, 1 MHz
RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1707, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1707 200MW USV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10 kohms 47 kohms
RN1709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1709, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1709 200MW USV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 22 kohms
RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1711, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 1202 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1711 200MW USV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 10 kohms -
RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 8828 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 100MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 10 kohms -
RN4908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22 kohms 47 kohms
RN4988FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988FE, LF (CT 0.2500
RFQ
 ECAD 8319 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4988 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22 kohms 47 kohms
RN1415,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1415, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN1418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 10 kohms
RN2103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103, LF (CT 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2103 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
RN2113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113, LF (CT 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2113 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200 MHz 47 kohms
RN2303,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2303 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
RN2406,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2406 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 47 kohms
2SA2154MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-Y, L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 2SA2154 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
2SA2195,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2195, LF 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables 2SA2195 500 MW UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 1.7 A 100NA (ICBO) PNP 200 MV @ 33MA, 1A 200 @ 300mA, 2V -
2SC4117-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4117-Gr, LF 0.2300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC4117 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 120 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1 mapa, 10 ma 200 @ 2mA, 6V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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