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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
CRZ12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ12 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F CRZ12 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 8 V 12 V 30 ohmios
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ13 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 3970 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F CRZ13 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 9 V 13 V 30 ohmios
CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ30 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 9098 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F CRZ30 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 21 V 30 V 30 ohmios
CRZ36(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ36 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F CRZ36 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 28.8 V 36 V 30 ohmios
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ39 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 7342 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F CRZ39 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 31.2 V 39 V 35 ohmios
CRZ47(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 4033 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F CRZ47 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 37.6 V 47 V 65 ohmios
CUS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I30A (TE85L, QM -
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-76, SOD-323 Cus10i30 Schottky US-Flat (1.25x2.5) descascar Cumplimiento de Rohs CUS10I30A (TE85LQM EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 390 MV @ 700 Ma 60 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 1A 50pf @ 10V, 1 MHz
TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y, RQ 1.7400
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK290P60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 11.5A (TC) 10V 290mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 450 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 730 pf @ 300 V - 100W (TC)
TK560A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A60Y, S4X 1.5300
RFQ
 ECAD 1059 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK560A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 560mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 240 µA 14.5 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 300 V - 30W
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y, S4X 1.5700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK560A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 560mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 240 µA 14.5 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 300 V - 30W
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J358 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 6a (TA) 1.8v, 8V 22.1mohm @ 6a, 8V 1V @ 1MA 38.5 NC @ 8 V ± 10V 1331 pf @ 10 V - 1W (TA)
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV, L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 SSM3K35 Mosfet (Óxido de metal) Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 N-canal 20 V 250 mA (TA) 1.2V, 4.5V 1.1ohm @ 150mA, 4.5V 1V @ 100 µA 0.34 NC @ 4.5 V ± 10V 36 pf @ 10 V - 500MW (TA)
SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R, LF 0.4300
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J351 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 3.5a (TA) 4V, 10V 134mohm @ 1a, 10v 2v @ 1 mapa 15.1 NC @ 10 V +10V, -20V 660 pf @ 10 V - 2W (TA)
TK4R4P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL, RQ 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK4R4P06 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 58a (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 29a, 10v 2.5V @ 500 µA 48.2 NC @ 10 V ± 20V 3280 pf @ 30 V - 87W (TC)
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE, LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Ssm6j216 Mosfet (Óxido de metal) ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 12 V 4.8a (TA) 1.5V, 4.5V 32mohm @ 3.5a, 4.5V 1V @ 1MA 12.7 NC @ 4.5 V ± 8V 1040 pf @ 12 V - 700MW (TA)
BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage BAS316, H3F 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BAS316 Estándar USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.25 V @ 150 Ma 3 ns 200 na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 250 Ma 0.35pf @ 0V, 1MHz
BAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage BAV70, LM 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAV70 Estándar Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 215 Ma 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 200 na @ 80 V 150 ° C (Máximo)
SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU, LF 0.4900
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn SSM6J501 Mosfet (Óxido de metal) 6-udfnb (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 10a (TA) 1.5V, 4.5V 15.3mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 1MA 29.9 NC @ 4.5 V ± 8V 2600 pf @ 10 V - 1W (TA)
TK16A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK16A45D (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo - A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK16A45 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 450 V 16A 270mohm @ 8a, 10v - - -
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TK20A25D, S5Q (M -
RFQ
 ECAD 8354 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK20A25 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 20A (TA) 10V 100mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 1MA 55 NC @ 10 V ± 20V 2550 pf @ 100 V - 45W (TC)
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S04K3L (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK20S04 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 20A (TA) 6V, 10V 14mohm @ 10a, 10v 3V @ 1MA 18 NC @ 10 V ± 20V 820 pf @ 10 V - 38W (TC)
TK4A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55D (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK4A55 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 4A (TA) 10V 1.88ohm @ 2a, 10v 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - 35W (TC)
TK4P60DB(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60DB (T6RSS-Q) -
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK4P60 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TK4P60DBT6RSSQ EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 3.7a (TA) 10V 2ohm @ 1.9a, 10v 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 80W (TC)
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A45DA (STA4, Q, M) 1.2500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK6A45 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 450 V 5.5a (TA) 10V 1.35ohm @ 2.8a, 10v 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 490 pf @ 25 V - -
TK6A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A50D (STA4, Q, M) 1.3700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK6A50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 6a (TA) 10V 1.4ohm @ 3a, 10v 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 35W (TC)
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA (STA4, Q, M) 1.4000
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK7A45 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 450 V 6.5a (TA) 10V 1.2ohm @ 3.3a, 10v 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 35W (TC)
TK7A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A55D (STA4, Q, M) 1.6000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK7A55 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 7a (TA) 10V 1.25ohm @ 3.5a, 10v 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 35W (TC)
TK80S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S04K3L (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 4801 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK80S04 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 80a (TA) 6V, 10V 3.1mohm @ 40a, 10V 3V @ 1MA 87 NC @ 10 V ± 20V 4340 pf @ 10 V - 100W (TC)
TK80S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK80S06K3L (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK80S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 80a (TA) 6V, 10V 5.5mohm @ 40a, 10V 3V @ 1MA 85 NC @ 10 V ± 20V 4200 pf @ 10 V - 100W (TC)
TPC6008-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage TPC6008-H (TE85L, FM -
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 TPC6008 Mosfet (Óxido de metal) VS-6 (2.9x2.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 5.9a (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 3a, 10v 2.3V @ 100 µA 4.8 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 10 V - 700MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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