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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Current - Max Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
2SJ610(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ610 (TE16L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SJ610 Mosfet (Óxido de metal) Moldeado descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 250 V 2a (TA) 10V 2.55ohm @ 1a, 10v 3.5V @ 1MA 24 NC @ 10 V ± 20V 381 pf @ 10 V - 20W (TA)
2SK3844(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3844 (Q) -
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SK3844 Mosfet (Óxido de metal) Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 45a (TA) 10V 5.8mohm @ 23a, 10v 4V @ 1MA 196 NC @ 10 V ± 20V 12400 pf @ 10 V - 45W (TC)
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry91 (TE85L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123F Llorar 91 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 5.5 V 9.1 V 30 ohmios
DSF07S30U(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage DSF07S30U (TPH3, F) -
RFQ
 ECAD 5138 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-76, SOD-323 DSF07 Schottky USC descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 450 MV @ 700 Ma 50 µA @ 30 V 125 ° C (Máximo) 700mA 170pf @ 0V, 1 MHz
CMF05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF05 (TE12L, Q, M) 0.5300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 CMF05 Estándar M-FLAT (2.4x3.8) descascar ROHS3 Cumplante 4 (72 Horas) EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 2.7 V @ 500 Ma 100 ns 50 µA @ 800 V -40 ° C ~ 125 ° C 500mA -
CRY75(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry75 (TE85L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 7359 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123F Cry75 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 4.5 V 7.5 V 30 ohmios
SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J206FE (TE85L, F -
RFQ
 ECAD 3596 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Ssm6j206 Mosfet (Óxido de metal) ES6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 20 V 2a (TA) 1.8v, 4V 130mohm @ 1a, 4V 1V @ 1MA ± 8V 335 pf @ 10 V - 500MW (TA)
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE, LF 0.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6K202 Mosfet (Óxido de metal) ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 30 V 2.3a (TA) 1.8v, 4V 85mohm @ 1.5a, 4V 1V @ 1MA ± 12V 270 pf @ 10 V - 500MW (TA)
TK50P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P04M1 (T6RSS-Q) -
RFQ
 ECAD 3751 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK50P04 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 50A (TA) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 25A, 10V 2.3V @ 500 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 10 V - 60W (TC)
TK6A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A65D (STA4, Q, M) 1.9400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK6A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 6a (TA) 10V 1.11ohm @ 3a, 10v 4V @ 1MA 20 NC @ 10 V ± 30V 1050 pf @ 25 V - 45W (TC)
TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65D (STA4, Q, M) 2.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK8A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 8a (TA) 10V 840mohm @ 4a, 10v 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 25 V - 45W (TC)
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosv-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn TPCC8002 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.3x3.3) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 22a (TA) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 11a, 10v 2.5V @ 1MA 27 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 10 V - 700MW (TA), 30W (TC)
TPCC8005-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8005-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn TPCC8005 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.3x3.3) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 26a (TA) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 13a, 10v 2.3V @ 500 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 10 V - 700MW (TA), 30W (TC)
TPCP8103-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8103-H (TE85LFM -
RFQ
 ECAD 9306 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TPCP8103 Mosfet (Óxido de metal) PS-8 (2.9x2.4) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 40 V 4.8a (TA) 4.5V, 10V 40mohm @ 2.4a, 10V 2v @ 1 mapa 19 NC @ 10 V ± 20V 800 pf @ 10 V - 840MW (TA)
RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2312 (TE85L, F) 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2312 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200 MHz 22 kohms
SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J108TU (TE85L) -
RFQ
 ECAD 2405 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables Ssm3j108 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.8a (TA) 1.8v, 4V 158mohm @ 800 mA, 4V 1V @ 1MA ± 8V 250 pf @ 10 V - 500MW (TA)
TRS10E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65F, S1Q 4.5900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 TRS10E65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2L descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.6 v @ 10 a 0 ns 50 µA @ 650 V 175 ° C (Máximo) 10A 36pf @ 650V, 1 MHz
SSM3J375F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J375 Mosfet (Óxido de metal) S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2a (TA) 1.5V, 4.5V 150mohm @ 1a, 4.5V 1V @ 1MA 4.6 NC @ 4.5 V +6V, -8V 270 pf @ 10 V - 600MW (TA)
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315 [U/D] -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 USC descascar 1 (ilimitado) 264-1SS315 [U/D] TR EAR99 8541.10.0070 3.000 30 Ma 0.06pf @ 200mv, 1MHz Schottky - Single 5V -
SSM3J140TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU, LXHF 0.5500
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 4.4a (TA) 1.5V, 4.5V 25.8mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 1MA 24.8 NC @ 4.5 V +6V, -8V 1800 pf @ 10 V - 500MW (TA)
SSM3J143TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J143TU, LXHF 0.4600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 5.5a (TA) 1.5V, 4.5V 29.8mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 V +6V, -8V 840 pf @ 10 V - 500MW (TA)
TPH4R50ANH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R50Anh1, LQ 1.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5.75) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 92a (TC) 10V 4.5mohm @ 46a, 10v 4V @ 1MA 58 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 50 V - 800MW (TA)
RN1315,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 8527 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1315 100 MW SC-70 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47 kohms 47 kohms
RN4983,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22 kohms 22 kohms
RN4901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
2SC5819(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5819 (TE12L, ZF) -
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Caja Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1 W PW-Mini descascar EAR99 8541.29.0095 1 20 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 120mv @ 10 Ma, 500 Ma 400 @ 150mA, 2V -
RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911, LXHF (CT 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 10 kohms -
RN2304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2304, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2304 100 MW SC-70 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909, LXHF (CT 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 22 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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