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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Max | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RN1706JE (TE85L, F) | - | ![]() | 8712 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | Montaje en superficie | SOT-553 | RN1706 | 100MW | ESV | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Precializado (Dual) (Emisor Junto) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1611 (TE85L, F) | 0.4700 | ![]() | 325 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | RN1611 | 300MW | SM6 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 120 @ 1 MMA, 5V | 250MHz | 10 kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HN2A01FE-Y (TE85L, F | - | ![]() | 4533 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | HN2A01 | 100MW | ES6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 2mA, 6V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2102CT (TPL3) | - | ![]() | 9019 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | RN2102 | 50 MW | CST3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 20 V | 50 Ma | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 250 µA, 5 mA | 60 @ 10mA, 5V | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK14E65W, S1X | 3.0500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TK14E65 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 13.7a (TA) | 10V | 250mohm @ 6.9a, 10v | 3.5V @ 690 µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 300 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK35A65W, S5X | 6.5000 | ![]() | 8817 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TK35A65 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220SIS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 35A (TA) | 10V | 80mohm @ 17.5a, 10v | 3.5V @ 2.1MA | 100 NC @ 10 V | ± 30V | 4100 pf @ 300 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPHR9003NL, L1Q | 2.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | TPHR9003 | Mosfet (Óxido de metal) | Avance 8-SOP (5x5) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 0.9mohm @ 30a, 10V | 2.3V @ 1MA | 74 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 15 V | - | 1.6W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J355R, LF | 0.4200 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosvii | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-3 Platos Platos | SSM3J355 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 30.1mohm @ 4a, 4.5V | 1V @ 1MA | 16.6 NC @ 4.5 V | ± 10V | 1030 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6N35AFE, LF | 0.4000 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SSM6N35 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | ES6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 250 mA (TA) | 1.1ohm @ 150mA, 4.5V | 1V @ 100 µA | 0.34nc @ 4.5V | 36pf @ 10V | Puerta de Nivel de Lógica, Transmisión de 1.2v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SV308, L3F | 0.4300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | 1SV308 | ESC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 50 Ma | 0.5pf @ 1V, 1 MHz | PIN - Single | 30V | 1.5ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMF03 (TE12L, Q, M) | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | CMF03 | Estándar | M-FLAT (2.4x3.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 900 V | 2.5 V @ 500 Ma | 100 ns | 50 µA @ 900 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 500mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMH05 (TE12L, Q, M) | - | ![]() | 7589 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOD-128 | CMH05 | Estándar | M-FLAT (2.4x3.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | CMH05 (TE12LQM) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 100 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMS21 (TE12L, Q, M) | 0.4900 | ![]() | 4683 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | CMS21 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ15 (TE12L, Q, M) | 0.5400 | ![]() | 4730 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | CMZ15 | 2 W | M-FLAT (2.4x3.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 10 V | 15 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ22 (TE12L, Q, M) | - | ![]() | 5156 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | CMZ22 | 2 W | M-FLAT (2.4x3.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | CMZ22 (TE12LQM) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 16 V | 22 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ24 (TE12L, Q, M) | 0.5400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | CMZ24 | 2 W | M-FLAT (2.4x3.8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 17 V | 24 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRZ16 (TE85L, Q, M) | 0.4900 | ![]() | 6370 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | CRZ16 | 700 MW | S-FLAT (1.6x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 11 V | 16 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRZ20 (TE85L, Q, M) | 0.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | CRZ20 | 700 MW | S-FLAT (1.6x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 14 V | 20 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CRZ43 (TE85L, Q, M) | - | ![]() | 6678 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | CRZ43 | 700 MW | S-FLAT (1.6x3.5) | descascar | Cumplimiento de Rohs | CRZ43 (TE85LQM) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 34.4 V | 43 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CUS06 (TE85L, Q, M) | - | ![]() | 6944 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Cus06 | Schottky | US-Flat (1.25x2.5) | descascar | Cumplimiento de Rohs | CUS06 (TE85LQM) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 450 MV @ 700 Ma | 30 µA @ 20 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 1A | 40pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1114MFV, L3F | 0.2000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | RN1114 | 150 MW | Vesm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 50 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK25V60X, LQ | 2.5193 | ![]() | 9782 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv-h | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | 4-vsfn almohadillas | TK25V60 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-DFN-EP (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | TK25V60XLQ | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 25A (TA) | 10V | 135mohm @ 7.5a, 10V | 3.5V @ 1.2MA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 2400 pf @ 300 V | - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
CRZ10 (TE85L, Q) | - | ![]() | 1889 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123F | CRZ10 | 700 MW | S-FLAT (1.6x3.5) | descascar | 1 (ilimitado) | CRZ10TR-NDR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 6 V | 10 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRZ15 (TE85L, Q, M) | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123F | CRZ15 | 700 MW | S-FLAT (1.6x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 10 V | 15 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRZ47 (TE85L, Q) | - | ![]() | 3679 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123F | CRZ47 | 700 MW | S-FLAT (1.6x3.5) | descascar | 1 (ilimitado) | CRZ47TR-NDR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 37.6 V | 47 V | 65 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SV228TPH3F | 0.4400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SV228 | S-Mini | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 13.7pf @ 8V, 1MHz | 1 par Cátodo Común | 15 V | 2.6 | C3/C8 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SV280, H3F | 0.4400 | ![]() | 7027 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 1SV280 | ESC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 2pf @ 10V, 1 MHz | Soltero | 15 V | 2.4 | C2/C10 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SV304TPH3F | 0.4200 | ![]() | 121 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 1SV304 | USC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 6.6pf @ 4V, 1MHz | Soltero | 10 V | 3 | C1/C4 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SV305, L3F | 0.4400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 1SV305 | ESC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 6.6pf @ 4V, 1MHz | Soltero | 10 V | 3 | C1/C4 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2231 (TE16R1, NQ) | - | ![]() | 1483 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SK2231 | Mosfet (Óxido de metal) | Moldeado | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 5A (TA) | 4V, 10V | 160mohm @ 2.5a, 10v | 2v @ 1 mapa | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 10 V | - | 20W (TC) |
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