SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Max Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
RN1706JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1706JE (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 8712 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Activo Montaje en superficie SOT-553 RN1706 100MW ESV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7 kohms 47 kohms
RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1611 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
ECAD 325 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN1611 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 10 kohms -
HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-Y (TE85L, F -
RFQ
ECAD 4533 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 HN2A01 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 PNP (dual) 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
RN2102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102CT (TPL3) -
RFQ
ECAD 9019 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2102 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 60 @ 10mA, 5V 10 kohms 10 kohms
TK14E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W, S1X 3.0500
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TK14E65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 13.7a (TA) 10V 250mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 130W (TC)
TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W, S5X 6.5000
RFQ
ECAD 8817 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK35A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 35A (TA) 10V 80mohm @ 17.5a, 10v 3.5V @ 2.1MA 100 NC @ 10 V ± 30V 4100 pf @ 300 V - 50W (TC)
TPHR9003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL, L1Q 2.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPHR9003 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 60A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 30a, 10V 2.3V @ 1MA 74 NC @ 10 V ± 20V 6900 pf @ 15 V - 1.6W (TA), 78W (TC)
SSM3J355R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J355R, LF 0.4200
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J355 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 6a (TA) 1.8V, 4.5V 30.1mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 1MA 16.6 NC @ 4.5 V ± 10V 1030 pf @ 10 V - 1W (TA)
SSM6N35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35AFE, LF 0.4000
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6N35 Mosfet (Óxido de metal) 250MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 20V 250 mA (TA) 1.1ohm @ 150mA, 4.5V 1V @ 100 µA 0.34nc @ 4.5V 36pf @ 10V Puerta de Nivel de Lógica, Transmisión de 1.2v
1SV308,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV308, L3F 0.4300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 1SV308 ESC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 8,000 50 Ma 0.5pf @ 1V, 1 MHz PIN - Single 30V 1.5ohm @ 10mA, 100MHz
CMF03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF03 (TE12L, Q, M) 0.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 CMF03 Estándar M-FLAT (2.4x3.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 900 V 2.5 V @ 500 Ma 100 ns 50 µA @ 900 V -40 ° C ~ 125 ° C 500mA -
CMH05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH05 (TE12L, Q, M) -
RFQ
ECAD 7589 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOD-128 CMH05 Estándar M-FLAT (2.4x3.8) descascar Cumplimiento de Rohs CMH05 (TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 100 ns 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A -
CMS21(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS21 (TE12L, Q, M) 0.4900
RFQ
ECAD 4683 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo CMS21 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 0000.00.0000 3.000
CMZ15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ15 (TE12L, Q, M) 0.5400
RFQ
ECAD 4730 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-128 CMZ15 2 W M-FLAT (2.4x3.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 10 V 15 V 30 ohmios
CMZ22(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ22 (TE12L, Q, M) -
RFQ
ECAD 5156 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-128 CMZ22 2 W M-FLAT (2.4x3.8) descascar Cumplimiento de Rohs CMZ22 (TE12LQM) EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 16 V 22 V 30 ohmios
CMZ24(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ24 (TE12L, Q, M) 0.5400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-128 CMZ24 2 W M-FLAT (2.4x3.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 17 V 24 V 30 ohmios
CRZ16(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ16 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
ECAD 6370 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F CRZ16 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 11 V 16 V 30 ohmios
CRZ20(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ20 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F CRZ20 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 14 V 20 V 30 ohmios
CRZ43(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ43 (TE85L, Q, M) -
RFQ
ECAD 6678 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F CRZ43 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar Cumplimiento de Rohs CRZ43 (TE85LQM) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 34.4 V 43 V 40 ohmios
CUS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CUS06 (TE85L, Q, M) -
RFQ
ECAD 6944 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-76, SOD-323 Cus06 Schottky US-Flat (1.25x2.5) descascar Cumplimiento de Rohs CUS06 (TE85LQM) EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 700 Ma 30 µA @ 20 V -40 ° C ~ 150 ° C 1A 40pf @ 10V, 1 MHz
RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1114MFV, L3F 0.2000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1114 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
TK25V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X, LQ 2.5193
RFQ
ECAD 9782 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv-h Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas TK25V60 Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) TK25V60XLQ EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 25A (TA) 10V 135mohm @ 7.5a, 10V 3.5V @ 1.2MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
CRZ10(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ10 (TE85L, Q) -
RFQ
ECAD 1889 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123F CRZ10 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar 1 (ilimitado) CRZ10TR-NDR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 6 V 10 V 30 ohmios
CRZ15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ15 (TE85L, Q, M) 0.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123F CRZ15 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 10 V 15 V 30 ohmios
CRZ47(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ47 (TE85L, Q) -
RFQ
ECAD 3679 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123F CRZ47 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar 1 (ilimitado) CRZ47TR-NDR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 37.6 V 47 V 65 ohmios
1SV228TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV228TPH3F 0.4400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1SV228 S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 13.7pf @ 8V, 1MHz 1 par Cátodo Común 15 V 2.6 C3/C8 -
1SV280,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV280, H3F 0.4400
RFQ
ECAD 7027 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 1SV280 ESC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 4.000 2pf @ 10V, 1 MHz Soltero 15 V 2.4 C2/C10 -
1SV304TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV304TPH3F 0.4200
RFQ
ECAD 121 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 1SV304 USC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 6.6pf @ 4V, 1MHz Soltero 10 V 3 C1/C4 -
1SV305,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV305, L3F 0.4400
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 1SV305 ESC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 8,000 6.6pf @ 4V, 1MHz Soltero 10 V 3 C1/C4 -
2SK2231(TE16R1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2231 (TE16R1, NQ) -
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SK2231 Mosfet (Óxido de metal) Moldeado descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 5A (TA) 4V, 10V 160mohm @ 2.5a, 10v 2v @ 1 mapa 12 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 10 V - 20W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock