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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GT60N321 (Q) | - | ![]() | 5273 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-3PL | GT60N321 | Estándar | 170 W | TO-3P (LH) | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | - | 2.5 µs | - | 1000 V | 60 A | 120 A | 2.8V @ 15V, 60A | - | 330ns/700ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPC8036-H (TE12L, QM | - | ![]() | 8992 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosvi-H | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | TPC8036 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP (5.5x6.0) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 18a (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 9a, 10v | 2.3V @ 1MA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 4600 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK13A60D (STA4, Q, M) | - | ![]() | 6841 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | π-Mosvii | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TK13A60 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220SIS | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 13a (TA) | 10V | 430mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 2300 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8026 (TE12L, Q, M | 1.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosiv | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | TPCA8026 | Mosfet (Óxido de metal) | Avance 8-SOP (5x5) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 45a (TA) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 23a, 10v | 2.5V @ 1MA | 113 NC @ 10 V | ± 20V | 4200 pf @ 10 V | - | 1.6W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2967 (f) | - | ![]() | 8942 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Banda | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SK2967 | Mosfet (Óxido de metal) | A-3p (n) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 30A (TA) | 10V | 68mohm @ 15a, 10v | 3.5V @ 1MA | 132 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 10 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
CMH08A (TE12L, Q, M) | - | ![]() | 7466 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOD-128 | CMH08A | Estándar | M-FLAT (2.4x3.8) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.8 V @ 2 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Cry82 (TE85L, Q, M) | - | ![]() | 3176 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 10% | -40 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123F | Llorar 82 | 700 MW | S-FLAT (1.6x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 4.9 V | 8.2 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3K15CT (TPL3) | - | ![]() | 8514 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | π-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | SSM3K15 | Mosfet (Óxido de metal) | CST3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N-canal | 30 V | 100 mA (TA) | 2.5V, 4V | 4ohm @ 10mA, 4V | 1.5V @ 100 µA | ± 20V | 7.8 pf @ 3 V | - | 100MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPCC8006-H (TE12LQM | - | ![]() | 1620 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosvi-H | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | TPCC8006 | Mosfet (Óxido de metal) | Advance 8-TSON (3.3x3.3) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 22a (TA) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 11a, 10v | 2.3V @ 200 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 10 V | - | 700MW (TA), 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM3J378R, LF | 0.3800 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | SOT-23-3 Platos Platos | SSM3J378 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23F | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6a (TA) | 1.5V, 4.5V | 29.8mohm @ 3a, 4.5V | 1V @ 1MA | 12.8 NC @ 4.5 V | +6V, -8V | 840 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK25S06N1L, LQ | 1.0300 | ![]() | 5833 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TK25S06 | Mosfet (Óxido de metal) | DPAK+ | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 18.5mohm @ 12.5a, 10v | 2.5V @ 100 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 855 pf @ 10 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK11S10N1L, LQ | 0.9400 | ![]() | 6545 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TK11S10 | Mosfet (Óxido de metal) | DPAK+ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 5.5a, 10V | 2.5V @ 100 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 10 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TJ30S06M3L, LXHQ | 1.2000 | ![]() | 137 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TJ30S06 | Mosfet (Óxido de metal) | DPAK+ | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 30A (TA) | 6V, 10V | 21.8mohm @ 15a, 10v | 3V @ 1MA | 80 NC @ 10 V | +10V, -20V | 3950 pf @ 10 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK90S06N1L, LXHQ | 1.7200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TK90S06 | Mosfet (Óxido de metal) | DPAK+ | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 90A (TA) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 45a, 10V | 2.5V @ 500 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 10 V | - | 157W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK65S04N1L, LXHQ | 1.2300 | ![]() | 5169 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosviii-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TK65S04 | Mosfet (Óxido de metal) | DPAK+ | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 65a (TA) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 32.5a, 10V | 2.5V @ 300 µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 2550 pf @ 10 V | - | 107W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPWR7904PB, L1XHQ | 2.9900 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosix-H | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C | Montaje en superficie | 8Powervdfn | TPWR7904 | Mosfet (Óxido de metal) | Avance de 8-dsop | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 150A (TA) | 6V, 10V | 0.79mohm @ 75a, 10V | 3V @ 1MA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 6650 pf @ 10 V | - | 960MW (TA), 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | XPN9R614MC, L1XHQ | 1.4000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q101, U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C | Montaje en superficie | 8Powervdfn | XPN9R614 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Tson Advance-WF (3.1x3.1) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | Canal P | 40 V | 40a (TA) | 4.5V, 10V | 9.6mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 500 µA | 64 NC @ 10 V | +10V, -20V | 3000 pf @ 10 V | - | 840MW (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TJ10S04M3L, LXHQ | 0.9500 | ![]() | 4099 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TJ10S04 | Mosfet (Óxido de metal) | DPAK+ | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 10a (TA) | 6V, 10V | 44mohm @ 5a, 10v | 3V @ 1MA | 19 NC @ 10 V | +10V, -20V | 930 pf @ 10 V | - | 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TJ8S06M3L, LXHQ | 0.9500 | ![]() | 8204 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TJ8S06 | Mosfet (Óxido de metal) | DPAK+ | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 8a (TA) | 6V, 10V | 104mohm @ 4a, 10v | 3V @ 1MA | 19 NC @ 10 V | +10V, -20V | 890 pf @ 10 V | - | 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6L56FE, LM | 0.3800 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SSM6L56 | Mosfet (Óxido de metal) | 150MW (TA) | ES6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | Vecino del canal | 20V | 800 mA (TA) | 235mohm @ 800mA, 4.5V, 390MOHM @ 800MA, 4.5V | 1V @ 1MA | 1NC @ 10V | 55pf @ 10V, 100pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico, Transmisión de 1.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CUHS15S30, H3F | 0.3700 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | CUHS15 | Schottky | US2H | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 430 MV @ 1.5 A | 500 µA @ 30 V | 150 ° C | 1.5a | 200pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6K517NU, LF | 0.4100 | ![]() | 829 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | SSM6K517 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-udfnb (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 39.1mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 1MA | 3.2 NC @ 4.5 V | +12V, -8V | 310 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1117 (TE85L, F) | 0.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | RN1117 | 100 MW | SSM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 4.7 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1407, LF | 0.1900 | ![]() | 904 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RN1407 | 200 MW | S-Mini | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2316, LF | 0.1800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | RN2316 | 100 MW | SC-70 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 50 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN46A1 (TE85L, F) | - | ![]() | 2335 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | RN46A1 | 300MW | SM6 | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 70 @ 10mA, 5V / 50 @ 10 mA, 5V | 200MHz, 250MHz | 22 kohms, 10 kohms | 22 kohms, 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2131MFV, L3F | 0.1800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | RN2131 | 150 MW | Vesm | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 5 mA | 120 @ 1 MMA, 5V | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2101MFV, L3F (CT | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | RN2101 | 150 MW | Vesm | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 5 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1707JE (TE85L, F) | 0.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-553 | RN1707 | 100MW | ESV | descascar | 1 (ilimitado) | 264-RN1707JE (TE85LF) TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (Dual) (Emisor Junto) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN2132MFV, L3F | 0.1800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | RN2132 | 150 MW | Vesm | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 5 mA | 120 @ 1 MMA, 5V | 200 kohms |
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