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Productos de semiconductoros discretos (2909)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RN2415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2415 (TE85L, F) 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2415 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3F (CT 0.1800
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1103 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 22 kohms 22 kohms
RN1101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV, L3F (CT 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1101 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 4.7 kohms 4.7 kohms
TK60S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60S10N1L, LXHQ 1.5800
RFQ
 ECAD 1308 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK60S10 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 60A (TA) 6V, 10V 6.11mohm @ 30a, 10v 3.5V @ 500 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 4320 pf @ 10 V - 180W (TC)
TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L, LXHQ 0.9600
RFQ
 ECAD 3131 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK15S04 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 15a (TA) 4.5V, 10V 17.8mohm @ 7.5a, 10v 2.5V @ 100 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 610 pf @ 10 V - 46W (TC)
TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L, LXHQ 1.3200
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK33S10 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 33a (TA) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 16.5a, 10V 2.5V @ 500 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 10 V - 125W (TC)
XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R10ANB, L1XHQ 2.2600
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.197 ", 5.00 mm de Ancho) XPH4R10 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 70A (TA) 6V, 10V 4.1mohm @ 35a, 10v 3.5V @ 1MA 75 NC @ 10 V ± 20V 4970 pf @ 10 V - 960MW (TA), 170W (TC)
TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z, LXHQ 0.8900
RFQ
 ECAD 7428 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK7S10 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 7a (TA) 10V 48mohm @ 3.5a, 10v 4V @ 100 µA 7.1 NC @ 10 V ± 20V 470 pf @ 10 V - 50W (TC)
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11S10N1L, LXHQ 0.9700
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK11S10 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 11a (TA) 4.5V, 10V 28mohm @ 5.5a, 10V 2.5V @ 100 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 850 pf @ 10 V - 65W (TC)
TK155A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK155A65Z, S4X 3.1400
RFQ
 ECAD 7428 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosvi Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK155A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 18a (TA) 10V 155mohm @ 9a, 10v 4V @ 730 µA 29 NC @ 10 V ± 30V 1635 pf @ 300 V - 40W (TC)
TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK190A65Z, S4X 3.0000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosvi Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK190A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 15a (TA) 10V 190mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 610 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 1370 pf @ 300 V - 40W (TC)
TK090A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK090A65Z, S4X 4.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosvi Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK090A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 30A (TA) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27MA 47 NC @ 10 V ± 30V 2780 pf @ 300 V - 45W (TC)
XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW4R10ANB, L1XHQ 2.3200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) Avance de 8-dsop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 70a 6V, 10V 4.1mohm @ 35a, 10v 3.5V @ 1MA 75 NC @ 10 V ± 20V 4970 pf @ 10 V Estándar 170W (TC)
SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R, LXHF 0.4900
RFQ
 ECAD 7563 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 264-SSM3J356R, LXHFCT EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 2a (TA) 4V, 10V 300mohm @ 1a, 10v 2v @ 1 mapa 8.3 NC @ 10 V +10V, -20V 330 pf @ 10 V - 1W (TA)
1SS181,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS181, LF 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1SS181 Estándar S-Mini - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 80 V 100mA 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 500 na @ 80 V 125 ° C (Máximo)
2SD2129,LS4ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129, LS4AlPSQ (M -
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SD2129 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 100 V 3 A 100 µA (ICBO) NPN 2V @ 12 mm, 3a 2000 @ 1.5a, 3V -
2SA1680,T6ASTIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680, T6astif (J -
RFQ
 ECAD 3865 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1680 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 120 @ 100 mapa, 2v 100MHz
TK14C65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W, S1Q -
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA TK14C65 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 13.7a (TA) 10V 250mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 130W (TC)
TK9J90E,S1E Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E, S1E 2.7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 TK9J90 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 900 V 9a (TA) 10V 1.3ohm @ 4.5a, 10V 4V @ 900 µA 46 NC @ 10 V ± 30V 2000 pf @ 25 V - 250W (TC)
2SC5201(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201 (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 1063 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC5201 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1 µA (ICBO) NPN 1V @ 500 Ma, 20 Ma 100 @ 20MA, 5V -
TK110Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK110Z65Z, S1F 6.4000
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosvi Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-4 Mosfet (Óxido de metal) To-247-4l (t) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 650 V 24a (TA) 10V 110MOHM @ 12A, 10V 4V @ 1.02MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2250 pf @ 300 V - 190W (TC)
TK19A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK19A50W, S5X 2.7800
RFQ
 ECAD 9378 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 18.5a (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 40W (TC)
TDTC123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC123J, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC123 320 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms
TPCP8011,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8011, LF 1.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Mosfet (Óxido de metal) PS-8 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 40 V 5A (TA) 6V, 10V 51.2mohm @ 2.5a, 10v 3V @ 1MA 11.8 NC @ 10 V ± 20V 505 pf @ 10 V - 940MW (TA)
2SA1244-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-Y (T6L1, NQ) 0.9600
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1 W Moldeado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 50 V 5 A 1 µA (ICBO) PNP 400mv @ 150 mA, 3a 70 @ 1a, 1v 60MHz
TK4P60D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4P60D, RQ 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 4A (TA) 10V 1.7ohm @ 2a, 10v 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 100W (TC)
TK065Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK065Z65Z, S1F 7.8900
RFQ
 ECAD 4529 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosvi Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-4 Mosfet (Óxido de metal) To-247-4l (t) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 650 V 38a (TA) 10V 65mohm @ 19a, 10v 4V @ 1.69 Ma 62 NC @ 10 V ± 30V 3650 pf @ 300 V - 270W (TC)
TJ90S04M3L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L, LQ 2.2100
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 264-TJ90S04M3L, LQCT EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 40 V 90A (TA) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 45a, 10V 2v @ 1 mapa 172 NC @ 10 V +10V, -20V 7700 pf @ 10 V - 180W (TC)
TDTA143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA143E, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 7152 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA143 320 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms
CUHS15F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F60, H3F 0.4900
RFQ
 ECAD 9628 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano Schottky US2H descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 730 MV @ 1.5 A 50 µA @ 60 V 150 ° C 1.5a 130pf @ 0V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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